公开(公告)号：CN117139372A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311180291.2

申请日：2023-09-13

Applicant: 郑州大学

Inventor： 刘苗 ,  张华涛 ,  王成铎 ,  孙本双 ,  李庆奎 ,  丁振卿

IPC: B21B3/00 ,  C22F1/08 ,  C23C14/35 ,  B21B37/58

Abstract: 本发明公开了一种强织构化高纯铜靶材的制备方法。该制备方法包括：多晶铜块退火制备高纯单晶铜块；高纯单晶铜块进行冷轧处理，冷轧方向平行于轧面，冷轧减薄量为80％～98％，每道次下压变形量为5％～20％；冷轧处理后的高纯单晶铜块进行淬火处理，然后进行抛光处理，得到强织构化高纯铜靶材，其中，强织构化高纯铜靶材中的晶粒尺寸小于30μm，强织构化高纯铜靶材中的主织构占比大于50％。本发明实施例公开的制备方法，多晶铜块退火制备高纯单晶铜块，然后控制冷轧条件、淬火条件调控高纯单晶铜块的织构及晶粒尺寸，制得的强织构化高纯铜靶材晶粒尺寸小，主织构占比高。本发明实施例公开的强织构化高纯铜靶材磁控溅射成膜速率高，膜层质量好、厚度分布均匀。