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公开(公告)号：CN107425082B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201710286412.X
申请日：2017-04-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/048 , H01L31/054
Abstract: 一种太阳能电池模块包括：多个电池串，所述多个电池串具有多个太阳能电池，各个太阳能电池具有半导体基板，并且第一导电型电极和第二导电型电极被设置在所述半导体基板的第一表面上；互连器，其在第一方向上将所述多个电池串中所包括的所述多个太阳能电池当中的第一太阳能电池的第一导电型电极和与第一太阳能电池相邻的第二太阳能电池的第二导电型电极电连接，以将第一太阳能电池和第二太阳能电池串联连接；以及第一屏蔽件，其被设置在位于第一太阳能电池和第二太阳能电池之间的互连器的前表面上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN104702207B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410858131.3
申请日：2014-12-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H02S50/10
CPC classification number: H02S50/10 , G01R19/0092 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种用于测量太阳能电池电流的太阳能电池测量设备。该太阳能电池具有光电转换器和彼此电绝缘的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均位于光电转换器的一个表面处。太阳能电池测量设备包括：测量单元，该测量单元包括对应于第一电极的第一测量构件和对应于第二电极的第二测量构件，其中，第一测量构件和第二测量构件在光电转换器的表面处与太阳能电池紧密接触，以用于测量太阳能电池的电流。
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公开(公告)号：CN104282782B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410319160.2
申请日：2014-07-04
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1824 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括半导体基板、在该半导体基板的一个表面上形成的隧穿层、在该隧穿层表面上形成的第一导电半导体层，和在该隧穿层表面上形成的第二导电半导体层。分离部将该第一与第二导电半导体层相互分离，所述分离部在与该第一与第二导电半导体层之间边界的至少一部分对应的位置处在该隧穿层表面上形成。
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公开(公告)号：CN102983209B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210151051.5
申请日：2012-05-15
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/022425 , H01L31/035272 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，形成为具有：第一导电类型的硅半导体基板；发射极层，所述发射极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的第一表面上；背表面场层，所述背表面场层具有所述第一导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上；并且其中，所述发射极层至少包括第一浅掺杂区域，所述背表面场层至少包括第二浅掺杂区域，并且其中，所述发射极层的第一浅掺杂区域的厚度不同于所述背表面场层的第二浅掺杂区域的厚度。
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公开(公告)号：CN102983209A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210151051.5
申请日：2012-05-15
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/022425 , H01L31/035272 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，形成为具有：第一导电类型的硅半导体基板；发射极层，所述发射极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的第一表面上；背表面场层，所述背表面场层具有所述第一导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上；并且其中，所述发射极层至少包括第一浅掺杂区域，所述背表面场层至少包括第二浅掺杂区域，并且其中，所述发射极层的第一浅掺杂区域的厚度不同于所述背表面场层的第二浅掺杂区域的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107425082A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710286412.X
申请日：2017-04-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/048 , H01L31/054
CPC classification number: H01L31/042 , H01L27/142 , H01L31/02008 , H01L31/022425 , H01L31/048 , H01L31/0508 , H02S40/22 , H02S40/36 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L31/0547
Abstract: 一种太阳能电池模块包括：多个电池串，所述多个电池串具有多个太阳能电池，各个太阳能电池具有半导体基板，并且第一导电型电极和第二导电型电极被设置在所述半导体基板的第一表面上；互连器，其在第一方向上将所述多个电池串中所包括的所述多个太阳能电池当中的第一太阳能电池的第一导电型电极和与第一太阳能电池相邻的第二太阳能电池的第二导电型电极电连接，以将第一太阳能电池和第二太阳能电池串联连接；以及第一屏蔽件，其被设置在位于第一太阳能电池和第二太阳能电池之间的互连器的前表面上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN104882505A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510302973.5
申请日：2010-12-15
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/055
Abstract: 使用半导体纳米晶体的太阳能电池模块。本发明涉及使用半导体纳米晶体的太阳能电池模块。该太阳能电池模块包括其中散布有纳米晶体的层，所述纳米晶体的材料具有对入射光能量的向下转换功能。该太阳能电池模块包括：多个包括至少一个光电转化层的太阳能电池；设置在所述多个太阳能电池的上表面上的至少一个透明部件；以及用于密封所述多个太阳能电池的填充层，其中，从所述至少一个透明部件和所述填充层中选择的至少一层包含所述半导体纳米晶体。
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公开(公告)号：CN104282782A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410319160.2
申请日：2014-07-04
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1824 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括半导体基板、在该半导体基板的一个表面上形成的隧穿层、在该隧穿层表面上形成的第一导电半导体层，和在该隧穿层表面上形成的第二导电半导体层。分离部将该第一与第二导电半导体层相互分离，所述分离部在与该第一与第二导电半导体层之间边界的至少一部分对应的位置处在该隧穿层表面上形成。
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公开(公告)号：CN102113131B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN200980129536.0
申请日：2009-06-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02E10/52
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。
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公开(公告)号：CN102113131A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129536.0
申请日：2009-06-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02E10/52
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。
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