公开(公告)号：CN101753867B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200910262216.4

申请日：2006-06-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岩渊信 ,  元吉真

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L25/18 ,  H01L27/115 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1443 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/374 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。

公开(公告)号：CN1249815C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN02803299.3

申请日：2002-10-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小室善昭 ,  元吉真

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/222 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种信息存储装置及其制造方法，有可能使作为多层体的信息记录元件最小化，同时不造成元件的电阻增加、功耗增加或可靠性下降，其中所述多层体包括铁磁层、半导体层和铁磁层。信息存储器件(1)包括写字线(11)、位线(21)及作为多层膜的信息存储元件(31)，其中位线(21)形成得在预定的间隔处与写字线(11)交叉，所述多层膜包括在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间设置的磁层。信息存储元件(31)包括在第二绝缘膜(53)中设置的凹入部分(54)及至少包括在凹入部分(54)中形成的磁层的多层膜，其中第二绝缘膜(53)在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间形成。

公开(公告)号：CN1479945A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN02803299.3

申请日：2002-10-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小室善昭 ,  元吉真

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/222 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种信息存储装置及其制造方法，有可能使作为多层体的信息记录元件最小化，同时不造成元件的电阻增加、功耗增加或可靠性下降，其中所述多层体包括铁磁层、半导体层和铁磁层。信息存储器件(1)包括写字线(11)、位线(21)及作为多层膜的信息存储元件(31)，其中位线(21)形成得在预定的间隔处与写字线(11)交叉，所述多层膜包括在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间设置的磁层。信息存储元件(31)包括在第二绝缘膜(53)中设置的凹入部分(54)及至少包括在凹入部分(54)中形成的磁层的多层膜，其中第二绝缘膜(53)在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间形成。

公开(公告)号：CN101753867A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910262216.4

申请日：2006-06-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岩渊信 ,  元吉真

IPC: H04N5/335

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L25/18 ,  H01L27/115 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1443 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/374 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。

公开(公告)号：CN101753866A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910262215.X

申请日：2006-06-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岩渊信 ,  元吉真

IPC: H04N5/335

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L25/18 ,  H01L27/115 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1443 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/374 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。

公开(公告)号：CN101228631A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200680026625.9

申请日：2006-06-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岩渊信 ,  元吉真

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/00 ,  H01L27/10 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。