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公开(公告)号：CN114871954A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210394970.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明属于半导体芯片加工制造技术领域，具体涉及一种超薄IC晶圆专用划片刀及其制作方法。所述超薄IC晶圆专用划片刀，由基体和镀覆在基体表面的复合镀层构成，所述复合镀层由电镀镍结合剂和金刚石磨料组成；复合镀层的厚度为13~16μm；所述基体为铝基体；复合镀层伸出基体之外的部分为刀刃，刀刃长度为380~440μm。本发明所述超薄IC晶圆专用划片刀能够改善50~100μm厚度范围的超薄IC硅晶圆的切割质量，还能够能克服DAF膜的粘附，减少常规刀片切割时典型的背崩、侧崩、背裂的发生，进而提升晶圆划切良率和加工效率。
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公开(公告)号：CN114839083A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210574198.9
申请日：2022-05-25
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种划片刀抗弯强度测试装置，包括用于夹紧划片刀的夹紧机构和驱动夹紧机构转动的旋转驱动机构；还包括用于装载测针的进给机构和装载有显微镜的三轴微调平台；进给机构与夹紧机构移动配合以使测针接触划片刀；三轴微调平台与夹紧机构配合以使显微镜对准测针与划片刀的接触点。本发明通过气动夹头夹持划片刀，使用高精度微调平台调整显微镜的聚焦点，便于清晰观察测量；通过直线模组驱动测力件水平移动，通过测针接触划片刀的刀刃，通过控制器输出位移‑力曲线，通过控制移动的位移，显微镜的倍率、气动夹头的回转，调整测针和划片刀接触的位置，测试刀片局部抗弯强度，且能够达到高重复性、无损测试。
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公开(公告)号：CN117779151A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311837180.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明提出了一种电镀晶圆划片刀及其制备方法，属于超硬磨具制造的技术领域，用以解决电镀划片刀中存大颗粒导致在切割中存在异常崩口的技术问题。本发明制备方法包括以下步骤：(1)将金刚石微粉分散在溶剂中，超声配置成分散液，对分散液进行离心，得到上层离心液和微粉样；(2)将上层离心液进行抽滤Ⅰ、清洗和干燥，得到预处理金刚石微粉；(3)将预处理金刚石微粉通过电镀工艺镀覆在基体表面，经后处理，得到成品电镀划片刀；所述分散液包括多元醇和水。本发明能够快速准确的检出并清除金刚石微粉中的大颗粒，使所制备电镀划片刀中金刚石粒径分布均匀，不含有大颗粒。
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公开(公告)号：CN117721427A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311750510.6
申请日：2023-12-19
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明属于超硬磨具制造技术领域，具体涉及一种划片刀及其制备方法，用以解决电镀工艺中划片刀磨料层中靠近基体侧与远离基体侧（刀刃两侧面）的金刚石浓度不均匀的技术问题。制备步骤如下：（1）将铝合金轮毂基体的外边缘圆环区域依次经喷砂、化学处理得到预处理后的基体；（2）将预处理后的基体在磁控溅射设备中表面除杂和溅射锌靶材后，在真空条件下喷洒金刚石微粉，然后磁控溅射镍钴合金靶材，重复喷洒和磁控溅射镍钴合金靶材过程制得含有镍钴基‑金刚石复合镀层的基体；（3）将步骤（2）含有镀层的基体经后加工处理得到划片刀。本发明提出了一种绿色的划片刀制备工艺，划片刀的镀层中金刚石浓度在厚度方向一致，加工材料时，无崩裂现象。
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公开(公告)号：CN114871954B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210394970.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明属于半导体芯片加工制造技术领域，具体涉及一种超薄IC晶圆专用划片刀及其制作方法。所述超薄IC晶圆专用划片刀，由基体和镀覆在基体表面的复合镀层构成，所述复合镀层由电镀镍结合剂和金刚石磨料组成；复合镀层的厚度为13~16μm；所述基体为铝基体；复合镀层伸出基体之外的部分为刀刃，刀刃长度为380 440~μm。本发明所述超薄IC晶圆专用划片刀能够改善50~100μm厚度范围的超薄IC硅晶圆的切割质量，还能够能克服DAF膜的粘附，减少常规刀片切割时典型的背崩、侧崩、背裂的发生，进而提升晶圆划切良率和加工效率。
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