公开(公告)号：CN101943613B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN200910142600.0

申请日：2009-07-03

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 郭书苞 ,  金杰 ,  孙振国 ,  田磊 ,  吴晓闻

IPC: G01K7/01

CPC classification number: G01K7/01 ,  G01K3/005

Abstract: 本发明提供一种亚阈值CMOS温度检测器。CMOS温度检测电路包括用于生成启动电压(VN)的启动电路，以及耦合至该启动电路用于生成PTAT电流的与绝对温度成比例(PTAT)电流发生器。该启动电压导通PTAT电流发生器，并且PTAT电流发生器利用CMOS的亚阈值特性来生成PTAT电流。耦合至PTAT电流发生器的PTAT电压发生器接收PTAT电流，并且生成PTAT电压，以及反向PTAT电压(VBE)。耦合至该电压发生器的比较器电路将该反向PTAT电压与利用生成的PTAT电压来定义的第一和第二报警界限相比较，并且基于该比较结果，生成报警信号。

公开(公告)号：CN101943613A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910142600.0

申请日：2009-07-03

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 郭书苞 ,  金杰 ,  孙振国 ,  田磊 ,  吴晓闻

IPC: G01K7/01

CPC classification number: G01K7/01 ,  G01K3/005

Abstract: 本发明提供一种亚阈值CMOS温度检测器。CMOS温度检测电路包括用于生成启动电压(VN)的启动电路，以及耦合至该启动电路用于生成PTAT电流的与绝对温度成比例(PTAT)电流发生器。该启动电压导通PTAT电流发生器，并且PTAT电流发生器利用CMOS的亚阈值特性来生成PTAT电流。耦合至PTAT电流发生器的PTAT电压发生器接收PTAT电流，并且生成PTAT电压，以及反向PTAT电压(VBE)。耦合至该电压发生器的比较器电路将该反向PTAT电压与利用生成的PTAT电压来定义的第一和第二报警界限相比较，并且基于该比较结果，生成报警信号。