公开(公告)号：CN118173617A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410294149.9

申请日：2024-03-14

Applicant: 福州大学

Inventor： 张海忠 ,  叶树瑞 ,  许晓锐

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/40 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提出降低表面场技术实现的耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管，包括自下而上设置的衬底（1）、N型氧化镓外延层（2）、P型氧化镍层（3）、第一介质层（4）、第二介质层（5）；第二介质层旁设有带阳极阶梯场板层的阳极（6）、带阴极场板层的阴极（7）；阴极下方为高掺杂N型氧化镓区域（8）；P型氧化镍层与阳极短接以增大P‑NiO/N‑Ga2O3结间电势差，促进结间的相互耗尽以均衡电场，提高N‑Ga2O3载流子浓度；所述阴极、阳极的金属延伸形成双金属场板，并在阳极侧刻蚀不同宽度的第一介质层与第二介质层形成阳极阶梯场板层以抑制阴、阳极两侧的N型氧化镓外延层表面电场峰值；本发明可以凭借更低的导通电阻，承受更高的反向击穿电压。

公开(公告)号：CN119907249A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510389642.3

申请日：2025-03-31

Applicant: 福州大学

Inventor： 张海忠 ,  叶郑洁 ,  许晓锐 ,  叶树瑞

IPC: H10D8/60 ,  H10D8/01 ,  H10D62/80

Abstract: 本发明提供了一种利用双层P型氧化镍实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管及其制备方法，包括衬底、N型氧化镓外延层、第一P型氧化镍层、第二P型氧化镍层、介质层、N型氧化镓重掺杂区、阴极金属层、阳极金属层。第一P型氧化镍层与N型氧化镓外延层形成PN结，通过纵向耗尽辅助横向耗尽，提高耐压的同时，外延层载流子浓度能适当增大，使导通电阻降低。第二P型氧化镍层与阳极金属层短接，一方面增大整体P型氧化镍与N型氧化镓的电势差，增强纵向耗尽的辅助作用，均衡表面电场；另一方面，第二P型氧化镍层的空穴浓度高于第一P型氧化镍层，更利于缓解阳极边缘电场集中。因此，该器件可以实现更低的导通电阻，承受更高的反向击穿电压。