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公开(公告)号：CN103378828B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201210182560.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K7/06 , H03K17/687
CPC classification number: H03K3/0231 , H03B2201/0266 , H03K4/502 , H03K17/6871 , H03K2017/066 , H03K2217/0036 , H03K2217/0054
Abstract: 一种半导体微调电路，包括以并联方式与并联耦合NMOS器件相耦合的并联耦合PMOS器件，和附加的伪NMOS器件对。所述伪NMOS器件以并联方式与所述NMOS器件相耦合。一种用于内部时钟源的微调电路，由一组用于选择所述微调电路的一个或多个微调电容器的开关阵列组成。这样的阵列具有微小的漏电电流，并具备很好的微调线性。
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公开(公告)号：CN101943613B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200910142600.0
申请日：2009-07-03
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明提供一种亚阈值CMOS温度检测器。CMOS温度检测电路包括用于生成启动电压(VN)的启动电路，以及耦合至该启动电路用于生成PTAT电流的与绝对温度成比例(PTAT)电流发生器。该启动电压导通PTAT电流发生器，并且PTAT电流发生器利用CMOS的亚阈值特性来生成PTAT电流。耦合至PTAT电流发生器的PTAT电压发生器接收PTAT电流，并且生成PTAT电压，以及反向PTAT电压(VBE)。耦合至该电压发生器的比较器电路将该反向PTAT电压与利用生成的PTAT电压来定义的第一和第二报警界限相比较，并且基于该比较结果，生成报警信号。
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公开(公告)号：CN101943613A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910142600.0
申请日：2009-07-03
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明提供一种亚阈值CMOS温度检测器。CMOS温度检测电路包括用于生成启动电压(VN)的启动电路，以及耦合至该启动电路用于生成PTAT电流的与绝对温度成比例(PTAT)电流发生器。该启动电压导通PTAT电流发生器，并且PTAT电流发生器利用CMOS的亚阈值特性来生成PTAT电流。耦合至PTAT电流发生器的PTAT电压发生器接收PTAT电流，并且生成PTAT电压，以及反向PTAT电压(VBE)。耦合至该电压发生器的比较器电路将该反向PTAT电压与利用生成的PTAT电压来定义的第一和第二报警界限相比较，并且基于该比较结果，生成报警信号。
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公开(公告)号：CN106469979A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510583357.1
申请日：2015-08-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Abstract: 本公开涉及具有共用电容器振荡器的低电压纹波电荷泵。具有转换率控制的低电压纹波电荷泵包括分频器、时钟发生器、电流镜、开关电路、二极管网络、两个电容器和比较器。分频器从振荡信号产生时钟信号。时钟发生器从时钟信号产生第一和第二时钟信号。电流镜使用基准电流产生第一和第二电流。开关电路使用第一和第二时钟信号以及第一和第二电流信号产生第一和第二电压信号。比较器基于第一和第二电压信号产生振荡信号。电容器接收电压信号，并连接到二极管网络用于产生输出信号。电荷泵具有低输出电压纹波以及小滤波电容，这是通过转换率控制来实现的。
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公开(公告)号：CN106257836A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201510468739.X
申请日：2015-06-16
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K5/22
Abstract: 本发明涉及具有内建恒定滞后的轨到轨比较器。比较器具有输入级，具有(i)将差分输入电压转换为差分电流的电阻器耦合的超级源极跟随器电路以及(ii)将滞后电流注入差分电流中的滞后电流注入电路。输出级处理差分电流以控制比较器输出。共模(CM)检测电路抑制一些差分电流到达输出级，如果CM电压太靠近比较器的电压轨。比校器能够以恒定滞后电压在整个轨到轨范围之上工作在CM电压下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103378828A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210182560.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K7/06 , H03K17/687
CPC classification number: H03K3/0231 , H03B2201/0266 , H03K4/502 , H03K17/6871 , H03K2017/066 , H03K2217/0036 , H03K2217/0054
Abstract: 一种半导体微调电路，包括以并联方式与并联耦合NMOS器件相耦合的并联耦合PMOS器件，和附加的伪NMOS器件对。所述伪NMOS器件以并联方式与所述NMOS器件相耦合。一种用于内部时钟源的微调电路，由一组用于选择所述微调电路的一个或多个微调电容器的开关阵列组成。这样的阵列具有微小的漏电电流，并具备很好的微调线性。
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公开(公告)号：CN105988499A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510143903.X
申请日：2015-02-16
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种电源侧电压调节器。该电压调节器，产生为低于电源电压的设计的电压电平的输出电压。参考电压发生器产生介于接地和电源电压之间的参考电压。分压器产生介于电源电压和输出电压之间的反馈电压。放大器基于参考电压和反馈电压之间的差值产生放大器输出电压。缓冲器缓冲放大器输出电压。通道晶体管在其控制节点接收缓冲电压以便拉低出现在输出节点的平均负载电流。电容连接在电源和输出电压之间以便提供峰值负载电流。负载电流检测晶体管在其控制节点接收缓冲电压以便感测负载电流。补偿晶体管用于补偿漏电流。内部负载将感测的负载电流转换为施加到补偿晶体管的电压控制信号。
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公开(公告)号：CN105897085A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410858406.3
申请日：2014-12-23
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H02P7/28 , G01R19/175
CPC classification number: H02P6/182
Abstract: 本发明涉及用于电机控制器的过零检测电路及其方法。相关方法包括基于对应的电机绕组是否通电，有选择地将多个电机绕组信号中的每一个传递至集成电路处的第一节点。基于未通电电机绕组信号和基于第一节点处的信号，确定未通电电机绕组信号处的过零事件。
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公开(公告)号：CN106612112A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510874270.X
申请日：2015-10-21
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H03K3/012 , H03K5/2481 , H03K5/088
Abstract: 一种具有共享有源负载的轨对轨比较器，包括具有耦合到共享负载级的相关负载的NMOS和PMOS差分输入级。共享负载级被耦合到包括两个有源器件的输出级。通过在两个输入级之间共享负载级，比较器在轨对轨输入共模电压范围具有相对小的电路面积、低功耗和低传播延迟。
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公开(公告)号：CN105446206A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410496133.2
申请日：2014-09-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G05B19/042
CPC classification number: H03K19/017509 , H02J7/0036 , H02J9/061 , H02J50/10 , H02J2007/0062 , H03K5/125
Abstract: 本发明涉及USB和无线电力系统之间的电力切换控制。一种电系统可以有选择地通过USB连接或者通过另一个电力源，诸如，无线电力传输路径给负载供电。集成的切换控制器确定通过USB连接还是另一个电力源给负载供电，并且通过单个I/O引脚连接控制两个外部晶体管，以便实现所述确定。该切换控制器确定两个电压：与USB连接相关联的电压和与所述另一个电力源相关联的电压中的较大电压。该切换控制器还确定是否存在有效的USB连接。以该较大电压给控制两个外部晶体管的切换控制器电路供电，以便确保适当地并且可靠地导通或者截止所述外部晶体管。
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