公开(公告)号：CN108475679A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680074925.8

申请日：2016-11-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 赛门·罗芙尔 ,  阿宾德·库马尔 ,  崔斯坦·马 ,  沈圭河 ,  约翰·哈塔拉 ,  丝特芬·舍曼

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/10826 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28167 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/42368

Abstract: 本文中提供用于形成动态随机存取存储器元件的栅极氧化物层的方法，所述方法包括：提供带鳍片基底，带鳍片基底中形成有凹槽；以及向凹槽的侧壁表面中执行离子植入，以形成具有非均匀厚度的栅极氧化物层，其中栅极氧化物层在侧壁表面的顶部区段处的厚度大于栅极氧化物层在侧壁表面的底部区段处的厚度。在某些方法中，将离子植入设置成以随着离子植入能量和/或离子剂量而变化的多个不同的植入角度进行的一系列离子植入，从而增大侧壁表面的顶部区段的栅极氧化物的厚度。在某些方法中，在离子植入期间或在离子植入之后也将带鳍片基底暴露至等离子体。