基于Au@CuS修饰的MOF材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119425639A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411624017.4

    申请日:2024-11-14

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了基于Au@CuS修饰的MOF材料及其制备方法与应用,本发明合成了一种合成简单、成本低且对氨气具有高选择性吸附的铜基MOF材料(Cu‑MOF),将Au@CuS与Cu‑MOF在表面活性剂的作用下进行物理复合,获得具有较强机械性能的基于Au@CuS修饰的MOF材料。本发明提供的基于Au@CuS修饰的MOF材料可作为气敏材料,用于制备QCM气体传感器,尤其是QCM型氨气传感器,并且在980nm的近红外辐照下,基于Au@CuS修饰的MOF材料作为气敏材料表现出高效的光热效应,显著提高了QCM气体传感器对氨气的灵敏度和响应速度,并大大降低了恢复时间。

    一种全回流负压水精馏分离水氢同位素的性能评价系统及方法

    公开(公告)号:CN117912735A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202311634206.5

    申请日:2023-12-01

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开一种全回流负压水精馏分离水氢同位素的性能评价系统及方法,所述系统包括料液恒温油浴部件、精馏分离部件、蒸汽冷凝恒温水浴部件、抽真空部件、水样采集部件和氢同位素测定部件。以不同的水精馏填料为评价对象,在统一的全回流负压试验条件下开展水稳定或放射性氢同位素精馏分离试验,根据试验温度、填料床层高度和稳态时精馏塔塔底及塔顶水样中水氢同位素的含量,由芬斯克方程计算单位高度填料的塔板数,从而定量评价填料的水精馏性能。本发明在统一的试验基准上比较不同填料的水精馏性能,为水氢同位素分离用高效水精馏填料的研制提供了性能评价的方法依据。

    羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点及其制备和应用

    公开(公告)号:CN109705029B

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201910048805.6

    申请日:2019-01-18

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点的制备方法,包括以下步骤:将羟基被保护的羟基吡啶酮类化合物与氨基功能化碳量子点在交联剂的作用下于20‑40℃下反应,反应完全后在Pd/C催化剂的作用下,在氢气中发生还原反应,以脱掉保护基团,得到羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点,其中,羟基吡啶酮类化合物为3,4‑羟基吡啶酮和/或3,2‑羟基吡啶酮。本发明的羟基吡啶酮类化合物修饰的碳量子点可用于检测铀酰离子,离子选择性高,响应时间短,响应信号稳定,环境友好。

    一种处理含硒酸根废水的方法

    公开(公告)号:CN106673111B

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201710016481.9

    申请日:2017-01-10

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种处理含硒酸根废水的方法,首先调节含硒酸根废水的pH值为7以上;然后按照1.5~2.5 g/L的固液比向含硒酸根废水中投入吸附剂,搅拌10~15小时;最后去除吸附剂,完成含硒酸根废水的处理;所述吸附剂为Y2(OH)5Cl·1.5H2O。本发明基于稀土元素的吸附剂Y2(OH)5Cl·1.5H2O,该吸附剂材料是二维层状材料,层板带正电,层板间含有游离的氯离子,可有效地去除硒酸根,硒酸根废水中硒酸根的去除率高达99.9%,尤其是具有良好的循环应用效果。

    一种辐射光致发光材料及制备方法、应用

    公开(公告)号:CN111574727A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010559824.8

    申请日:2020-06-18

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种辐射光致发光材料及制备方法、应用,其中,一种辐射光致发光材料的制备方法包括如下步骤:将可溶性金属盐、配体和溶剂混合得到混合液,对所述混合液采用溶剂热法合成金属有机框架晶体,对所述金属有机框架晶体清洗、干燥得到辐射光致发光材料,其中,所述可溶性金属盐与所述配体的摩尔比为1:10-10:1,所述配体的苯环上连接有甲基,所述可溶性金属盐的价态为二价和/或三价。上述制备方法制得的辐射光致发光材料的辐射检测限更宽,即可以检测的辐射上限为3700Gy,而传统的银玻璃剂量计的制备材料的检测上限仅仅为10Gy。

    一种用于探测半导体材料X射线性能的装置

    公开(公告)号:CN110057842A

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201910468119.4

    申请日:2019-05-31

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于探测半导体材料X射线性能的装置,该装置包括暗箱和静电计,暗箱内设有电磁屏蔽盒,电磁屏蔽盒上方设有开口,开口上方设有X射线光源,电磁屏蔽盒内设有PCB板,PCB板上设有第一导电胶、第二导电胶、第一针脚和第二针脚,第一导电胶和第二导电胶用于分别与样品的上下表面粘合,第一导电胶与第一针脚电连接,第二导电胶与第二针脚电连接,第一针脚与静电计的高压输入口连接,第二针脚与静电计的信号输入口连接。本发明结构简单,操作方便,能够很好地实现静电屏蔽,减少外界环境对探测的干扰,大大降低了测试成本。同时,各部件之间连接稳定,能够准确测量到样品的弱电流,进而得到样品的X射线性能。

    一种分离镧系元素的方法

    公开(公告)号:CN106191476B

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201610537816.7

    申请日:2016-07-11

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明提供一种绿色、高效、成本低的分离镧系元素的方法,包括如下步骤:镧系元素与硼酸采用熔融热法生成晶体,通过对相同结构晶体和晶体洗液的分离或根据不同结构晶体的密度不同在溶剂中的浮沉进行分离。本发明的分离方法基于柔性配体硼酸针对不同镧系金属做出选择性聚合,这是首次在均一反应条件下合成镧系组元,把镧系元素分为6种截然不同的组分,晶体密度与晶体结构密切相关,能够在二元镧系元素中实现较高的分离比,与传统分步结晶相比,避免了因分离比低而造成的多次分离,并避免产生大量的废液。

    去除稀土矿物中放射性钍元素的方法

    公开(公告)号:CN107311118A

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201710456615.9

    申请日:2017-06-16

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种去除稀土矿物中放射性钍元素的方法,包括以下步骤:将稀土矿物与二氧化硒在水中混合,通过水热法,放射性钍元素与二氧化硒反应,冷却后形成晶体,分离出晶体,以去除放射性钍元素。本发明以二氧化硒作为无机配体,在水热环境中选择性结合四价钍元素形成晶体,实现放射性钍元素的去除。该法结晶率高、去污效率高,在均一反应条件下利用结晶固化的方式从三价镧系元素中固化去除钍,与传统工业分离钍的方法相比,能耗低、分离比高、能进行一步固化分离,有效避免传统方法中分离操作冗余、有机及放射性废液量大的缺点。

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