-
公开(公告)号：CN119685939A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510005880.X
申请日：2025-01-03
Applicant: 福州大学 , 福建晶安光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种局部缺陷氮化镓成品单晶的修复方法，属于氮化镓单晶衬底制作领域。利用氮化镓成品单晶材料局部缺陷区域相对正常区域内具有的局域能量致使腐蚀所需的自由能降低的原理，对有缺陷的区域采用化学药剂或高温气氛对缺陷处进行定向腐蚀处理，重新投入氢化物气相外延（HVPE）设备回炉外延0‑100μm，将被腐区域重新愈合，再经磨抛后修复有缺陷的区域，制成成品单晶。通过本方法只需生长0‑100μm修复缺陷单晶表面，相对重新生长700μm厚度制备成品单晶而言，可大幅缩短成本，提升产品良率。
-
公开(公告)号：CN119592818A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411981089.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 福州大学 , 福建晶安光电有限公司
Abstract: 本发明涉及一种利用高温及反应气体实现金属镓回收的分解装备，包括具有气体入口和气体出口的反应腔和设置在反应腔内具有反应气体入端和反应气体出端的多晶分解箱体，所述多晶分解箱的外周设有加热器，所述多晶分解箱体内设有用于盛装氮化镓多晶或金属镓的坩埚，在多晶分解箱体的反应气体入端和反应气体出端上设有用于阻断金属镓外散的渗透毡层。本发明实现多晶分解箱体内气氛均匀性，以及在高温下，在坩埚中分解完形成的液态金属镓无法从渗透毡层反向流出，可被收集在多晶分解箱内；本发明有效地解决了高温下氮化镓多晶分解后，金属镓会随着气流四处流动，降温后在腔体随意粘附，无法实现收集的行业技术难题。
-
公开(公告)号：CN118588740A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410792974.1
申请日：2024-06-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种利用RESURF技术实现的高耐压增强型氧化镓横向场效应晶体管，N型氧化镓外延层（2）的部分区域通过刻蚀形成沟槽，第一P型氧化镍层（3）设置于沟槽中；第二P型氧化镍层（7）位于N型氧化镓外延层（2）上方且与源极金属场板层（13）短接；栅极金属场板层（12）由栅极金属层8延伸而出，覆盖部分第二介质层（9），以构成栅极金属场板结构；第一介质层（6）覆盖在N型氧化镓外延层（2）和第一P型氧化镍层（3）及第二P型氧化镍层（7）上表面，第二介质层（9）覆盖在第一介质层（6）上表面，组成复合介质层。
-
公开(公告)号：CN118173617A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410294149.9
申请日：2024-03-14
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/40 , C23C14/24 , C23C14/34
Abstract: 本发明提出降低表面场技术实现的耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管，包括自下而上设置的衬底（1）、N型氧化镓外延层（2）、P型氧化镍层（3）、第一介质层（4）、第二介质层（5）；第二介质层旁设有带阳极阶梯场板层的阳极（6）、带阴极场板层的阴极（7）；阴极下方为高掺杂N型氧化镓区域（8）；P型氧化镍层与阳极短接以增大P‑NiO/N‑Ga2O3结间电势差，促进结间的相互耗尽以均衡电场，提高N‑Ga2O3载流子浓度；所述阴极、阳极的金属延伸形成双金属场板，并在阳极侧刻蚀不同宽度的第一介质层与第二介质层形成阳极阶梯场板层以抑制阴、阳极两侧的N型氧化镓外延层表面电场峰值；本发明可以凭借更低的导通电阻，承受更高的反向击穿电压。
-
公开(公告)号：CN117651424A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311761378.9
申请日：2023-12-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种自旋轨道矩‑磁性随机存储器，包括自下而上依次设置的自旋轨道矩材料层、选通器和基于合成铁磁体自由层的磁性隧道结，所述磁性隧道结包括自下而上依次设置的合成铁磁体自由层、非磁性势垒层和固定层，所述合成铁磁体自由层包括自下而上依次设置的第二磁性层、非磁性间隔层和第一磁性层。该自旋轨道矩‑磁性随机存储器可以实现低功耗、高速及高密度存储。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117166142A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311126051.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 福州大学
IPC: D04H1/728 , D04H1/4318 , D01F1/10 , D01F6/48 , D04H1/4382 , D01D5/00
Abstract: 本发明提供一种BNQDs/P（VDF‑TrFE）纳米纤维膜及其制备方法。所述的纳米纤维膜由氮化硼量子点（BNQDs）和聚（偏氟乙烯‑三氟乙烯）（P（VDF‑TrFE））构成。制备方法包括采用超声辅助液相剥离法和溶剂热法合成了尺寸可控的BNQDs；利用静电纺丝技术将具有大量陷阱态的BNQDs引入到P（VDF‑TrFE）纳米纤维膜中。该发明中，BNQDs的加入使复合材料纳米纤维膜的杨氏模量相比原复合材料提高了160.0%，拉伸性能提高了120%。这主要是由于BNQDs中大量的陷阱态使得其光响应性提高了847.8%。所制备的BNQDs/P（VDF‑TrFE）纳米纤维膜可用于制造先进的可伸缩光电子器件。
-
公开(公告)号：CN119907249A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510389642.3
申请日：2025-03-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种利用双层P型氧化镍实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管及其制备方法，包括衬底、N型氧化镓外延层、第一P型氧化镍层、第二P型氧化镍层、介质层、N型氧化镓重掺杂区、阴极金属层、阳极金属层。第一P型氧化镍层与N型氧化镓外延层形成PN结，通过纵向耗尽辅助横向耗尽，提高耐压的同时，外延层载流子浓度能适当增大，使导通电阻降低。第二P型氧化镍层与阳极金属层短接，一方面增大整体P型氧化镍与N型氧化镓的电势差，增强纵向耗尽的辅助作用，均衡表面电场；另一方面，第二P型氧化镍层的空穴浓度高于第一P型氧化镍层，更利于缓解阳极边缘电场集中。因此，该器件可以实现更低的导通电阻，承受更高的反向击穿电压。
-
公开(公告)号：CN119208358A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411324313.2
申请日：2024-09-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明提出场限环终端结构下的高压氧化镓肖特基二极管，包括自下而上顺序层叠设置的阴极金属层（1）、高掺杂N型氧化镓衬底（2）、低掺杂N型氧化镓外延层（3）、阳极金属层（4）；所述阳极金属层与低掺杂N型氧化镓外延层顶部处的主结（5）相接；低掺杂N型氧化镓外延层顶部处还设有若干个场限环（6）；本发明简化了工艺步骤，使其能够有效地工业生产，本发明的器件设计缓解了终端区的电场拥挤现象，改善电场分布，进一步提高了氧化镓SBD器件的耐压性能和器件的可靠性。在该结构下，器件的击穿电压得到了大幅提升且只略微提高特征导通电阻，最终实现了高的PFOM值。
-
-
公开(公告)号：CN118712240A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410962198.5
申请日：2024-07-18
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/34 , H01L29/40 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供一种利用阻性场板技术实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管，通过介质层隔离阻性场板层与N型氧化镓外延层，以确保电流不从半导体经阻性场板层流向阳极，使得阻性场板上的电流是均匀的；基于阻性场板层的高电阻率，使得当耐压区反向耐压时，阻性场板中流过微弱的电流，在电流的路径上产生均匀的电势分布，以对半导体中的表面电场分布起到调制作用，使得表面电场呈均匀分布，以提高反向击穿电压。阻性场板层的制备方法为：通过磁控溅射技术沉积氧化镍薄膜，对磁控溅射中包括射频功率、射频温度、射频氩氧比以及射频气压的参数进行调控，以实现电阻率均匀的高阻氧化镍薄膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.024 seconds)
