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公开(公告)号：CN110057842A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910468119.4
申请日：2019-05-31
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于探测半导体材料X射线性能的装置，该装置包括暗箱和静电计，暗箱内设有电磁屏蔽盒，电磁屏蔽盒上方设有开口，开口上方设有X射线光源，电磁屏蔽盒内设有PCB板，PCB板上设有第一导电胶、第二导电胶、第一针脚和第二针脚，第一导电胶和第二导电胶用于分别与样品的上下表面粘合，第一导电胶与第一针脚电连接，第二导电胶与第二针脚电连接，第一针脚与静电计的高压输入口连接，第二针脚与静电计的信号输入口连接。本发明结构简单，操作方便，能够很好地实现静电屏蔽，减少外界环境对探测的干扰，大大降低了测试成本。同时，各部件之间连接稳定，能够准确测量到样品的弱电流，进而得到样品的X射线性能。
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公开(公告)号：CN106191476B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610537816.7
申请日：2016-07-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种绿色、高效、成本低的分离镧系元素的方法，包括如下步骤：镧系元素与硼酸采用熔融热法生成晶体，通过对相同结构晶体和晶体洗液的分离或根据不同结构晶体的密度不同在溶剂中的浮沉进行分离。本发明的分离方法基于柔性配体硼酸针对不同镧系金属做出选择性聚合，这是首次在均一反应条件下合成镧系组元，把镧系元素分为6种截然不同的组分，晶体密度与晶体结构密切相关，能够在二元镧系元素中实现较高的分离比，与传统分步结晶相比，避免了因分离比低而造成的多次分离，并避免产生大量的废液。
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公开(公告)号：CN107311118A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710456615.9
申请日：2017-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B19/00
CPC classification number: C22B3/44 , C01B19/004 , C01B19/008 , C01P2002/72 , C01P2004/10 , C22B59/00 , C22B60/0291 , C30B7/10 , C30B7/14 , C30B29/10 , C30B29/46
Abstract: 本发明涉及一种去除稀土矿物中放射性钍元素的方法，包括以下步骤：将稀土矿物与二氧化硒在水中混合，通过水热法，放射性钍元素与二氧化硒反应，冷却后形成晶体，分离出晶体，以去除放射性钍元素。本发明以二氧化硒作为无机配体，在水热环境中选择性结合四价钍元素形成晶体，实现放射性钍元素的去除。该法结晶率高、去污效率高，在均一反应条件下利用结晶固化的方式从三价镧系元素中固化去除钍，与传统工业分离钍的方法相比，能耗低、分离比高、能进行一步固化分离，有效避免传统方法中分离操作冗余、有机及放射性废液量大的缺点。
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公开(公告)号：CN106191476A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610537816.7
申请日：2016-07-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种绿色、高效、成本低的分离镧系元素的方法，包括如下步骤：镧系元素与硼酸采用熔融热法生成晶体，通过对相同结构晶体和晶体洗液的分离或根据不同结构晶体的密度不同在溶剂中的浮沉进行分离。本发明的分离方法基于柔性配体硼酸针对不同镧系金属做出选择性聚合，这是首次在均一反应条件下合成镧系组元，把镧系元素分为6种截然不同的组分，晶体密度与晶体结构密切相关，能够在二元镧系元素中实现较高的分离比，与传统分步结晶相比，避免了因分离比低而造成的多次分离，并避免产生大量的废液。
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公开(公告)号：CN115626877A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211212997.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 苏州大学
IPC: C07C211/04 , C07C209/00 , C22B60/00 , C22B3/24 , C22B58/00 , C30B29/54 , C30B7/14
Abstract: 本发明公开了一种硒钨多酸及其制备方法与在超滤分离锕系离子中的应用，所述硒钨多酸{Se6W45}为[(CH3)2NH2]15Na0.8(H3O)8.2[Se6W45O159(H2O)9]·27H2O，属于单斜晶系，空间群为P21/m，晶胞参数为：a＝15.6207(6),b＝33.5801(11),c＝20.8294(7)，α＝90°,β＝98.130(2)°,γ＝90°,通过将前驱体Na24[H6Se6W39O144]·74H2O溶解于水中，依次加入有机胺和无机酸进行处理，得到所述硒钨多酸{Se6W45}。该硒钨多酸{Se6W45}配备了一个带有平面供体位点的空穴，该位点与六价锕系离子的五角锥配位几何形状精确配位。本发明制备的硒钨多酸{Se6W45}可选择性配位六价锕系离子形成纳米级簇，实现锕系离子的高效络合、分离，对锕系离子的截留系数高达96％，其中超滤分离镅的回收利率高达92％以上，有效解决了六价镅难以稳定、分离的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108384532B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810264190.6
申请日：2018-03-28
Applicant: 苏州大学
IPC: C07F9/38 , C09K11/06 , C07F5/00 , C07C211/63 , C01G43/00 , C01G47/00 , C01B19/00 , C01B33/00 , C01B25/16 , C01B35/18 , C01B21/082
Abstract: 本发明公开了含铀化合物作为闪烁体的应用，含铀化合物为含铀有机无机杂化物或含铀无机物，含铀有机无机杂化物为含铀有机羧酸盐或含铀有机磷酸盐：含铀无机物为含铀非金属酸盐、含铀金属盐或含铀卤化物。本发明公开了含铀有机无机化合物或含铀无机物具有本征闪烁能力，为利用铀元素进行各类型化学组成与形态(有机无机、无机)的闪烁体开发提供了新理念。
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公开(公告)号：CN116768719A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310565482.4
申请日：2023-05-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于α放射性核素的自发光材料及其制备方法与应用，属于核技术应用领域。本发明的制备方法包括以下步骤，将α放射性核素的化合物、镧系化合物和有机配体溶于溶剂，反应得到所述的基于α放射性核素的自发光材料。本发明的基于α放射性核素的自发光材料能够解决传统α核光光电池能量转化率低以及荧光物质α辐照稳定性差等问题，最终降低核电池放射性用量，提升核电池的输出功率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN115626877B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211212997.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 苏州大学
IPC: C07C211/04 , C07C209/00 , C22B60/00 , C22B3/24 , C22B58/00 , C30B29/54 , C30B7/14
Abstract: 本发明公开了一种硒钨多酸及其制备方法与在超滤分离锕系离子中的应用，所述硒钨多酸{Se6W45}为[(CH3)2NH2]15Na0.8(H3O)8.2[Se6W45O159(H2O)9]·27H2O，属于单斜晶系，空间群为P21/m，晶胞参数为：a＝15.6207(6),b＝33.5801(11),c＝20.8294(7)，α＝90°,β＝98.130(2)°,γ＝90°,通过将前驱体Na24[H6Se6W39O144]·74H2O溶解于水中，依次加入有机胺和无机酸进行处理，得到所述硒钨多酸{Se6W45}。该硒钨多酸{Se6W45}配备了一个带有平面供体位点的空穴，该位点与六价锕系离子的五角锥配位几何形状精确配位。本发明制备的硒钨多酸{Se6W45}可选择性配位六价锕系离子形成纳米级簇，实现锕系离子的高效络合、分离，对锕系离子的截留系数高达96％，其中超滤分离镅的回收利率高达92％以上，有效解决了六价镅难以稳定、分离的问题。
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公开(公告)号：CN114605994B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210190770.1
申请日：2022-02-28
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D211/56 , C09K11/66 , C09K11/06 , G01T1/20
Abstract: 本发明属于偏振光材料领域，具体涉及一种X射线激发圆偏振发光手性钙钛矿发光材料及其制备方法与应用。本发明将手性3‑氨基哌啶和Pb盐通过加入不同比例的HCl和HBr，用简单溶液法从高温缓慢降温到室温合成了稳定的右旋和左旋一维手性钙钛矿厘米级大单晶。圆偏振光在手性光电、铁电和自旋量子学等许多领域有着广泛的应用，该圆偏振钙钛矿发光材料是一种有机无机杂化手性钙钛矿材料，能够做为新型圆偏振发光材料和新型手性闪烁体应用。在成像领域减少光串扰、提高空间分辨率等领域将有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114672312A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210249332.8
申请日：2022-03-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化物闪烁体，所述铈掺杂硫化物闪烁体为晶体材料，其化学式为LaXSiS4:yCe，其中X为Li、Na、K、Rb或Cs，0＜y＜0.1。本发明还公开了铈掺杂硫化物闪烁体LaCsSiS4:yCe的制备方法，包括以下步骤：将氧化镧、氧化铈、硼粉、硅粉和硫粉和过量的氯化铯混合、研磨后，真空下密封，再于800～850℃下煅烧，使得原料发生反应；反应结束后，得到产物LaCsSiS4:yCe。本发明的铈掺杂硫化物闪烁体，在室温下同时具备高发光效率、快闪烁和抗辐照和湿度稳定性。
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