-
公开(公告)号：CN115332238B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210965384.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种超高分辨率Micro‑LED显示器件及其金属薄膜键合方法，Micro‑LED显示器件的驱动背板和Micro‑LED芯片阵列采用金属薄膜键合方法进行互联，所述Micro‑LED芯片阵列采用高阻GaN作为隔断和刻蚀保护层；所述Micro‑LED显示器件1个像素对应N个Micro‑LED发光阵列或Nano‑LED发光阵列，N大于或等于1。应用本技术方案可实现简化制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117334715A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311393430.X
申请日：2023-10-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种超高分辨率Micro‑LED显示阵列的制备方法。包括：依次在衬底上生长N‑GaN层、多量子阱层、P型GaN层、ITO透明电极；采用电子束光刻、变参量光刻或纳米压印等方法在ITO透明电极表面制备光刻胶阵列；继续利用电镀工艺制备焊料金属阵列；然后沉积离子注入保护层并进行图案化形成离子注入保护层阵列；最后采用离子注入工艺实现电学隔离效果以形成最后的超高分辨率Micro‑LED显示像元。本发明提供了一种只需要一步光刻便可实现超高分辨率Micro‑LED显示像元的制备方法，简化了制备工艺流程，可以避免复杂光刻对位及套刻工艺中积累的误差，并且利用离子注入来实现像素隔离，可以降低刻蚀工艺中会产生的边缘效应和尺寸效应，极大程度上实现器件发光单元之间的电学隔离。
-
公开(公告)号：CN112782944A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110106865.6
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED光刻工艺，包括以下步骤：步骤S101、在阵列基板受光面涂覆光刻胶；步骤S102、调整掩膜版，使所述掩膜版上的每个透光区的中心在所述阵列基板上的投影位于与该透光区相对应的所述显示像素的中心；其中，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离为第一距离；步骤S103、以四组光源通过掩膜版透光区对光刻胶曝光，每组光源对应一组相同颜色的所述子像素结构，每组所述光源的光照强度和光照时间使与不同颜色子像素结构对应的光刻胶部位所受光照存在差异；步骤S104、对阵列基板上的光刻胶溶解；步骤S105、烘干阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成深度不同的储液槽；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。
-
公开(公告)号：CN116190410A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310222471.6
申请日：2023-03-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于光学交互显示的UVPT(BJT)‑LED的集成器件，包括P型氮化镓层、量子阱层、第一N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第三N型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、集电极金属接触层、长余辉材料层和氧化镁增透膜层；所述衬底、缓冲层、第三N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第一N型氮化镓层、从下至上依次设置；所述量子阱层设于第一N型氮化镓层上；所述阳极金属接触设于所述P型氮化镓层之上；所述环形长余辉材料层环绕于阳极金属接触层周围；所述氧化镁增透膜层环绕于所述第一N型氮化镓层之上；所述集电极金属接触层设于缓冲层上。本发明实现具有传感和显示双重功能的显示面板可以提供实时通信，使设备能够感知外部信号并同时显示信息的显示面板。
-
公开(公告)号：CN116072696A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310222313.0
申请日：2023-03-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)‑LED的集成器件，其特征在于，包括第一P型氮化镓层、量子阱层、N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、源极金属接触层、绝缘层、栅极金属接触层；所述N型氮化镓层、第一P型氮化镓层、缓冲层、衬底从上至下依次设置；所述栅极金属接触层嵌设于N型氮化镓层；所述栅极金属接触层一侧设有绝缘层，另一侧设有源极金属接触层；所述绝缘层和有源极金属接触层均设于N型氮化镓层上；所述绝缘层上侧从下至上依次设有量子阱层、第二P型氮化镓层和阳极金属接触层。本发明以绝缘层作为掩膜层，采用选择性生长LED外延层（SEG），简化制备工艺，同时避免ICP干法刻蚀工艺对LED器件表面造成损伤以引起的器件光电性能下降。
-
公开(公告)号：CN115332238A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210965384.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种超高分辨率Micro‑LED显示器件及其金属薄膜键合方法，Micro‑LED显示器件的驱动背板和Micro‑LED芯片阵列采用金属薄膜键合方法进行互联，所述Micro‑LED芯片阵列采用高阻GaN作为隔断和刻蚀保护层；所述Micro‑LED显示器件1个像素对应N个Micro‑LED发光阵列或Nano‑LED发光阵列，N大于或等于1。应用本技术方案可实现简化制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.019 seconds)
