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公开(公告)号：CN116465948A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310302552.7
申请日：2023-03-27
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/416
Abstract: 发明涉及一种微流控光电化学传感器及微流控光电化学传感装置，包括：工作电极；印刷电极，包括衬底、参比电极和对电极，参比电极和对电极设置在衬底之上，参比电极与对电极之间设有溶液通过孔，溶液通过孔为通孔；微流控层，设有进液口、排液口以及连通进液口和排液口的流体微通道；流体微通道跨设在参比电极和对电极上且与溶液通过孔连通；微流控注液机构，包括自动注射部和溶液收集部，自动注射部与进液口连通，溶液收集部与排液口连通；工作电极、印刷电极、微流控层自下至上依次紧密贴合在一起；参比电极、对电极以及工作电极，三者形成三电极体系且分别与电化学工作站电连接。发明提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN116465948B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310302552.7
申请日：2023-03-27
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/416
Abstract: 发明涉及一种微流控光电化学传感器及微流控光电化学传感装置，包括：工作电极；印刷电极，包括衬底、参比电极和对电极，参比电极和对电极设置在衬底之上，参比电极与对电极之间设有溶液通过孔，溶液通过孔为通孔；微流控层，设有进液口、排液口以及连通进液口和排液口的流体微通道；流体微通道跨设在参比电极和对电极上且与溶液通过孔连通；微流控注液机构，包括自动注射部和溶液收集部，自动注射部与进液口连通，溶液收集部与排液口连通；工作电极、印刷电极、微流控层自下至上依次紧密贴合在一起；参比电极、对电极以及工作电极，三者形成三电极体系且分别与电化学工作站电连接。发明提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN114923969A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210652861.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/30 , G01N27/26
Abstract: 本发明属于光电化学传感领域，为解决待测溶液在传感电极表面流通性不佳的问题，公开了一种无酶葡萄糖光电化学传感电极、传感器及其制备方法，包括n型硅层/导电层/防水绝缘层；n型硅层上表面向上凸起为纳米线阵列；纳米线阵列表面包覆有p型金属氧化物半导体薄膜层；p型金属氧化物半导体薄膜层与n型硅层形成的异质结能带结构为错开型，所述的n型硅层与导电层形成欧姆接触。在入射光照射下，p型金属氧化物半导体薄膜层与纳米线阵列产生的光生电子空穴对在异质结内建电场和外加偏压的共同作用下有效分离。能够在无酶修饰、外加一定偏压的条件下实现对葡萄糖的高灵敏度、高选择性、低背景噪声的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114923969B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210652861.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/30 , G01N27/26
Abstract: 本发明属于光电化学传感领域，为解决待测溶液在传感电极表面流通性不佳的问题，公开了一种无酶葡萄糖光电化学传感电极、传感器及其制备方法，包括n型硅层/导电层/防水绝缘层；n型硅层上表面向上凸起为纳米线阵列；纳米线阵列表面包覆有p型金属氧化物半导体薄膜层；p型金属氧化物半导体薄膜层与n型硅层形成的异质结能带结构为错开型，所述的n型硅层与导电层形成欧姆接触。在入射光照射下，p型金属氧化物半导体薄膜层与纳米线阵列产生的光生电子空穴对在异质结内建电场和外加偏压的共同作用下有效分离。能够在无酶修饰、外加一定偏压的条件下实现对葡萄糖的高灵敏度、高选择性、低背景噪声的检测。
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公开(公告)号：CN114636745A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210231259.1
申请日：2022-03-10
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/416
Abstract: 本发明属光电传感领域，公开了一种自驱动无酶葡萄糖光电传感电极及其制备方法，包括导电基底、导电基底上设置的n型二氧化钛层、n型二氧化钛层内设置的顶层纳米孔阵列、底层纳米孔阵列、以及顶层纳米孔阵列、底层纳米孔阵列的端面及内壁包覆的氧化物半导体纳米颗粒层；所述的氧化物半导体纳米颗粒层与n型二氧化钛层形成能带结构为II型的异质结，所述的n型二氧化钛层与导电基底之间为欧姆接触。本方案采用的n型二氧化钛层具有超大的比表面积，引入的氧化物半导体纳米颗粒层同时包覆于n型二氧化钛层所包含的顶层、底层纳米孔阵列的端面和内壁，使得自驱动无酶葡萄糖光电传感电极具有优异的光吸收能力和高密度的活性位点。
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公开(公告)号：CN217305002U
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202220518763.5
申请日：2022-03-10
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/416
Abstract: 本实用新型属光电传感领域，公开了一种自驱动无酶葡萄糖光电传感电极，包括导电基底、导电基底上设置的n型二氧化钛层、n型二氧化钛层内设置的顶层纳米孔阵列、底层纳米孔阵列、以及顶层纳米孔阵列、底层纳米孔阵列的端面及内壁包覆的氧化物半导体纳米颗粒层；所述的氧化物半导体纳米颗粒层与n型二氧化钛层形成能带结构为II型的异质结，所述的n型二氧化钛层与导电基底之间为欧姆接触。本方案采用的n型二氧化钛层具有超大的比表面积，引入的氧化物半导体纳米颗粒层同时包覆于n型二氧化钛层所包含的顶层、底层纳米孔阵列的端面和内壁，使得自驱动无酶葡萄糖光电传感电极具有优异的光吸收能力和高密度的活性位点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN217605734U
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202221429356.3
申请日：2022-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/30 , G01N27/26
Abstract: 本申请属于光电化学传感领域，为解决待测溶液在传感电极表面流通性不佳的问题，公开了一种无酶葡萄糖光电化学传感电极及传感器，包括n型硅层/导电层/防水绝缘层；n型硅层上表面向上凸起为纳米线阵列；纳米线阵列表面包覆有p型金属氧化物半导体薄膜层；p型金属氧化物半导体薄膜层与n型硅层形成的异质结能带结构为错开型，所述的n型硅层与导电层形成欧姆接触。在入射光照射下，p型金属氧化物半导体薄膜层与纳米线阵列产生的光生电子空穴对在异质结内建电场和外加偏压的共同作用下有效分离。能够在无酶修饰、外加一定偏压的条件下实现对葡萄糖的高灵敏度、高选择性、低背景噪声的检测。
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公开(公告)号：CN217605732U
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202220713801.2
申请日：2022-03-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请属于光电化学传感领域，公开了一种微流控光电化学传感器，依次配置为：用于放置待测液的检测窗，检测窗的相对侧壁分别设置的进液口通道、出液口通道，位于检测窗内底部两个凹槽内的工作电极、对电极，位于检测窗外底部且分别与工作电极、对电极连接的导电引线；设置于检测窗顶部的透明盖板。进一步地工作电极配置为二氧化钛基底层、二氧化钛基底层表面沉积的氧化铜层，氧化铜层表面镀的金颗粒层。本申请的工作电极对相同待测液检测的重复利用性和稳定性高，并可以根据待测液选择合适的工作电极，可实现对不同待测液进行实时、在线、精准检测。
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