公开(公告)号：CN101752305A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910259121.7

申请日：2009-12-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小室善昭

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F7/70475 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明提供了半导体设备和制造半导体设备的方法。在该半导体设备中，采用了通过在一个步骤中将一个半导体区域划分成多个划分区域来制造所述一个半导体区域的方法，并且通过主要针对一侧的划分区域执行的一侧处理同时形成的一侧器件部分和通过主要针对另一侧的划分区域执行的另一侧处理同时形成的另一侧器件部分混合出现在接合所述划分区域之间的边界的接合区域中。

公开(公告)号：CN1479945A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN02803299.3

申请日：2002-10-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小室善昭 ,  元吉真

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/222 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种信息存储装置及其制造方法，有可能使作为多层体的信息记录元件最小化，同时不造成元件的电阻增加、功耗增加或可靠性下降，其中所述多层体包括铁磁层、半导体层和铁磁层。信息存储器件(1)包括写字线(11)、位线(21)及作为多层膜的信息存储元件(31)，其中位线(21)形成得在预定的间隔处与写字线(11)交叉，所述多层膜包括在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间设置的磁层。信息存储元件(31)包括在第二绝缘膜(53)中设置的凹入部分(54)及至少包括在凹入部分(54)中形成的磁层的多层膜，其中第二绝缘膜(53)在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间形成。

公开(公告)号：CN1249815C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN02803299.3

申请日：2002-10-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小室善昭 ,  元吉真

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/222 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种信息存储装置及其制造方法，有可能使作为多层体的信息记录元件最小化，同时不造成元件的电阻增加、功耗增加或可靠性下降，其中所述多层体包括铁磁层、半导体层和铁磁层。信息存储器件(1)包括写字线(11)、位线(21)及作为多层膜的信息存储元件(31)，其中位线(21)形成得在预定的间隔处与写字线(11)交叉，所述多层膜包括在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间设置的磁层。信息存储元件(31)包括在第二绝缘膜(53)中设置的凹入部分(54)及至少包括在凹入部分(54)中形成的磁层的多层膜，其中第二绝缘膜(53)在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间形成。