公开(公告)号：CN101943613B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN200910142600.0

申请日：2009-07-03

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 郭书苞 ,  金杰 ,  孙振国 ,  田磊 ,  吴晓闻

IPC: G01K7/01

CPC classification number: G01K7/01 ,  G01K3/005

Abstract: 本发明提供一种亚阈值CMOS温度检测器。CMOS温度检测电路包括用于生成启动电压(VN)的启动电路，以及耦合至该启动电路用于生成PTAT电流的与绝对温度成比例(PTAT)电流发生器。该启动电压导通PTAT电流发生器，并且PTAT电流发生器利用CMOS的亚阈值特性来生成PTAT电流。耦合至PTAT电流发生器的PTAT电压发生器接收PTAT电流，并且生成PTAT电压，以及反向PTAT电压(VBE)。耦合至该电压发生器的比较器电路将该反向PTAT电压与利用生成的PTAT电压来定义的第一和第二报警界限相比较，并且基于该比较结果，生成报警信号。

公开(公告)号：CN101943613A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910142600.0

申请日：2009-07-03

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 郭书苞 ,  金杰 ,  孙振国 ,  田磊 ,  吴晓闻

IPC: G01K7/01

CPC classification number: G01K7/01 ,  G01K3/005

Abstract: 本发明提供一种亚阈值CMOS温度检测器。CMOS温度检测电路包括用于生成启动电压(VN)的启动电路，以及耦合至该启动电路用于生成PTAT电流的与绝对温度成比例(PTAT)电流发生器。该启动电压导通PTAT电流发生器，并且PTAT电流发生器利用CMOS的亚阈值特性来生成PTAT电流。耦合至PTAT电流发生器的PTAT电压发生器接收PTAT电流，并且生成PTAT电压，以及反向PTAT电压(VBE)。耦合至该电压发生器的比较器电路将该反向PTAT电压与利用生成的PTAT电压来定义的第一和第二报警界限相比较，并且基于该比较结果，生成报警信号。

公开(公告)号：CN106787716A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201511035133.3

申请日：2015-11-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 吴晓闻 ,  梁永勤 ,  田磊

IPC: H02M3/157

Abstract: 本发明涉及单电感器多输出DC-DC转换器。单电感器DC-DC转换器在两个电容器处生成两个DC输出电压。该转换器选择性地将能量从电池传送到电感器或从电感器传送到所选的电容器。当转换器仍在稳定时，仅基于更不足的DC输出电压对转换器进行调节。转换器已经稳定后，基于两个DC输出电压的共模电压对转换器进行调节。通过仅基于更不足的DC输出电压而不是共模电压调节仍在稳定的转换器，避免了已经更不足的DC输出电压产生更大的不足。

公开(公告)号：CN106160726A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510297162.0

申请日：2015-04-17

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 田磊 ,  梁永勤 ,  吴晓闻

IPC: H03K19/0175

CPC classification number: H03K3/356113

Abstract: 本发明涉及电压电平移位器。在初级电压域中的电平移位器具有从次级电压域接收输入信号、用于控制所述电平移位器的操作的控制模块。所述控制模块包括在初级电压域中的串联电流传导路径中连接的互补晶体管对和第一原生晶体管。所述互补晶体管对具有被连接以接收所述输入信号的栅极，并且所述第一原生晶体管具有被连接以将串联电流传导路径中的电流限制为泄漏电流的栅极。