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发明公开
利用RESURF技术实现的高耐压增强型氧化镓横向场效应晶体管审中-实审

公开(公告)号：CN118588740A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410792974.1

申请日：2024-06-19

Applicant: 福州大学

Inventor： 王星辉 , 龚金锋 , 张海忠 , 许晓锐

IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种利用RESURF技术实现的高耐压增强型氧化镓横向场效应晶体管，N型氧化镓外延层（2）的部分区域通过刻蚀形成沟槽，第一P型氧化镍层（3）设置于沟槽中；第二P型氧化镍层（7）位于N型氧化镓外延层（2）上方且与源极金属场板层（13）短接；栅极金属场板层（12）由栅极金属层8延伸而出，覆盖部分第二介质层（9），以构成栅极金属场板结构；第一介质层（6）覆盖在N型氧化镓外延层（2）和第一P型氧化镍层（3）及第二P型氧化镍层（7）上表面，第二介质层（9）覆盖在第一介质层（6）上表面，组成复合介质层。

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