公开(公告)号：CN111384229B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201911336734.6

申请日：2019-12-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石井健太 ,  七尾胜 ,  佐久间仁志 ,  野口隆男

IPC: H10N30/87 ,  H10N30/50 ,  H10N30/057

Abstract: 薄膜层叠体具备：由金属构成的金属层和层叠于金属层的表面的薄膜，第一方向被定义为与金属层的表面平行的一个方向，第二方向被定义为与金属层的表面平行，且与第一方向交叉的一个方向，金属层包含多个第一金属粒及多个第二金属粒，第一金属粒由金属构成，在金属层的表面上沿着第一方向延伸，第二金属粒由金属构成，在金属层的表面上沿着第二方向延伸。

公开(公告)号：CN108172682B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201711276070.X

申请日：2017-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 七尾胜 ,  大桥光平 ,  石井健太

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/277

Abstract: 本发明的目的在于提供一种位移量大并且位移量的温度依存性小的压电薄膜层叠体。压电薄膜层叠体(100)具备第一电极层(3)、被层叠于第一电极层(3)的第一中间层(4)、被层叠于第一中间层(4)的第二中间层(5)、被层叠于第二中间层(5)的压电薄膜(6)，第一中间层(4)含有K、Na以及Nb，第二中间层(5)为使压缩方向的应力产生于压电薄膜(6)的层，压电薄膜(6)含有(K,Na)NbO3。

公开(公告)号：CN107235724B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201710195606.9

申请日：2017-03-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 东智久 ,  七尾胜 ,  石井健太

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B35/48 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制成为缺陷的主要因素的微粒的产生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材其特征在于，所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒构成，所述晶粒的平均粒径大于3μm且为30μm以下。

公开(公告)号：CN107235723A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710190349.X

申请日：2017-03-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 东智久 ,  七尾胜 ,  佐野达二 ,  古川正仁 ,  石井健太

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/48 ,  C23C14/34 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制漏电的发生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，其特征在于，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种(但是，必须有Nb(铌))，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒和存在于所述晶粒之间的晶界构成，所述晶界中所述B成分中Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种的摩尔比与所述晶粒的晶粒内的摩尔比相比多30％以上。

公开(公告)号：CN118678867A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410286628.6

申请日：2024-03-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 功刀千香 ,  井上柚华梨 ,  石井健太 ,  日色和成

IPC: H10N30/85

Abstract: 压电薄膜具有第一主面和位于第一主面的背侧的第二主面。压电薄膜包含具有纤锌矿型结构的结晶质的氮化铝。氮化铝包含二价元素及四价元素。或者，氮化铝包含三价元素。第二主面的展开界面面积比Sdr为0.001以上且0.100以下。

公开(公告)号：CN108172683B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201711276515.4

申请日：2017-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐久间仁志 ,  东智久 ,  石井健太

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/04 ,  H01L41/053

Abstract: 本发明的目的在于提供一种电阻率高并且即使经连续驱动压电常数也难以降低的压电薄膜层叠体。压电薄膜层叠体100具备第一电极层3、被层叠于第一电极层3的第一氧化物层4、被层叠于第一氧化物层4的第二氧化物层5、被层叠于第二氧化物层5的压电薄膜6，第一氧化物层4的电阻率高于第二氧化物层5的电阻率，第一氧化物层4含有K、Na以及Nb，压电薄膜6含有(K,Na)NbO3。

公开(公告)号：CN107235724A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710195606.9

申请日：2017-03-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 东智久 ,  七尾胜 ,  石井健太

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/48 ,  C23C14/34 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制成为缺陷的主要因素的微粒的产生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材其特征在于，所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒构成，所述晶粒的平均粒径大于3μm且为30μm以下。

公开(公告)号：CN111384229A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911336734.6

申请日：2019-12-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石井健太 ,  七尾胜 ,  佐久间仁志 ,  野口隆男

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/083 ,  H01L41/277

Abstract: 薄膜层叠体具备：由金属构成的金属层和层叠于金属层的表面的薄膜，第一方向被定义为与金属层的表面平行的一个方向，第二方向被定义为与金属层的表面平行，且与第一方向交叉的一个方向，金属层包含多个第一金属粒及多个第二金属粒，第一金属粒由金属构成，在金属层的表面上沿着第一方向延伸，第二金属粒由金属构成，在金属层的表面上沿着第二方向延伸。

公开(公告)号：CN108172683A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711276515.4

申请日：2017-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐久间仁志 ,  东智久 ,  石井健太

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/04 ,  H01L41/053

CPC classification number: H01L41/0815 ,  B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  G11B5/483 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/18

Abstract: 本发明的目的在于提供一种电阻率高并且即使经连续驱动压电常数也难以降低的压电薄膜层叠体。压电薄膜层叠体100具备第一电极层3、被层叠于第一电极层3的第一氧化物层4、被层叠于第一氧化物层4的第二氧化物层5、被层叠于第二氧化物层5的压电薄膜6，第一氧化物层4的电阻率高于第二氧化物层5的电阻率，第一氧化物层4含有K、Na以及Nb，压电薄膜6含有(K,Na)NbO3。

公开(公告)号：CN108172682A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711276070.X

申请日：2017-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 七尾胜 ,  大桥光平 ,  石井健太

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/277

CPC classification number: H01L41/0815 ,  B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  G11B5/483 ,  G11B5/4873 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/22

Abstract: 本发明的目的在于提供一种位移量大并且位移量的温度依存性小的压电薄膜层叠体。压电薄膜层叠体(100)具备第一电极层(3)、被层叠于第一电极层(3)的第一中间层(4)、被层叠于第一中间层(4)的第二中间层(5)、被层叠于第二中间层(5)的压电薄膜(6)，第一中间层(4)含有K、Na以及Nb，第二中间层(5)为使压缩方向的应力产生于压电薄膜(6)的层，压电薄膜(6)含有(K,Na)NbO3。