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公开(公告)号:CN105347182B
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201510866866.5
申请日:2015-11-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: B66C1/42
Abstract: 本发明公开了一种无动力捕获装置及其使用方法,该装置包括箱体,起吊架穿过箱体,在起吊架上固设有齿条,箱体内设有可转动的轴,轴上固设有齿轮,齿轮与齿条啮合连接;在箱体底部设有至少两个相对布置的摇板,摇板的外侧与箱体通过铰接件铰接;轴与连杆的一端固定连接,在摇板上设有滑槽,滑块位于滑槽内,连杆的另一端通过销钉与滑块铰接,由连杆的摆动驱动摇板的开合。本发明提供的一种无动力捕获装置,能够利用重力使捕获物凸起卡入到捕获口内,实现无需动力的将水面设备捕获。
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公开(公告)号:CN106568812B
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201610986306.8
申请日:2016-11-09
Applicant: 西安交通大学 , 上海礽芯生物科技有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种用于异戊二烯气体检测的气体传感器的制备方法,分别将盐酸溶液和钛酸四丁酯混合,然后加入油酸溶液,进行水热反应后,对产物反复进行清洗,干燥,退火,即得到纳米TiO2粉末;所得的纳米TiO2粉末与有机溶剂超声混合,得到乳白色的TiO2悬浮液;将所得的悬浮液均匀地喷涂在传感器芯片电极位置表面,然后将传感器芯片按照阶梯加热方式,退火;将传感器芯片焊接至TO管底座,将所得气敏元件置于密封气室中,对加热电极进行老化,即构建一种对Isoprene气体具有响应的气体传感器。该方法解决MEMS工艺和纳米技术不兼容的问题,制备方法简单可靠;可检测不同浓度的Isoprene气体,重复性好,响应快。
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公开(公告)号:CN105220143B
公开(公告)日:2017-08-15
申请号:CN201510697005.9
申请日:2015-10-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于湿法腐蚀工艺的硅片正面微结构保护装置及方法,其特征在于,待腐蚀硅片正面朝上放置在一个底座的凸台上,硅片上置压块,硅片与压块间由一圆环隔离;底座卡在一圆柱形容器壁上,底座凸台开有通孔与圆柱形容器相通,圆柱形容器置于磁力搅拌加热台上。在圆柱形容器中装满腐蚀液,其中放置磁力搅拌子,加热台通电后,腐蚀液在磁力搅拌子旋转下受离心力上升,接触硅片背面,高温流动的腐蚀液对硅片背面完成腐蚀。本发明装置简单,可批量腐蚀硅片,提高腐蚀效率,有效防止硅片正面受到腐蚀液的伤害,可操作性好。
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公开(公告)号:CN106568812A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201610986306.8
申请日:2016-11-09
Applicant: 西安交通大学 , 上海礽芯生物科技有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种用于异戊二烯气体检测的气体传感器的制备方法,分别将盐酸溶液和钛酸四丁酯混合,然后加入油酸溶液,进行水热反应后,对产物反复进行清洗,干燥,退火,即得到纳米TiO2粉末;所得的纳米TiO2粉末与有机溶剂超声混合,得到乳白色的TiO2悬浮液;将所得的悬浮液均匀地喷涂在传感器芯片电极位置表面,然后将传感器芯片按照阶梯加热方式,退火;将传感器芯片焊接至TO管底座,将所得气敏元件置于密封气室中,对加热电极进行老化,即构建一种对Isoprene气体具有响应的气体传感器。该方法解决MEMS工艺和纳米技术不兼容的问题,制备方法简单可靠;可检测不同浓度的Isoprene气体,重复性好,响应快。
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公开(公告)号:CN105347182A
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201510866866.5
申请日:2015-11-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: B66C1/42
Abstract: 本发明公开了一种无动力捕获装置及其使用方法,该装置包括箱体,起吊架穿过箱体,在起吊架上固设有齿条,箱体内设有可转动的轴,轴上固设有齿轮,齿轮与齿条啮合连接;在箱体底部设有至少两个相对布置的摇板,摇板的外侧与箱体通过铰接件铰接;轴与连杆的一端固定连接,在摇板上设有滑槽,滑块位于滑槽内,连杆的另一端通过销钉与滑块铰接,由连杆的摆动驱动摇板的开合。本发明提供的一种无动力捕获装置,能够利用重力使捕获物凸起卡入到捕获口内,实现无需动力的将水面设备捕获。
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公开(公告)号:CN105220143A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201510697005.9
申请日:2015-10-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于湿法腐蚀工艺的硅片正面微结构保护装置及方法,其特征在于,待腐蚀硅片正面朝上放置在一个底座的凸台上,硅片上置压块,硅片与压块间由一圆环隔离;底座卡在一圆柱形容器壁上,底座凸台开有通孔与圆柱形容器相通,圆柱形容器置于磁力搅拌加热台上。在圆柱形容器中装满腐蚀液,其中放置磁力搅拌子,加热台通电后,腐蚀液在磁力搅拌子旋转下受离心力上升,接触硅片背面,高温流动的腐蚀液对硅片背面完成腐蚀。本发明装置简单,可批量腐蚀硅片,提高腐蚀效率,有效防止硅片正面受到腐蚀液的伤害,可操作性好。
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