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公开(公告)号：CN105220143B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201510697005.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于湿法腐蚀工艺的硅片正面微结构保护装置及方法，其特征在于，待腐蚀硅片正面朝上放置在一个底座的凸台上，硅片上置压块，硅片与压块间由一圆环隔离；底座卡在一圆柱形容器壁上，底座凸台开有通孔与圆柱形容器相通，圆柱形容器置于磁力搅拌加热台上。在圆柱形容器中装满腐蚀液，其中放置磁力搅拌子，加热台通电后，腐蚀液在磁力搅拌子旋转下受离心力上升，接触硅片背面，高温流动的腐蚀液对硅片背面完成腐蚀。本发明装置简单，可批量腐蚀硅片，提高腐蚀效率，有效防止硅片正面受到腐蚀液的伤害，可操作性好。
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公开(公告)号：CN105089219B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510405129.5
申请日：2015-07-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: E04F13/072 , B01D46/00 , B01D53/86
Abstract: 本发明公开了一种外墙砖表面结构、形成方法及用于公共区域PM2.5末端治理，其特征在于：结合仿生学分析植物结构特征对PM2.5的滞阻机理，建立表面结构和材料对PM2.5的滞阻作用模型，从而通过工程技术加工出具有多尺度复杂微结构的建筑物外墙瓷砖，实现PM2.5高效滞阻的目的；同时在多尺度复杂微结构上制备光触媒材料(TiO2)，通过光催化作用降低PM2.5前体物浓度，达到进一步降低PM2.5浓度的目的。
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公开(公告)号：CN105089219A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510405129.5
申请日：2015-07-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: E04F13/072 , B01D46/00 , B01D53/86
Abstract: 本发明公开了一种外墙瓷砖表面结构、形成方法及用于公共区域PM2.5末端治理，其特征在于：结合仿生学分析植物结构特征对PM2.5的滞阻机理，建立表面结构和材料对PM2.5的滞阻作用模型，从而通过工程技术加工出具有多尺度复杂微结构的建筑物外墙瓷砖，实现PM2.5高效滞阻的目的；同时在多尺度复杂微结构上制备光触媒材料(TiO2)，通过光催化作用降低PM2.5前体物浓度，达到进一步降低PM2.5浓度的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103675048A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310586102.1
申请日：2013-11-18
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的金属氧化物气体传感器及制备工艺，其特征在于，气体传感器由Si基底、绝缘层、两个薄膜电阻加热元件、矩形微阵列、一对敏感电极及生长在矩形微阵列上的金属氧化物三维多级纳米结构组成。Si基底下部被各向异性湿法刻蚀去掉部分Si。在正面，加热元件与敏感电极按中心对称、螺旋形式布置，矩形微阵列居中心位置，三者处同一层。加热元件兼做测温元件。采用水热法合成的纳米结构通过相互交叉的枝状结构实现桥式电学连接，最终与敏感电极相连，通过改变矩形微阵列排列方式、更换不同种类的纳米材料，可加工出不同测量通路、基于不同种类敏感物质的金属氧化物纳米气体传感器。
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公开(公告)号：CN103675048B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310586102.1
申请日：2013-11-18
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的金属氧化物气体传感器及制备工艺，其特征在于，气体传感器由Si基底、绝缘层、两个薄膜电阻加热元件、矩形微阵列、一对敏感电极及生长在矩形微阵列上的金属氧化物三维多级纳米结构组成。Si基底下部被各向异性湿法刻蚀去掉部分Si。在正面，加热元件与敏感电极按中心对称、螺旋形式布置，矩形微阵列居中心位置，三者处同一层。加热元件兼做测温元件。采用水热法合成的纳米结构通过相互交叉的枝状结构实现桥式电学连接，最终与敏感电极相连，通过改变矩形微阵列排列方式、更换不同种类的纳米材料，可加工出不同测量通路、基于不同种类敏感物质的金属氧化物纳米气体传感器。
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公开(公告)号：CN104089981B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410285768.8
申请日：2014-06-23
Applicant: 西安交通大学 , 西安九荣环保科技有限公司
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米TiO2薄膜的微型氧气传感器及制备工艺，该传感器自下而上分别为硅基底、二氧化硅和氮化硅绝缘层、敏感层与加热丝、叉指电极层。制备工艺包括：在Si3N4绝缘层上制备两层TiO2薄膜夹一层Pd的“三明治”敏感层；其特征在于，改进了传感器的结构，通过同一工序同时在敏感层上制备叉指电极和在Si3N4绝缘层上制备加热丝，并采用双螺旋加热丝的结构将叉指电极包裹在里边，可使氢氟酸湿法刻蚀敏感层得以实现，并且避免了两次溅射Ti/Pt材料和增加氮化硅层时的应力产生。本发明工艺流程简化、容易操作、生产量大，具有很好的工业生产特性。
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公开(公告)号：CN105220143A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510697005.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于湿法腐蚀工艺的硅片正面微结构保护装置及方法，其特征在于，待腐蚀硅片正面朝上放置在一个底座的凸台上，硅片上置压块，硅片与压块间由一圆环隔离；底座卡在一圆柱形容器壁上，底座凸台开有通孔与圆柱形容器相通，圆柱形容器置于磁力搅拌加热台上。在圆柱形容器中装满腐蚀液，其中放置磁力搅拌子，加热台通电后，腐蚀液在磁力搅拌子旋转下受离心力上升，接触硅片背面，高温流动的腐蚀液对硅片背面完成腐蚀。本发明装置简单，可批量腐蚀硅片，提高腐蚀效率，有效防止硅片正面受到腐蚀液的伤害，可操作性好。
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公开(公告)号：CN104089981A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410285768.8
申请日：2014-06-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米TiO2薄膜的微型氧气传感器及制备工艺，该传感器自下而上分别为硅基底、二氧化硅和氮化硅绝缘层、敏感层与加热丝、叉指电极层。制备工艺包括：在Si3N4绝缘层上制备两层TiO2薄膜夹一层Pd的“三明治”敏感层；其特征在于，改进了传感器的结构，通过同一工序同时在敏感层上制备叉指电极和在Si3N4绝缘层上制备加热丝，并采用双螺旋加热丝的结构将叉指电极包裹在里边，可使氢氟酸湿法刻蚀敏感层得以实现，并且避免了两次溅射Ti/Pt材料和增加氮化硅层时的应力产生。本发明工艺流程简化、容易操作、生产量大，具有很好的工业生产特性。
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