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公开(公告)号：CN108258058A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810061249.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合有源层和沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，能有效提高这种金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合薄膜晶体管的电学性能。
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公开(公告)号：CN111952467A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828201.6
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜及发光二极管器件的制备方法。其首先利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过旋涂混合了氧化石墨烯的钙钛矿前驱体溶液，使得在已经形成的ZnO/PEIE薄膜之上形成一层基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光二极管器件。由于这种薄膜通过氧化石墨烯对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，钝化了钙钛矿的表面缺陷，并且在一定程度上阻止其发生相变，从而使得这一类型的发光二极管具有高亮度、高外量子效率的优点。
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公开(公告)号：CN108190959A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810061274.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于熔融碱金属液插入剥离制备单层硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，熔融碱金属（锂、钠、钾）为溶剂，在高纯氩气的保护下，将碱金属离子嵌入到MoS2层之间，通过缓慢加入去离子水超声、离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单、充分利用碱金属嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。
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公开(公告)号：CN111952471B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010828295.7
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/40 , H10K50/115 , H10K50/155
Abstract: 本发明涉及一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，先制备TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液，在ITO玻璃上制备空穴注入层、空穴传输层、以及量子点发光层，随后制备电子传输层和电极，空穴传输层利用TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子激元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，可使量子点发光二极管的性能大大提高。有效的解决了叠层量子点发光二极管开启电压过大以及电流密度较小的缺点。
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公开(公告)号：CN108258059A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810061261.2
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合结构薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合有源层和沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合结构薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，能有效提高这种金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合薄膜晶体管的电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108190960A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810063026.9
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电解液溶剂热插锂剥离制备单层二硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，电解液为溶剂，在高纯氩气的保护下，将电解液中锂离子嵌入到MoS2层之间，通过离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，充分利用锂离子嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。
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公开(公告)号：CN108190960B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810063026.9
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电解液溶剂热插锂剥离制备单层二硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，电解液为溶剂，在高纯氩气的保护下，将电解液中锂离子嵌入到MoS2层之间，通过离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，充分利用锂离子嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。
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公开(公告)号：CN108249428B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810063248.0
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: C01B32/19 , H01M4/587 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于电解液溶剂热插锂剥离制备单层石墨烯的方法。这种单层结构的石墨烯纳米材料，是以石墨为前驱体，以1mol/L的电解液为溶剂，通过溶剂热实现单层石墨烯的制备。本发明主要是利用在高纯氩气的保护下，利用溶剂热法，将LiPF6电解液中锂离子嵌入到石墨层之间，得到嵌锂的单层石墨烯材料，然后再依次通过正己烷、去离子水清洗，通过离心分离等工艺，制备出了高纯度的单层结构的石墨烯纳米材料。本发明以石墨为前驱体，利用溶剂热法制备出的单层石墨烯，制备工艺简单，成本低廉，所制备的纳米材料具有高比表面积、良好的导电性。结构稳定性及电化学循环性能，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN108249428A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810063248.0
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: C01B32/19 , H01M4/587 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于电解液溶剂热插锂剥离制备单层石墨烯的方法。这种单层结构的石墨烯纳米材料，是以石墨为前驱体，以1mol/L的电解液为溶剂，通过溶剂热实现单层石墨烯的制备。本发明主要是利用在高纯氩气的保护下，利用溶剂热法，将LiPF6电解液中锂离子嵌入到石墨层之间，得到嵌锂的单层石墨烯材料，然后再依次通过正己烷、去离子水清洗，通过离心分离等工艺，制备出了高纯度的单层结构的石墨烯纳米材料。本发明以石墨为前驱体，利用溶剂热法制备出的单层石墨烯，制备工艺简单，成本低廉，所制备的纳米材料具有高比表面积、良好的导电性。结构稳定性及电化学循环性能，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN111952467B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010828201.6
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜及发光二极管器件的制备方法。其首先利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过旋涂混合了氧化石墨烯的钙钛矿前驱体溶液，使得在已经形成的ZnO/PEIE薄膜之上形成一层基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光二极管器件。由于这种薄膜通过氧化石墨烯对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，钝化了钙钛矿的表面缺陷，并且在一定程度上阻止其发生相变，从而使得这一类型的发光二极管具有高亮度、高外量子效率的优点。
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