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公开(公告)号：CN117890307A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311675182.8
申请日：2023-12-08
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: G01N21/17 , G01N21/01 , H01S5/40 , H01S5/024 , H01S5/02216 , H01S5/02315
Abstract: 本发明公开了一种小型化光生光谱传感器，其包括集成在一个圆柱体内的激光器、信号采集系统、TEC驱动电路、激光器驱动电路、光生池、MEMS微音处理芯片；激光器采用单边引线的金属蝶形外壳封装，内部集成半导体制冷器、6个激光器芯片、铜制基片和光学系统；半导体制冷器上布置铜制基片，铜制基片上间隔设置凹槽，凹槽内和相邻凹槽之间的突出台面上布置激光器芯片；蝶形封装的一侧为管脚插针，另一层有出光孔，将带激光器芯片的半导体制冷器贴装到蝶形外壳上，最后将金属盖板采用储能封焊工艺完成封装。本发明解决传感器功耗大、集成度低等技术难题，实现传感器对新能源、煤矿、化工等行业气体化学成分的在线监测与离线检测应用。
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公开(公告)号：CN116053336A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211691594.6
申请日：2022-12-27
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法，基于吸收倍增分离雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、磷化铟作为倍增层材料制备台面型的铟镓砷雪崩探测器，采用一种新型的具有倒金字塔正四面锥形槽结构紧密排布的表面陷光结构。本发明减少了InGaAs表面对近红外激光反射率，实现了1064nm波长的近红外吸收增强，解决了传统铟镓砷雪崩探测器在1064nm波段量子效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN116014029A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211690411.9
申请日：2022-12-27
Applicant: 西南技术物理研究所
Inventor： 代千 , 李宛励 , 袁菲 , 谢修敏 , 刘绍斌 , 梁丕刚 , 舒域鑫 , 陈庆敏 , 孔繁林 , 路小龙 , 梁晨宇 , 袁鎏 , 郑博仁 , 柯尊贵 , 郭雨航 , 李潇 , 宋海智
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法，采用表面浅层Zn扩散工艺，在铟镓砷盖革雪崩二极管表面的i InP顶层上直接进行浅层Zn扩散，制备Zn掺杂自淬灭环结构，作为铟镓砷盖革雪崩二极管自身的被动淬灭电阻。本发明解决自由模式光子计数用铟镓砷盖革雪崩二极管存在的后脉冲高、死时间长的问题，通过实现低寄生效应的原位被动淬灭，有效提升铟镓砷盖革雪崩二极管的最大计数率，满足单光子计数探测需求。
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公开(公告)号：CN119875615A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411956626.X
申请日：2024-12-29
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种水溶性具有近红外吸收特性的铜铁硫胶体量子点制备方法，采用六甲基二硅硫烷作为硫前驱体，有机硫源能够同正十八烯溶剂快速形成胶体量子点成核位点，分阶段控制量子点成核以及生长过程，使得CuFeS2胶体量子点具备四面体形貌，具有确定的暴露晶面。本发明制备的CuFeS2胶体量子点的形貌均一、尺寸均一、粒径分布窄；本发明工艺简单易行，合成设备价格低廉，不涉及传统半导体所需的分子束外延等设备，非常适合于高生产率制备胶体量子点用于光电探测以及光伏器件。
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公开(公告)号：CN117790614A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311675041.6
申请日：2023-12-08
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种双波段Ge/Si APD光电探测器，其包括：硅分离吸收区、电荷收集区和倍增区，形成SACM的Si‑APD；还包括Ge材料的SACM‑APD结构；Si SACM‑APD用来探测400nm～1000nm范围的波长，Ge SACM‑APD用来探测900nm～1400nm波长。本发明打破单波段目标探测的局限性，可以对目标同时进行可见光、红外两个波段的搜索，且体积小、价格低、重量轻、功耗小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116148953A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211692082.1
申请日：2022-12-28
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明提出一种基于钇钡铜氧光子晶体的偏振分束器及其制备方法。该光子晶体偏振分束器由周期性的钇钡铜氧(YBa2Cu3O7‑x)超导材料圆形晶柱组成，晶格常数为1606.5nm，圆形晶柱半径为510m，一端一路入射光和另一端两路出射光的路径宽度均为1762.5nm。本偏振分束器通过控制晶柱位置移动，实现在中红外波段一端高功率和一端低功率的选通特性。该偏振分束器通过磁控溅射方法在铝酸镧单晶衬底上制备钇钡铜氧薄膜，再通过聚焦离子束方法将钇钡铜氧薄膜加工成由钇钡铜氧圆形晶柱组成的周期性纳米结构，制备工艺简单，易于控制。
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公开(公告)号：CN114864713A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111619662.3
申请日：2021-12-27
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L31/036 , H01L31/032 , H01L31/109 , G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种具有高吸收系数的二维材料异质结结构，其包括4层，自上而下依次为：单层二维材料I、单层二维材料II、单层二维材料I、单层二维材料II；二维材料I为硒化铂PtSe2，二维材料II为二硫化钼MoS2。本发明还提供一种二维材料异质结结构建模分析方法。本发明通过在PtSe2层间增加MoS2层实现对二维材料PtSe2的能带结构的调控，改善和提高了光电性能，步骤简单、易于操作，能够提高设计效率，在材料及性质研究方面有着明显的优势和应用前景。
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公开(公告)号：CN111323986B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201911311292.X
申请日：2019-12-18
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于Sagnac光纤环路产生三光子偏振纠缠GHZ态的系统，该方法使用Sagnac光纤环路，基于光纤中的三阶非线性光学过程‑自发四波混频原理，包括：连续激光泵浦光源、密集波分复用器、掺铒光纤放大器、可变光衰减器、耦合器、功率计、滤波器、偏振控制器、可调延时线、Sagnac环、偏振分析仪、单光子探测器。本发明产生三光子偏振纠缠GHZ态的各部分组件，均可来自通讯波段商用化的成熟器件，这有利于光源的组装制备和实用化发展。通过此方法制备出的光源具有小型化、实用化、易与光纤系统集成的特点，所产生的纠缠三光子波长在1550nm波段，可在量子雷达、量子通讯、量子计量、多量子纠缠网络等领域得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN119874206A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411956689.5
申请日：2024-12-29
Applicant: 西南技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种金属有机框架交联包覆的量子点薄膜及其制备方法，制备步骤包括：通过化学溶液法合成油溶性胶体量子点，然后通过配体交换制备得到水溶性胶体量子点，使其均匀分散在金属有机框架前驱体溶液中，利用水溶性胶体量子点会吸附金属有机框架前驱体的金属离子以及有机配体，胶体量子点在金属有机框架溶剂热原位生长过程中交联包覆在金属有机框架基质中，形成高稳定性、高均匀性、高亮度的量子点薄膜。本发明通过调节胶体量子点的包覆比例制备金属有机框架交联包覆的量子点薄膜，提高了可见波段入射光的吸收，有效钝化了量子点的表面缺陷位点，借助荧光共振能量转移机制，使量子点薄膜的荧光发射量子产率提高明显。
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公开(公告)号：CN117832317A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311632537.5
申请日：2023-12-01
Applicant: 西南技术物理研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强二维材料光电探测器，其包括：包括自下而上依次为：硅基底(1)、栅氧层(2)、二维材料层(3)、具有局域表面等离子体效应的周期性排布的金属纳米颗粒结构(4)和金属电极(5)；二维材料层(3)设置在栅氧层(2)的中间位置，金属纳米颗粒结构(4)设置在二维材料层(3)的中间位置，金属电极(5)设置在二维材料层(3)的两侧。本发明通过CVD法或者机械剥离方法制备二维材料层，通过去润湿法在二维材料层上制备周期排布的金属纳米颗粒；制备过程简单，降低成本。
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