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公开(公告)号:CN119744066A
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202411854417.4
申请日:2024-12-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于背面滤光结构的三窄波有机光电探测器和制备方法,属于有机光电探测器技术领域。该有机光电探测器在入射基底外侧制备有机滤光层,通过选择匹配于光敏层响应波段的滤光层材料,并调节滤光层的组分、配比及膜厚,可以实现对特定波段的三窄波探测。本发明设计的三窄波有机光电探测器在紫外340nm、绿光540nm、红光760nm三个波段处同时具有选择性响应,各波段对应的EQE分别可达5%、20%、15%,FWHM分别约为60nm、40nm、40nm,该三窄波光电探测器经验证可应用于加密光通信、特征目标识别等领域,且本发明器件结构简单,制备工艺简便。
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公开(公告)号:CN115377290B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202210869601.0
申请日:2022-07-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有短波红外响应的宽光谱有机光电探测器,属于有机光电探测器技术领域。该光电探测器创新性地采用新型光敏层材料,实现了从0.3μm到1.4μm的宽光谱响应,且在短波红外波段的比探测率可达1012Jones;同时,器件的结构和制备工艺简单,工作电压小,可应用于大面积器件,成本低,应用范围广。
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公开(公告)号:CN117659054A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202410073739.9
申请日:2024-01-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: C07D519/00 , G01D5/26 , H10K30/30 , H10K85/60
Abstract: 本发明的目的在于提供一种多臂有机光电小分子及其制备方法和应用,属于有机光电材料技术领域。该有机光电小分子以芘稠合的[1,2,5]噻二唑[3,4‑g]喹喔啉为中心,以二噻吩并环芴二烯为连接,以2‑(2‑亚甲基‑3‑氧代‑2,3‑二氢‑1H‑茚‑1‑亚基)丙二腈衍生物为末端,形成类似于二聚体结构的多臂小分子。本发明所制备的多臂有机光电小分子化合物薄膜带隙≤0.93eV,吸收光谱范围超过1.3μm;且化合物具有三维立体结构,有能够效抑制分子的过度聚集,同时形成臂间有效堆积,使得在常规有机溶剂中具有良好的溶解性,进而可以通过溶液法制备高质量的薄膜。以该有机光电小分子为受体,以PCE10为给体,实现该有机光电小分子在本体异质结型有机光探测器件中良好地应用。
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公开(公告)号:CN115286644B
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202210966370.5
申请日:2022-08-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: C07D519/00 , H10K85/60 , H10K30/60
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有[1,2,5]噻二唑[3,4‑g]喹喔啉结构的有机光电小分子及其制备方法和应用,属于有机光电材料技术领域。该有机光电小分子以强缺电子特征的醌式单元[1,2,5]噻二唑[3,4‑g]喹喔啉为中心,以环戊二噻吩结构单元为连接,以2‑(2‑亚甲基‑3‑氧代‑2,3‑二氢‑1H‑茚‑1‑亚基)丙二腈为末端构成。该有机光电小分子吸收光谱范围超过1.4μm,同时具有良好的平面性,且可以形成良好的共轭,具有高结晶性。
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公开(公告)号:CN116397195A
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202310476452.6
申请日:2023-04-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及透明导电薄膜技术领域,具体涉及一种低温磁控溅射ITO透明导电薄膜及制备方法。本发明的制备的ITO透明导电薄膜包含In、O、Sn三种元素,薄膜厚度为80‑100nm,薄膜成分为In2O3和SnO2的微晶结构,薄膜中In2O3摩尔含量为85%‑95%,SnO2摩尔含量为5%‑15%,制备ITO薄膜的工艺温度低于100℃,而且可以室温溅射;通过本发明制备的ITO薄膜具有光滑的表面,其表面均方根粗糙度小于5nm,兼顾了高透过率和低电阻率;依据本发明方法制备的ITO薄膜材料及其制备工艺方法与有机材料、柔性衬底兼容,适用于与CMOS电路互联集成的高性能有机光电器件的工艺体系。
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公开(公告)号:CN115286644A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210966370.5
申请日:2022-08-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: C07D519/00 , H01L51/46
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有[1,2,5]噻二唑[3,4‑g]喹喔啉结构的有机光电小分子及其制备方法和应用,属于有机光电材料技术领域。该有机光电小分子以强缺电子特征的醌式单元[1,2,5]噻二唑[3,4‑g]喹喔啉为中心,以环戊二噻吩结构单元为连接,以2‑(2‑亚甲基‑3‑氧代‑2,3‑二氢‑1H‑茚‑1‑亚基)丙二腈为末端构成。该有机光电小分子吸收光谱范围超过1.4μm,同时具有良好的平面性,且可以形成良好的共轭,具有高结晶性。
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公开(公告)号:CN114195801A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202111482921.2
申请日:2021-12-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: C07D495/04 , C07D495/14 , C07F7/08 , C07D333/38 , C07D417/14 , C07D333/60 , C07D333/78 , H01L51/46
Abstract: 本发明属于有机光电材料领域,具体涉及一种基于3‑烷氧基‑4‑氰基噻吩的近红外有机光电分子材料及其制备方法和应用。本发明将3‑烷氧基‑4‑氰基噻吩结构用于构筑近红外有机光电受体分子,其中烷氧基与中心单元部分形成强给电子共轭效应,氰基与末端单元形成强拉电子共轭效应,能够同时提升前者的给电子能力与后者的受电子能力。烷氧基与氰基用于修饰分子骨架结构,可以有效提升分子的介电常数,有利于光电过程中激子的解离,提高自由电荷的产生效率。且易溶于常见有机溶剂,以利于溶液旋涂法制备高质量薄膜。所制备的有机光电分子薄膜吸收光谱范围超过1.2μm,应用于有机光电探测器件,表现出优异的性能。
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公开(公告)号:CN113035937A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN202110271092.7
申请日:2021-03-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种高侧功率管的ESD保护结构,包括P型深阱,N型深阱,P型阱区,N型阱区,P型接触区,N型接触区,N型漂移区,N型埋层、P型衬底、栅氧化层,第一氧化层和多晶硅栅;本发明在基本不增加器件面积的情况下,通过在高侧管隔离环结构中增加P型接触区从而与隔离环N型区域以及隔离环内LDMOS源极结构一同形成晶闸管结构,该晶闸管结构能有效地实现隔离环内LDMOS器件的ESD自防护,另外本发明还通过在隔离环外增加N型接触区从而形成NPN结构,可有效地实现隔离环对地的ESD保护。
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公开(公告)号:CN118139505A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410170519.8
申请日:2024-02-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开的基于界面层能级和陷阱调控降低OPD双向暗电流的方法,属于有机半导体薄膜光电探测器技术领域,OPD的阳极界面层为有机‑金属阳极中间层,将15mg/ml的醋酸金属盐溶液与0.3wt%的PEIE溶液按照1:(0.3~20)的体积比混合,覆于导电阳极表面,经100~200℃的热退火处理后制得;醋酸金属盐溶液的金属离子为Fe、Cu、Ni或Co。本发明通过在PEIE中加入醋酸金属盐溶液制得能级可调和富有陷阱的有机‑金属阳极中间层,在改善导电阳极表面的界面接触特性,抑制PEIE与光活性层之间化学反应的同时,具有优异的载流子阻挡能力,显著降低OPD的双向偏置暗电流,实现双模OPD。
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公开(公告)号:CN115641613A
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202211372036.3
申请日:2022-11-03
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司电子科学研究院
IPC: G06V40/10 , G06V10/762 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/084 , G06N3/09
Abstract: 本发明涉及一种基于聚类和多尺度学习的无监督跨域行人重识别方法,包括:构建相同的两个原始卷积神经网络,对两个原始卷积神经网络分别采用不同的初始化参数利用源域训练集进行预训练,得到预训练完成的两个预训练学生模型,并分别复制得到两个预训练教师模型;构建图片特征记忆库;利用目标域训练集对两个预训练学生模型和两个预训练教师模型进行多轮目标域交互监督学习,直至达到得到预设的学习终止条件,得到跨域学习完成的两个学生模型和两个教师模型;利用跨域学习完成的任一个模型对目标域查询样本进行识别,找到目标域底库图片集中具有相同标签的图片,完成行人重识别。本发明的方法提高了无监督跨域行人重识别的识别精度。
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