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公开(公告)号：CN118712240A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410962198.5
申请日：2024-07-18
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/34 , H01L29/40 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供一种利用阻性场板技术实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管，通过介质层隔离阻性场板层与N型氧化镓外延层，以确保电流不从半导体经阻性场板层流向阳极，使得阻性场板上的电流是均匀的；基于阻性场板层的高电阻率，使得当耐压区反向耐压时，阻性场板中流过微弱的电流，在电流的路径上产生均匀的电势分布，以对半导体中的表面电场分布起到调制作用，使得表面电场呈均匀分布，以提高反向击穿电压。阻性场板层的制备方法为：通过磁控溅射技术沉积氧化镍薄膜，对磁控溅射中包括射频功率、射频温度、射频氩氧比以及射频气压的参数进行调控，以实现电阻率均匀的高阻氧化镍薄膜。
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