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公开(公告)号：CN105684139A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480050762.0
申请日：2014-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15
CPC classification number: H01L21/6833
Abstract: 揭示一种用于在高温下植入离子的静电卡盘。此静电卡盘包括绝缘基底，其上配置了导电电极。介电顶层配置于电极上。阻隔层配置于介电顶层上，使其位于介电顶层和工作件之间。此阻隔层用来阻止粒子从介电顶层迁移至夹在卡盘上的工作件。在一些实施例中，阻隔层上施加保护层以避免磨损。
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公开(公告)号：CN104335320B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201380026069.5
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/0225 , H01J2237/2007
Abstract: 一种离子植入器包括：压板，具有夹持表面，夹持表面经配置以支撑用于离子处理的晶圆，压板还具有在夹持表面下的至少一对电极；夹持电源，经配置以提供交流信号及代表交流信号的感测信号的，交流信号被提供至至少一对电极；以及控制器。当无晶圆被夹至夹持表面时，控制器经配置以接收来自夹持电源的感测信号。控制器进一步经配置以监控感测信号，并判断感测信号是否代表夹持表面上的沉积物超过预定的沉积物临界。
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公开(公告)号：CN104335320A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380026069.5
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/0225 , H01J2237/2007
Abstract: 一种离子植入器包括：压板，具有夹持表面，夹持表面经配置以支撑用于离子处理的晶圆，压板还具有在夹持表面下的至少一对电极；夹持电源，经配置以提供交流信号及代表交流信号的感测信号的，交流信号被提供至至少一对电极；以及控制器。当无晶圆被夹至夹持表面时，控制器经配置以接收来自夹持电源的感测信号。控制器进一步经配置以监控感测信号，并判断感测信号是否代表夹持表面上的沉积物超过预定的沉积物临界。
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公开(公告)号：CN105684139B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201480050762.0
申请日：2014-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15
Abstract: 本发明揭示一种用于在高温下植入离子的静电卡盘。此静电卡盘包括绝缘基底，其上配置了导电电极。介电顶层配置于电极上。阻隔层配置于介电顶层上，使其位于介电顶层和工作件之间。此阻隔层用来阻止粒子从介电顶层迁移至夹在卡盘上的工作件。在一些实施例中，阻隔层上施加保护层以避免磨损。通过阻隔层阻止金属粒子从介电顶层迁移到工作件，从而维持工作件的完整性，提高工作件的良率。
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