基于自适应时钟和波纹减少环路的电流反馈仪表放大器

    公开(公告)号:CN117767888A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311784374.2

    申请日:2023-12-23

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 胡炜 吴展鹏

    Abstract: 本发明提出基于自适应时钟和波纹减少环路的电流反馈仪表放大器,所述放大器包括用于抑制波纹的无采样过程的波纹减小环路,波纹减小环路将波纹电压转换为电流并反馈回波纹产生处,对波纹产生进行补偿,以达到减小波纹的效果;所述放大器还包括主体电路和能自适应改变时钟幅度的自适应时钟模块;所述自适应时钟模块通过固定斩波开关管过驱动电压来优化斩波开关噪声,以减低放大器的整体噪声;本发明能解决斩波波纹和等效输入噪声问题。

    应用于RRAM存算架构的多比特量化低延时电压灵敏放大器

    公开(公告)号:CN117691955A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311735082.X

    申请日:2023-12-18

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 胡炜 张航泽

    Abstract: 本发明提供了应用于RRAM存算架构的多比特量化低延时电压灵敏放大器,包括电压采样模块、低位感应模块、低位检测模块以及锁存器;本发明通过引入两个参考电压作为比较基准,在一个量化周期内实现了2‑bit的数字信号输出,减少了传统电压灵敏放大器中参考电压切换和存储中间数据的工作状态,缩短了读取延时。

    一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路

    公开(公告)号:CN103941799A

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201410188462.0

    申请日:2014-05-07

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路。包括一启动单元,所述启动单元经负温度系数电压产生单元和正温度系数电压产生单元连接至求和单元;所述启动单元、负温度系数电压产生单元、正温度系数电压产生单元和求和单元的一端连接VDD,所述启动单元、负温度系数电压产生单元、正温度系数电压产生单元和求和单元的另一端连接GND;所述负温度系数电压产生单元输出负温度系数电压至求和单元;所述正温度系数电压单元输出正温度系数电压至求和单元;所述求和单元对负温度系数电压和正温度系数电压进行求和,并输出基准电压;所述负温度系数电压产生单元还为正温度系数电压产生单元提供偏置电流;所述启动单元为整个电路提供开启功能。本发明设计上实现简单、面积小且功耗低;减小了基准电压的温度系数;并提高了输出电压电源抑制比。

    一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路

    公开(公告)号:CN103809644A

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201410074785.7

    申请日:2014-03-04

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路,包括一启动单元,所述启动单元经正温度系数电压产生单元和负温度系数电压产生单元连接至求和单元;启动单元、正温度系数电压产生单元、负温度系数电压产生单元和求和单元均连接VDD及GND;正温度系数电压产生单元输出正温度系数电压至求和单元;所述负温度系数电压单元输出负温度系数电压至求和单元;所述求和单元对正温度系数电压和负温度系数电压进行求和,并输出基准电压;所述正温度系数电压产生单元还为负温度系数电压产生单元提供偏置电流;所述启动单元为整个电路提供开启功能。本发明设计上实现简单、面积小且功耗低;减小了基准电压的温度系数;并提高了输出电压电源抑制比。

    适用于噪声整形SAR ADC的新型混合嵌套噪声整形架构

    公开(公告)号:CN119675664A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411741452.5

    申请日:2024-11-29

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提出适用于噪声整形SAR ADC的新型混合嵌套噪声整形架构,所述整形架构采用动态工作的闭环共源共栅FIA作为残差放大器,以通过消除放大器的静态电流、去除增益校准电路来降低功耗;整形架构通过相嵌套的二阶CIFF和二阶EF噪声整形环路来执行四阶噪声整形,以在相同过采样率的噪声整形时达到高精度,所述整形架构通过集成采样噪声消除SNC方法来减小采样电容的容值以节省芯片面积;本发明该架构采用闭环共源共栅FIA作为残差放大器、通过CIFF和EF作为噪声整形环路,以解决传统噪声整形SAR ADC难以同时实现高精度和低功耗的问题。此外,还集成了采样噪声消除(sampling KT/C noise cancellation,SNC)技术,以减小采样电容的容值,节省芯片面积。

    高精度动态比较器的测试方法及测试电路

    公开(公告)号:CN102435818A

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201110376227.2

    申请日:2011-11-24

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种高精度动态比较器的测试方法,首先,通过一钟控SR锁存器判断该比较器输出状态,并将判断后的输出信号输入一单位增益放大器;其次,提供一二阶积分器,对所述单位增益放大器输出经过缓冲器后信号的正、负进行正向积分或反向积分后,为所述比较器提供一反馈电压。另外,本发明提供一种实现上述方法的测试电路,本发明只要通过对动态比较器的一次仿真就可以获得输入失调电压,并且测试精度可人为控制,实现了测试的快速性及准确可调性。

    一种高精度电压比较器及其设计方法

    公开(公告)号:CN102394610A

    公开(公告)日:2012-03-28

    申请号:CN201110376226.8

    申请日:2011-11-24

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种高精度电压比较器及其设计方法,其采用四级前置放大器,将前级输入信号进行放大处理后,由后级Latch锁存再生电路通过正反馈将信号放大到后级电路能够识别的幅度;同时各级间采用输入失调存储和输出失调存储级联技术来消除输入失调电压的影响。本发明采用带前置放大器的新型动态锁存比较器充分结合了传统比较器的优点,电路结构简单,速度快,精度高。

    用于流水型逐次逼近ADC的CMOS开关自偏置全差分环形放大器

    公开(公告)号:CN117792389A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311735160.6

    申请日:2023-12-18

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提供了用于流水型逐次逼近ADC的CMOS开关自偏置全差分环形放大器,其由核心放大器结构和电路外围结构所组成;所述核心放大器结构包括:晶体管、CMOS开关;左自动校零电容、右自动校零电容、左自动校零开关以及右自动校零开关;第一级放大器左关断开关、第一级放大器右关断开关、第三级放大器左关断开关和第三级放大器右关断开关;尾电流源MTAIL;电路外围结构包括:前级负载电容后级负载电容、反馈电容以及多个开关;这些开关和电容与核心放大器共同构成开关电容放大器,通过电荷守恒技术将输入的残差电压线性放大,放大倍数为前级负载电容与反馈电容的比值。

    应用于RRAM存内计算的低延时低能耗新型灵敏放大器

    公开(公告)号:CN116760367A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310732032.X

    申请日:2023-06-20

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提供一种应用于RRAM存内计算的低延时低能耗新型灵敏放大器,基于两个锁存器结构,包括同一电路三个工作状态对应的:电流采样模块、电流做差及电压耦合模块和电路输出模块;其中,电流采样模块用于将输入的模拟电流信号和参考电流信号转换为电压信息并耦合至对应的电容中;电流做差及电压耦合模块用于对电流采样模块用采样的信号进行作差并耦合至对应的电容中;电路输出模块用于对电流做差及电压耦合模块的状态经放大和/或逻辑运算后输出;通过控制时序控制信号和/或时序开关切换电路的三个工作状态,实现采用三个相同原理的量化周期,将模拟信号量化成6‑bit数字信号,每个量化周期量化2‑bit数字信号。

    高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路

    公开(公告)号:CN103309391B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201310198308.7

    申请日:2013-05-24

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路,其特征在于:包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5,电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N3的漏极,所述P1的漏极连接所述P1、P2和P3的栅极以及所述N1的漏极,所述N1的源极连接所述N3的源极和所述N4的漏极,所述N4的栅极连接所述N5的栅极和漏极以及所述P2的漏极,所述N2的栅极连接所述N3的栅极和漏极,所述N2、N4和N5的源极连接电源GND,所述P3的漏极作为所述基准电流产生电路的输出端。本发明的电路功耗极低,面积小,电源抑制比高。

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