公开(公告)号：CN108258059A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810061261.2

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  林诗敏 ,  张玉飞 ,  黄建华 ,  叶芸 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  张思雨

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种基于金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合结构薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合有源层和沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合结构薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，能有效提高这种金/SiO2壳核微结构与半导体量子点复合薄膜晶体管的电学性能。