-
公开(公告)号：CN1848433A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610072700.7
申请日：2006-04-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 山崎康二
Abstract: 本发明实现液晶等电光装置中的叠层结构、制造工艺的简单化，并且使高品质的显示成为可能。电光装置具备数据线和扫描线、在基板上配置在数据线下层侧的薄膜晶体管。此外，还具备在薄膜晶体管的上层侧叠层、实施了平坦化处理的第1层间绝缘膜；在基板上平面地看配置在包括与薄膜晶体管的沟道区相对的区域的区域并配置在数据线上层侧、由固定电位侧电极、电介质膜和像素电位侧电极构成的存储电容；配置在每一个像素内并且配置在存储电容上层侧、电连接到像素电位侧电极和薄膜晶体管的像素电极。数据线，由导电性遮光膜构成，并且在基板上平面地看包括覆盖沟道区的区域的区域形成。
-
公开(公告)号：CN1246729C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN03156847.5
申请日：2003-09-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 山崎康二
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2202/42
Abstract: 本发明的目的在于在电光装置中显示没有因为对数据线的通电所导致的像素电极的电位上的变动而产生的沿数据线的显示不均匀等现象的高品质的图像。电光装置，在基板(10)上从下开始按顺序具有TFT(30)、扫描线(3a)、存储电容(70)、数据线(6a)和像素电极(9a)这样的层叠结构。其中位于数据线与像素电极间的第3层间绝缘膜(43)的相对介电常数比构成存储电容的电介质膜(75)的相对介电常数低。此外，优选地，第3层间绝缘膜的相对介电常数比第1和第2层间绝缘膜(41和42)的相对介电常数低。
-
公开(公告)号：CN1737896A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510084291.8
申请日：2005-07-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 山崎康二
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/0248 , G09G2310/0297 , G09G2320/0257
Abstract: 一种电光装置的驱动电路，包括，将从移位寄存器电路依次输出的传送信号和从第1输入端子输入的预充电用选择信号通过逻辑运算向第1路径输出的第1逻辑运算电路；由从第1路径输入的传送信号和从第2输入端子输入的使能信号的逻辑运算而生成采样信号、并且将该生成的采样信号和从第1路径输入的预充电用选择信号向第2路径输出的第2逻辑运算电路；和包含按照预充电用选择信号采样预充电信号而分别供给到数据线的同时、按照采样信号采样图像信号而分别供给到数据线的多个采样开关的采样电路。
-
公开(公告)号：CN1453619A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03124043.7
申请日：2003-04-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 山崎康二
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3272 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/3276
Abstract: 在基板上具备像素电极、包含与它连接的半导体层的TFT、与该TFT连接的扫描线以及数据线。其中扫描线，包含与半导体层中的沟道区域相对的作为栅极电极的窄幅部以及不与上述沟道区域相对的宽幅部。由此，在电光装置中，通过预先防止对TFT的光的入射，可以显示高品质的图像。
-
公开(公告)号：CN1447153A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03107455.3
申请日：2003-03-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G09G2320/0238 , H01L27/1214 , H01L27/1218
Abstract: 本发明具备在基板上形成的像素电极以及开关元件；在上述开关元件的上方而且上述像素电极的下方形成的层间绝缘膜；形成在该层间绝缘膜上，把上述开关元件与上述像素电极进行电连接，而且在其内部充填由导电性材料构成的充填材料的接触孔，由此，通过消除由形成在基板上的叠层构造物中的接触孔引起的漏光，能够显示高品质的图像。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100401366C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510084291.8
申请日：2005-07-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 山崎康二
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/0248 , G09G2310/0297 , G09G2320/0257
Abstract: 一种电光装置的驱动电路，包括，将从移位寄存器电路依次输出的传送信号和从第1输入端子输入的预充电用选择信号通过逻辑运算向第1路径输出的第1逻辑运算电路；由从第1路径输入的传送信号和从第2输入端子输入的使能信号的逻辑运算而生成采样信号、并且将该生成的采样信号和从第1路径输入的预充电用选择信号向第2路径输出的第2逻辑运算电路；和包含按照预充电用选择信号采样预充电信号而分别供给到数据线的同时、按照采样信号采样图像信号而分别供给到数据线的多个采样开关的采样电路。
-
公开(公告)号：CN1848432A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610072698.3
申请日：2006-04-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 山崎康二
Abstract: 本发明实现液晶等电光装置中的叠层构造、制造工艺的简单化，而且可进行高品质的显示。电光装置具备数据线和扫描线、配置在数据线下层侧的像素开关用TFT、在基板上平面地看配置在包括与像素开关用TFT的沟道区相对的区域的区域并且配置在数据线上层侧的、由固定电位侧电极、电介质膜和像素电位侧电极构成的存储电容。此外，还具备配置在每一个像素内的像素电极和配置在像素所排列成的像素阵列区域的周边的周边区域的周边电路。电介质膜，在基板上平面地看，在位于每一个像素的开口区域的间隙的非开口区域和构成周边电路的、包括与配置在存储电容下层侧的周边电路用TFT的沟道区相对的区域的周边电介质膜区域形成。
-
公开(公告)号：CN1499458A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310103087.7
申请日：2003-10-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 在电光装置中，具备：在基板上在第1方向上延伸的数据线，在与上述数据线进行交叉的第2方向上延伸的扫描线，被配置为与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应的像素电极和薄膜晶体管，电连到上述薄膜晶体管和上述像素电极上的存储电容器，配置在上述数据线和上述像素电极间的屏蔽层，构成上述存储电容器的一对电极的一方，由含有低电阻膜的多层膜构成。
-
公开(公告)号：CN1499274A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310103086.2
申请日：2003-10-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F2001/136218
Abstract: 一种电光装置，该电光装置包括在基板上沿第1方向延伸的数据线；沿与上述数据线交叉的第2方向延伸的扫描线；与上述数据线和上述扫描线的交叉区域对应那样配置的像素电极和薄膜晶体管；与上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的存储电容；以及在上述数据线和上述像素电极之间配置的屏蔽层。并且，在上述屏蔽层中包含氮化膜，该膜沿上述数据线并且比上述数据线更宽地形成。
-
公开(公告)号：CN1495495A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03156847.5
申请日：2003-09-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 山崎康二
IPC: G02F1/136 , H01L21/768 , H01L29/786 , G09F9/35
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2202/42
Abstract: 本发明的目的在于在电光装置中显示没有因为对数据线的通电所导致的像素电极的电位上的变动而产生的沿数据线的显示不均匀等现象的高品质的图像。电光装置，在基板(10)上从下开始按顺序具有TFT(30)、扫描线(3a)、存储电容(70)、数据线(6a)和像素电极(9a)这样的层叠结构。其中位于数据线与像素电极间的第3层间绝缘膜(43)的相对介电常数比构成存储电容的电介质膜(75)的相对介电常数低。此外，优选地，第3层间绝缘膜的相对介电常数比第1和第2层间绝缘膜(41和42)的相对介电常数低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.025 seconds)
