公开(公告)号：CN107924838B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201680046221.X

申请日：2016-07-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 梁树荣 ,  科斯特尔·拜洛 ,  葛兰·F·R·吉尔克里斯特 ,  维克拉姆·辛 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  理查德·赫尔特 ,  艾立克斯恩德·刚特司 ,  皮耶罗·斯佛拉佐 ,  陈宗良

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02

Abstract: 一种处理衬底的装置、处理衬底的系统以及蚀刻衬底的方法。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。本发明的处理衬底的装置提供较高产出率工艺的能力。

公开(公告)号：CN107924838A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680046221.X

申请日：2016-07-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 梁树荣 ,  科斯特尔·拜洛 ,  葛兰·F·R·吉尔克里斯特 ,  维克拉姆·辛 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  理查德·赫尔特 ,  艾立克斯恩德·刚特司 ,  皮耶罗·斯佛拉佐 ,  陈宗良

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02

CPC classification number: H05H1/24 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/327 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 一种处理衬底的装置。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。