公开(公告)号：CN107017293A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710242816.9

申请日：2017-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾护军 ,  罗烨辉 ,  吴秋媛 ,  杨银堂 ,  柴常春

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431

Abstract: 本发明公开了一种具有双凹陷AlGaN势垒层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，结构自下而上包括：半绝缘衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其中，所述AlGaN势垒层的上表面的两侧分别设有源电极和漏电极、源电极和漏电极之间且靠近源电极处设有栅电极，在栅电极的源侧区域一部分AlGaN势垒层向下凹陷形成凹陷栅源势垒层区域，在栅电极的漏侧区域一部分AlGaN势垒层向下凹陷形成凹陷栅漏势垒层区域。本发明的有益之处在于：(1)跨导饱和区扩展；(2)击穿电压提高；(3)频率特性改善；(4)微波输出特性增强。

公开(公告)号：CN105118867B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201510532352.6

申请日：2015-08-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾护军 ,  罗烨辉 ,  马培苗 ,  杨志辉

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/338

Abstract: 本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，其自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源级帽层一侧形成栅电极，靠近源级帽层侧的部分栅电极向下凹陷，形成凹栅结构，栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏漂移区，P缓冲层上端面靠近漏极帽层处与凹栅漏侧之间形成凹陷栅漏缓冲层，凹陷栅漏漂移区的凹陷深度与凹陷栅漏缓冲层的凹陷深度相同。本发明具有漏极输出电流大、击穿电压高、频率特性优良的优点。

公开(公告)号：CN105118867A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510532352.6

申请日：2015-08-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾护军 ,  罗烨辉 ,  马培苗 ,  杨志辉

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/8128 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66848

Abstract: 本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，其自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源级帽层一侧形成栅电极，靠近源级帽层侧的部分栅电极向下凹陷，形成凹栅结构，栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏漂移区，P缓冲层上端面靠近漏极帽层处与凹栅漏侧之间形成凹陷栅漏缓冲层，凹陷栅漏漂移区的凹陷深度与凹陷栅漏缓冲层的凹陷深度相同。本发明具有漏极输出电流大、击穿电压高、频率特性优良的优点。