公开(公告)号：CN108172682A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711276070.X

申请日：2017-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 七尾胜 ,  大桥光平 ,  石井健太

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/277

CPC classification number: H01L41/0815 ,  B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  G11B5/483 ,  G11B5/4873 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/22

Abstract: 本发明的目的在于提供一种位移量大并且位移量的温度依存性小的压电薄膜层叠体。压电薄膜层叠体(100)具备第一电极层(3)、被层叠于第一电极层(3)的第一中间层(4)、被层叠于第一中间层(4)的第二中间层(5)、被层叠于第二中间层(5)的压电薄膜(6)，第一中间层(4)含有K、Na以及Nb，第二中间层(5)为使压缩方向的应力产生于压电薄膜(6)的层，压电薄膜(6)含有(K,Na)NbO3。

公开(公告)号：CN108172682B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201711276070.X

申请日：2017-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 七尾胜 ,  大桥光平 ,  石井健太

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/277

Abstract: 本发明的目的在于提供一种位移量大并且位移量的温度依存性小的压电薄膜层叠体。压电薄膜层叠体(100)具备第一电极层(3)、被层叠于第一电极层(3)的第一中间层(4)、被层叠于第一中间层(4)的第二中间层(5)、被层叠于第二中间层(5)的压电薄膜(6)，第一中间层(4)含有K、Na以及Nb，第二中间层(5)为使压缩方向的应力产生于压电薄膜(6)的层，压电薄膜(6)含有(K,Na)NbO3。