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公开(公告)号：CN103309391B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310198308.7
申请日：2013-05-24
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N3的漏极，所述P1的漏极连接所述P1、P2和P3的栅极以及所述N1的漏极，所述N1的源极连接所述N3的源极和所述N4的漏极，所述N4的栅极连接所述N5的栅极和漏极以及所述P2的漏极，所述N2的栅极连接所述N3的栅极和漏极，所述N2、N4和N5的源极连接电源GND，所述P3的漏极作为所述基准电流产生电路的输出端。本发明的电路功耗极低，面积小，电源抑制比高。
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公开(公告)号：CN103309391A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310198308.7
申请日：2013-05-24
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N3的漏极，所述P1的漏极连接所述P1、P2和P3的栅极以及所述N1的漏极，所述N1的源极连接所述N3的源极和所述N4的漏极，所述N4的栅极连接所述N5的栅极和漏极以及所述P2的漏极，所述N2的栅极连接所述N3的栅极和漏极，所述N2、N4和N5的源极连接电源GND，所述P3的漏极作为所述基准电流产生电路的输出端。本发明的电路功耗极低，面积小，电源抑制比高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103941799A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410188462.0
申请日：2014-05-07
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路。包括一启动单元，所述启动单元经负温度系数电压产生单元和正温度系数电压产生单元连接至求和单元；所述启动单元、负温度系数电压产生单元、正温度系数电压产生单元和求和单元的一端连接VDD，所述启动单元、负温度系数电压产生单元、正温度系数电压产生单元和求和单元的另一端连接GND；所述负温度系数电压产生单元输出负温度系数电压至求和单元；所述正温度系数电压单元输出正温度系数电压至求和单元；所述求和单元对负温度系数电压和正温度系数电压进行求和，并输出基准电压；所述负温度系数电压产生单元还为正温度系数电压产生单元提供偏置电流；所述启动单元为整个电路提供开启功能。本发明设计上实现简单、面积小且功耗低；减小了基准电压的温度系数；并提高了输出电压电源抑制比。
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公开(公告)号：CN103809644A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410074785.7
申请日：2014-03-04
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路，包括一启动单元，所述启动单元经正温度系数电压产生单元和负温度系数电压产生单元连接至求和单元；启动单元、正温度系数电压产生单元、负温度系数电压产生单元和求和单元均连接VDD及GND；正温度系数电压产生单元输出正温度系数电压至求和单元；所述负温度系数电压单元输出负温度系数电压至求和单元；所述求和单元对正温度系数电压和负温度系数电压进行求和，并输出基准电压；所述正温度系数电压产生单元还为负温度系数电压产生单元提供偏置电流；所述启动单元为整个电路提供开启功能。本发明设计上实现简单、面积小且功耗低；减小了基准电压的温度系数；并提高了输出电压电源抑制比。
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公开(公告)号：CN203260043U
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201320203438.0
申请日：2013-04-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型提供一种超高频RFID的PIE解码与CRC校验同步进行的电路，包括边沿检测脉冲模块、行波计数器、状态机、比较器、CG模块以及CRC模块；边沿检测脉冲模块的输出端分别与行波计数器、状态机以及CG模块的输入端连接，CG模块的输出端与CRC模块的输入端连接；行波计数器的输出端与比较器的输入端连接，比较器的输出端与CRC模块的输入端连接；行波计数器还通过状态机与比较器连接。本实用新型不仅实现了PIE解码过程与CRC校验过程的同步，而且电路结构简单，设计成本低。
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公开(公告)号：CN203350760U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320290976.8
申请日：2013-05-24
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N3的漏极，所述P1的漏极连接所述P1、P2和P3的栅极以及所述N1的漏极，所述N1的源极连接所述N3的源极和所述N4的漏极，所述N4的栅极连接所述N5的栅极和漏极以及所述P2的漏极，所述N2的栅极连接所述N3的栅极和漏极，所述N2、N4和N5的源极连接电源GND，所述P3的漏极作为所述基准电流产生电路的输出端。本实用新型的电路功耗极低，面积小，电源抑制比高。
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公开(公告)号：CN203825520U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420228869.7
申请日：2014-05-07
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本实用新型涉及一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路。包括一启动单元，所述启动单元经负温度系数电压产生单元和正温度系数电压产生单元连接至求和单元；所述启动单元、负温度系数电压产生单元、正温度系数电压产生单元和求和单元的一端连接VDD，所述启动单元、负温度系数电压产生单元、正温度系数电压产生单元和求和单元的另一端连接GND；所述负温度系数电压产生单元还连接至求和单元；所述求和单元还连接有基准电压输出端。本实用新型设计上无需带隙，无需三极管，无需运放，无需电阻，电路实现简单、面积小且功耗低；减小了基准电压的温度系数；本实用新型的正温度系数电压产生单元，其电路具有负反馈，提高了输出电压电源抑制比。
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