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公开(公告)号:CN104143981A
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201410191973.8
申请日:2014-05-08
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/12
Abstract: 本公开提供了分路数据获取链路和关联的信号处理方法。用于提供分路数据获取信号链路的示例性的集成电路包括:用于接收模拟信号的输入端子;用于输出数字信号的输出端子;以及与所述输入端子和所述输出端子耦合的至少两个频率电路通道,其中所述至少两个频率电路通道配置为处理模拟信号的不同频率成分并且将处理后的、不同频率成分重新组合,从而提供数字信号。
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公开(公告)号:CN104953971B
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201510129154.5
申请日:2015-03-24
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03G3/20
CPC classification number: H03G3/30 , H03G3/3052 , H03M1/1009 , H03M1/1028 , H03M1/12
Abstract: 本发明涉及增益校准。装置和方法为误差校准一个或多个增益范围。当系统从由第一增益因子放大输入信号转换到由第二增益因子放大输入信号时,系统可以识别偏移误差和放大误差。为了识别放大误差,系统可以将源或参考增益范围内数据信号的斜率与目标增益范围内数据信号的斜率进行比较。为了识别偏移误差,系统可以将在目标增益范围内数据信号的幅度与目标增益范围内的期望值进行比较。
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公开(公告)号:CN105720979B
公开(公告)日:2021-01-19
申请号:CN201510939899.8
申请日:2015-12-16
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请涉及具有片内储能电容的SAR ADC的校准技术。当储能电容移动芯片上用于单个位决定时,逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)具有附加的误差源,其可以显著影响SAR ADC的性能。校准技术可适用于使用决定和设置切换测量和校正SAR ADC中的这些误差。具体而言,校准技术可以使用多个专用输入电压和存储测试下的每一位的校准字而暴露测试的每一位的有效位权重,以校正误差。这种校准技术可减少需要存储每个可能的输出字的校准字,以纠正附加的误差源。此外,另一校准技术可以暴露测试下每位的有效位加权,而不生成多个特殊输入电压。
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公开(公告)号:CN105720979A
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201510939899.8
申请日:2015-12-16
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请涉及具有片内储能电容的SAR ADC的校准技术。当储能电容移动芯片上用于单个位决定时,逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)具有附加的误差源,其可以显著影响SAR ADC的性能。校准技术可适用于使用决定和设置切换测量和校正SAR ADC中的这些误差。具体而言,校准技术可以使用多个专用输入电压和存储测试下的每一位的校准字而暴露测试的每一位的有效位权重,以校正误差。这种校准技术可减少需要存储每个可能的输出字的校准字,以纠正附加的误差源。此外,另一校准技术可以暴露测试下每位的有效位加权,而不生成多个特殊输入电压。
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公开(公告)号:CN104953971A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510129154.5
申请日:2015-03-24
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03G3/20
CPC classification number: H03G3/30 , H03G3/3052 , H03M1/1009 , H03M1/1028 , H03M1/12
Abstract: 本发明涉及增益校准。装置和方法为误差校准一个或多个增益范围。当系统从由第一增益因子放大输入信号转换到由第二增益因子放大输入信号时,系统可以识别偏移误差和放大误差。为了识别放大误差,系统可以将源或参考增益范围内数据信号的斜率与目标增益范围内数据信号的斜率进行比较。为了识别偏移误差,系统可以将在目标增益范围内数据信号的幅度与目标增益范围内的期望值进行比较。
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