全透明薄膜晶体管器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN115274833A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210928806.1

    申请日:2022-08-03

    Abstract: 本发明提供了全透明薄膜晶体管器件及其制备方法,涉及电子器件技术领域,该薄膜晶体管自下而上包括衬底、栅极、栅绝缘层、金属氧化物半导体有源层、三明治结构源漏电极,其中三明治结构源电极自下而上依次是第一层金属氧化物半导体源电极、第二层金属源电极、第三层金属氧化物半导体源电极;同时,三明治结构漏电极自下而上依次是第一层金属氧化物半导体漏电极、第二层金属漏电极、第三层金属氧化物半导体漏电极,其中金属氧化物半导体与有源层所用材料相同;本发明中源漏电极具有较低的电阻率并且与有源层的接触特性更好,有利于载流子的传输,从而提升了薄膜晶体管器件的电学性能,并且所制备的器件具有较好的透明度,可用于全透明显示。

    一种基于流水线结构的并行放大量化ADC

    公开(公告)号:CN119298912A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411828656.2

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明属于数字模拟混合集成电路领域,具体涉及一种基于流水线结构的并行放大量化ADC。本发明采用闭环级间放大器作为级间放大器,级间放大器相应的次级量化子ADC采用并行放大量化子ADC,构成整个流水线ADC的架构,其次级量化时序以并行放大量化子ADC中的CTADC执行低功耗、低精度的量化任务,而高精度的量化任务由DTADC完成。本发明中次级量化时序改变了通常在级间放大器完全建立后的离散时间量化,增加一部分的连续时间量化,让放大和量化并行进行,大大提高了速度,兼顾功耗和精度;并且本发明还可以级联f级的级间放大器和次级并行放大量化子ADC,构成f+2级的流水线结构,以达成更高的性能诉求。

    基于加权模糊函数模板的信号多普勒容限及副瓣优化方法

    公开(公告)号:CN117518093A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311474739.1

    申请日:2023-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种基于加权模糊函数模板的信号多普勒容限及副瓣优化方法,包括根据连续信号二维模糊函数和雷达发射信号确定离散模糊函数;根据其对不同多普勒频移的信号匹配滤波得到有多普勒频移的匹配滤波结果并得到主瓣和副瓣位置;对有多普勒频移情况,基于主瓣、旁瓣位置分别建立针对多普勒容限优化的代价函数和针对多普勒容限和副瓣联合优化的加权代价函数;根据信号特性需求设置加权代价函数的权重系数得到目标代价函数,利用仿真参数更新迭代求解得到优化结果。本发明可在提高信号多普勒容限的同时降低信号副瓣,大幅提高随机噪声信号实用性;同时可根据信号特性需求设置权重系数,调整信号多普勒容限和副瓣的优化比重,具有较强的灵活性。

    一种基于流水线结构的并行放大量化ADC

    公开(公告)号:CN119298912B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411828656.2

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明属于数字模拟混合集成电路领域,具体涉及一种基于流水线结构的并行放大量化ADC。本发明采用闭环级间放大器作为级间放大器,级间放大器相应的次级量化子ADC采用并行放大量化子ADC,构成整个流水线ADC的架构,其次级量化时序以并行放大量化子ADC中的CTADC执行低功耗、低精度的量化任务,而高精度的量化任务由DTADC完成。本发明中次级量化时序改变了通常在级间放大器完全建立后的离散时间量化,增加一部分的连续时间量化,让放大和量化并行进行,大大提高了速度,兼顾功耗和精度;并且本发明还可以级联f级的级间放大器和次级并行放大量化子ADC,构成f+2级的流水线结构,以达成更高的性能诉求。

    一种基于多位量化流水线结构和电容校正的ADC

    公开(公告)号:CN119341561A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411325468.8

    申请日:2024-09-23

    Abstract: 本发明属于数字模拟混合集成电路领域,具体涉及一种基于多位量化流水线结构和电容校正的ADC。本发明采用第一级2bit/cycle‑ADC、级间放大器以及第二级分裂式ADC的多位量化流水线架构,并加入低硬件开销的后台校正算法来校正电容失配;在第一级ADC中,加入了分组混洗结构实现了在直流输入信号情况下的校正可行性,同时在组间加入交换电容实现了两组电容的校正统一。在量化结束后在两个电容DAC阵列100和101之间加入dither,实现对后级电容权重的校正。本发明在保证校正精度的同时,校正了增益误差,省却了流水线ADC中校正级间增益误差的硬件开销,降低了传统校正方式的电路冗余程度。

    双方向入光双偏压工作的有机光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN116437673A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310476576.4

    申请日:2023-04-27

    Abstract: 本发明公开了一种双方向入光双偏压工作的有机光电探测器及制备方法,归属于有机半导体薄膜光电探测器领域。探测器包括衬底、四层堆叠结构,四层堆叠结构从下至上依次包括ITO阴极、电子传输层、光活性层、ITO阳极,器件结构中没有空穴传输层,有机光电探测器在顶层入光和底层入光时都能够对光电流进行探测,ITO阴极和ITO阳极材料相同、功函数相同,在正向偏置时也能对暗电流进行抑制、对光电流进行探测,因此能够同时在正向偏压和反向偏压下实现对入射光信号的放大和探测。本发明器件结构简单,光活性层选择了PBDB‑T给体和ITIC‑Th受体的体异质结结构,材料的响应波段宽,体异质结结构响应速度快,探测效率高。

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