公开(公告)号：CN118315416A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410517402.2

申请日：2024-04-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 张永爱 ,  林俊成 ,  陈超 ,  苏文娟 ,  林坚普 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  郭太良

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种光电共同调控混合隧道结双极型晶体管，涉及半导体领域，双极型晶体管包括：衬底、设置于衬底上的第三N型氮化镓层、设置于衬底上的第二P型氮化镓层和发射极金属接触层、设置于第二P型氮化镓层上的基极金属接触层和第一P型重掺杂氮化镓层、依次设置于第一P型重掺杂氮化镓层上的非故意掺杂氮化镓铟极化层、第二N型重掺杂氮化镓层、第一N型氮化镓层，以及设置于第一N型氮化镓层上的集电极金属接触层。本发明通过设置隧道结，可以增强空穴注入，降低器件电阻，提高器件的响应速度。本发明克服金属有机化学气相沉积法制备的工艺困难，通过分子束外延生长过程中引入氢的缺失，减低制造隧道结器件的工艺难度并提升器件性能。

公开(公告)号：CN116190410A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310222471.6

申请日：2023-03-09

Applicant: 福州大学

Inventor： 张永爱 ,  苏文娟 ,  郭太良 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  严群 ,  孙捷 ,  张恺馨 ,  叶金宇

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种用于光学交互显示的UVPT(BJT)‑LED的集成器件，包括P型氮化镓层、量子阱层、第一N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第三N型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、集电极金属接触层、长余辉材料层和氧化镁增透膜层；所述衬底、缓冲层、第三N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第一N型氮化镓层、从下至上依次设置；所述量子阱层设于第一N型氮化镓层上；所述阳极金属接触设于所述P型氮化镓层之上；所述环形长余辉材料层环绕于阳极金属接触层周围；所述氧化镁增透膜层环绕于所述第一N型氮化镓层之上；所述集电极金属接触层设于缓冲层上。本发明实现具有传感和显示双重功能的显示面板可以提供实时通信，使设备能够感知外部信号并同时显示信息的显示面板。

公开(公告)号：CN118398704A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410517415.X

申请日：2024-04-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 张永爱 ,  陈超 ,  林俊成 ,  苏文娟 ,  林坚普 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  郭太良

IPC: H01L31/153 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开一种金属‑半导体‑金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构，涉及光电显示领域，一种金属‑半导体‑金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构，其特征在于，所述同质集成结构包括：衬底；半导体缓冲外延层；设置于所述半导体缓冲外延层上的第一金属接触层，第二金属接触层；其中，所述第一金属接触层与所述‑第二金属接触层之间设置有用于接收待探测光的开口区；所述第一金属接触层、所述开口区所对应的所述半导体缓冲外延层、所述第二金属接触层构成MSM结构单元；设置于所述半导体缓冲外延层上的LED‑PN结单元；所述LED‑PN结单元包括下层半导体、上层半导体；且所述下层半导体的台阶面上设置有第三金属接触层，所述第二金属接触层与所述第三金属接触层之间设置有第一金属层电连接；所述第一金属层与所述下层半导体之间设置有第一绝缘层；设置于所述LED‑PN结单元的所述上层半导体上的所述第四接触层；其中，所述第一金属接触层、所述开口区所对应的所述半导体缓冲外延层、所述第二金属接触层、所述第一金属层、所述LED‑PN结单元依次相连用于与外界驱动根据所述开口区的受光情况而形成电通路。

公开(公告)号：CN117215084A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311393398.5

申请日：2023-10-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 张永爱 ,  张家振 ,  苏文娟 ,  林坚普 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  严群 ,  孙捷 ,  郭太良

IPC: G02B30/28 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/29

Abstract: 本发明公开了一种基于菲涅尔液晶透镜的2D/3D可切换显示设备，包括：第一基板；第一基板上设置有多个第一电极组，各个第一电极组内包括数量相同的第一环形电极，各个第一环形电极呈同心环排布；第一环形电极的厚度由外侧向内侧逐渐增加，且第一环形电极的两侧分别连接至不同的驱动电压源，驱动电压源用于在第一环形电极的两侧施加不同的电位以使第一环形电极的各个位置产生渐变的第一电位；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上设置有公共面电极；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明可以提高理想菲涅尔透镜形貌的效率，增加可利用的光效，进而提示显示设备的显示效果。

公开(公告)号：CN116072696A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310222313.0

申请日：2023-03-09

Applicant: 福州大学

Inventor： 张永爱 ,  苏文娟 ,  郭太良 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  严群 ,  孙捷 ,  张恺馨 ,  叶金宇

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)‑LED的集成器件，其特征在于，包括第一P型氮化镓层、量子阱层、N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、源极金属接触层、绝缘层、栅极金属接触层；所述N型氮化镓层、第一P型氮化镓层、缓冲层、衬底从上至下依次设置；所述栅极金属接触层嵌设于N型氮化镓层；所述栅极金属接触层一侧设有绝缘层，另一侧设有源极金属接触层；所述绝缘层和有源极金属接触层均设于N型氮化镓层上；所述绝缘层上侧从下至上依次设有量子阱层、第二P型氮化镓层和阳极金属接触层。本发明以绝缘层作为掩膜层，采用选择性生长LED外延层（SEG），简化制备工艺，同时避免ICP干法刻蚀工艺对LED器件表面造成损伤以引起的器件光电性能下降。

公开(公告)号：CN117234006A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311243426.5

申请日：2023-09-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 张永爱 ,  康家欣 ,  苏文娟 ,  林坚普 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  严群 ,  孙捷 ,  郭太良

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明公开了一种防引线区域畸变的液晶透镜，包括：第一基板；第一基板包括引出电极层、绝缘层以及环形电极层；环形电极层设置有若干个环形电极；绝缘层设置于引出电极层与环形电极层之间；引出电极层通过搭桥与环形电极层电连接，引出电极层设置有与各个环形电极进行电连接的引出电极，引出电极用于为环形电极提供相对应的电位；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上设置有公共面电极和与各个引出电极的位置相对应的高阻引线；各个高阻引线的内端部与公共面电极进行电连接，高阻引线的外端部连接于第一供电端上；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明避免引线区域畸变，提高液晶透镜成像的效果。