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公开(公告)号:CN113381714B
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202110662026.2
申请日:2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于半导体混合集成电路设计技术领域,公开了一种采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,包括电阻R7、电阻R17、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D2、二极管D3、差分对放大电路、交流前馈放大电路、基于渥尔曼结构的第一拟合电路、基于渥尔曼结构的第二拟合电路以及推挽电路。在直流通路使用差分对放大电路,交流通路使用交流前馈放大电路,由第一拟合电路和第二拟合电路进行交流、直流拟合,由推挽电路输出放大信号,直流分量通过差分对放大电路放大获得良好的直流输入特性,交流分量通过拟合电路与直流分量进行耦合,通过推挽电路获得宽摆幅的输出范围,具有高工作电压、大驱动电流及高转换速率的特性。
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公开(公告)号:CN110224586A
公开(公告)日:2019-09-10
申请号:CN201910574987.0
申请日:2019-06-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于电荷泵的高压驱动电路,结构简单,设计合理,能够提供连续稳定的高压浮动电源,很好地实现电机驱动器的持续高压驱动。其包括依次连接的电荷泵电路、电平转换电路和MOSFET关断电路;所述的电荷泵电路用于根据连接的功率电源VP输出高于功率电源VP且连续稳定的浮动电源;所述的电平转换电路用于根据连接的高压控制信号VIN,将接入的浮动电源转化为高压驱动电压;所述的MOS关断电路用于接入高压驱动电压对输出端连接的VDMOS进行驱动和保护。
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公开(公告)号:CN109921631A
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201910208810.9
申请日:2019-03-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明一种桥式驱动器用隔离式上桥自举电荷泵电路及控制方法,线路结构简单,组装方便,具有较强的可扩展性。所述电路包括逐级连接的方波发生器、两组脉冲转换电路、开关电路和变压器输出电路;方波发生器用于产生高电平为VH和低电平为0的方波;两组脉冲转换电路并联在方波发生器和开关电路之间,用于将方波转换为正负交替的脉冲电压信号输入开关电路;变压器输出电路包括初级绕组T1和T2,以及次级绕组T3;初级绕组T1和T2采用双绕组方式首尾连接作为输入端连接开关电路,公共端连接电压源输入端口001;次级绕组T3采用单绕组方式作为输出端,次级绕组T3的两端分别为电压输出正端口002和电压输出负端口003。
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公开(公告)号:CN112217429B
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN202011053003.3
申请日:2020-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种无刷电机驱动电路及方法,三极管Q1的发射极与电容C1、可调电阻R1和电压源供电负极端口相连,集电极与电容C1、可调电阻R1和电阻R2相连后接入电机控制芯片U1,电阻R2与电压源供电正极端口相连;三极管Q1的集电极连接误差放大器的同相输入端,反相输入端与电容C2和电阻R3相连,电容C2和电阻R3与误差放大器的输出端相连,电机适配器输出端连接误差放大器的反相输入端,输出端连接第一比较器的反相输入端,电阻R5连接电压源供电正极端口,电阻R5接同相输入端与电容C3,电容C3与电压源供电负极端口相连;第一比较器连接栅极驱动信号调制电路,栅极驱动信号调制电路连接有三相桥逆变器。
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公开(公告)号:CN113381714A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110662026.2
申请日:2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于半导体混合集成电路设计技术领域,公开了一种采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,包括电阻R7、电阻R17、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D2、二极管D3、差分对放大电路、交流前馈放大电路、基于渥尔曼结构的第一拟合电路、基于渥尔曼结构的第二拟合电路以及推挽电路。在直流通路使用差分对放大电路,交流通路使用交流前馈放大电路,由第一拟合电路和第二拟合电路进行交流、直流拟合,由推挽电路输出放大信号,直流分量通过差分对放大电路放大获得良好的直流输入特性,交流分量通过拟合电路与直流分量进行耦合,通过推挽电路获得宽摆幅的输出范围,具有高工作电压、大驱动电流及高转换速率的特性。
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公开(公告)号:CN110176879B
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN201910576027.8
申请日:2019-06-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02P6/08
Abstract: 本发明一种抗辐照高压驱动电路,包括电平转换单元和驱动单元;电平转换单元包括电阻R1、电阻R2、N沟道VDMOS T1和双极NPN晶体管Q1;驱动单元包括二极管D1、电容C1、稳压管D2、电阻R3和驱动芯片;输入信号VIN经电阻R1分别与N沟道VDMOS T1的栅极和双极NPN晶体管Q1的集电极相连;N沟道VDMOS T1的源极和双极NPN晶体管Q1的基极与电阻R2的一端相连,电阻R2另一端和双极NPN晶体管Q1的发射极连接地;N沟道VDMOS T1的漏极连接驱动芯片的输入端;电源电压VDD连接二极管D1的阳极,二极管D1的阴极连接电容C1的一端、电阻R3的一端及驱动芯片的VDD端。
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公开(公告)号:CN109921631B
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN201910208810.9
申请日:2019-03-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明一种桥式驱动器用隔离式上桥自举电荷泵电路及控制方法,线路结构简单,组装方便,具有较强的可扩展性。所述电路包括逐级连接的方波发生器、两组脉冲转换电路、开关电路和变压器输出电路;方波发生器用于产生高电平为VH和低电平为0的方波;两组脉冲转换电路并联在方波发生器和开关电路之间,用于将方波转换为正负交替的脉冲电压信号输入开关电路;变压器输出电路包括初级绕组T1和T2,以及次级绕组T3;初级绕组T1和T2采用双绕组方式首尾连接作为输入端连接开关电路,公共端连接电压源输入端口001;次级绕组T3采用单绕组方式作为输出端,次级绕组T3的两端分别为电压输出正端口002和电压输出负端口003。
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公开(公告)号:CN110224586B
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201910574987.0
申请日:2019-06-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于电荷泵的高压驱动电路,结构简单,设计合理,能够提供连续稳定的高压浮动电源,很好地实现电机驱动器的持续高压驱动。其包括依次连接的电荷泵电路、电平转换电路和MOSFET关断电路;所述的电荷泵电路用于根据连接的功率电源VP输出高于功率电源VP且连续稳定的浮动电源;所述的电平转换电路用于根据连接的高压控制信号VIN,将接入的浮动电源转化为高压驱动电压;所述的MOS关断电路用于接入高压驱动电压对输出端连接的VDMOS进行驱动和保护。
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公开(公告)号:CN110411630A
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201910711890.X
申请日:2019-08-02
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种振动筒压力传感器及其特性补偿方法,结构简单,设计合理,能够实现传感器的线性误差和温度误差补偿,精度高。其包括底座,密封设置在底座上的振动筒,设置在振动筒上的激振线圈和拾振线圈,以及主电路和补偿电路;主电路包括依次连接的正反馈振荡电路和整形电路;正反馈振荡电路的输入端分别连接激振线圈和拾振线圈,对振动频率信号进行起振时间和放大倍数的调整;整形电路用于对振动频率信号进行波形的相位调整;补偿电路包括温度测量电路、特性存储电路和电源转换电路;温度测量电路包括温度传感器和放大器;电源转换电路输入端连接电源电压+VCC,输出端分别连接温度测量电路和特性存储电路供电。
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公开(公告)号:CN110176879A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201910576027.8
申请日:2019-06-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02P6/08
Abstract: 本发明一种抗辐照高压驱动电路,包括电平转换单元和驱动单元;电平转换单元包括电阻R1、电阻R2、N沟道VDMOS T1和双极NPN晶体管Q1;驱动单元包括二极管D1、电容C1、稳压管D2、电阻R3和驱动芯片;输入信号VIN经电阻R1分别与N沟道VDMOS T1的栅极和双极NPN晶体管Q1的集电极相连;N沟道VDMOS T1的源极和双极NPN晶体管Q1的基极与电阻R2的一端相连,电阻R2另一端和双极NPN晶体管Q1的发射极连接地;N沟道VDMOS T1的漏极连接驱动芯片的输入端;电源电压VDD连接二极管D1的阳极,二极管D1的阴极连接电容C1的一端、电阻R3的一端及驱动芯片的VDD端。
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