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公开(公告)号：CN101536149A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780034015.8
申请日：2007-07-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67213 , H01L21/26593 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 一种低温离子布植技术。在一特定较佳实施例中，所述技术可表现为低温离子布植装置。该装置可包含预冷站。预冷站靠近离子布植机中的终端站。该装置也可包含位于预冷站内的冷却机构。该装置可更包括与预冷站和终端站相连接的装载组件。所述装置可另包括控制器。控制器与装载组件及冷却机构通信，藉以将晶圆载入预冷站、使晶圆冷却到预定温度范围以及将冷却后的晶圆载入终端站。在终端站中，对冷却后的晶圆进行离子布植制造工艺。
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公开(公告)号：CN105552004B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201511000843.2
申请日：2011-12-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67109
Abstract: 种静电钳,包括基座,其具有第表面;以及用于在制程腔室中支撑基底的外组件,外组件具有第二表面,其是以连结于基座的第表面的至少部分的方式布置。静电钳还包括耦合于外组件的外表面的第环形部,第环形部具有第封合表面,以及包括第二环形部,其耦合于外组件的外表面且具有第二封合表面。且当基底被放置在第封合表面以及第二封合表面上时,第环形部可定义内隔室,第环形部与第二环形部可同定义同心于内隔室的外隔室。
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公开(公告)号：CN105552004A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201511000843.2
申请日：2011-12-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67109 , H01L21/67 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01L21/67011 , H01L21/687 , H01L21/68714 , H01L21/68785
Abstract: 一种静电钳，包括基座，其具有第一表面；以及用于在制程腔室中支撑基底的外组件，外组件具有第二表面，其是以连结于基座的第一表面的至少一部分的方式布置。静电钳还包括耦合于外组件的外表面的第一环形部，第一环形部具有第一封合表面，以及包括第二环形部，其耦合于外组件的外表面且具有第二封合表面。且当基底被放置在第一封合表面以及第二封合表面上时，第一环形部可定义内隔室，第一环形部与第二环形部可一同定义同心于内隔室的外隔室。
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公开(公告)号：CN103299415A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180062710.1
申请日：2011-12-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67109
Abstract: 一种静电钳，包括用于加热基底的加热组件，加热组件具有朝向基底设置的第一表面以及在第一表面对向的第二表面。基座经布置以连结于加热组件的第二表面的至少一部份。经连结的基座以及加热组件共同定义加热组件的第一部分与基座之间的内间隙。外间隙以同心于加热组件的第二部份与基座之间的内间隙的方式布置，藉由形成于加热组件的第二表面以及基座之间的第一封合表面来将内间隙以及外间隙彼此隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101536149B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200780034015.8
申请日：2007-07-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67213 , H01L21/26593 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 一种低温离子布植技术。在一特定较佳实施例中，所述技术可表现为低温离子布植装置。该装置可包含预冷站。预冷站靠近离子布植机中的终端站。该装置也可包含位于预冷站内的冷却机构。该装置可更包括与预冷站和终端站相连接的装载组件。所述装置可另包括控制器。控制器与装载组件及冷却机构通信，藉以将晶圆载入预冷站、使晶圆冷却到预定温度范围以及将冷却后的晶圆载入终端站。在终端站中，对冷却后的晶圆进行离子布植制造工艺。
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公开(公告)号：CN101563751A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780043672.9
申请日：2007-11-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 理查·S·默卡 , D·杰弗里·里斯查尔
IPC: H01J37/317 , H01L21/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01L21/67005
Abstract: 本发明公开了一种低温离子植入技术。在一特殊实施例中，此技术可体现为低温离子植入装置。此低温离子植入装置可包括晶圆支撑机构，晶圆支撑机构在离子植入过程中支撑着晶圆且帮助晶圆在至少一维空间里移动。此低温离子植入装置也可包括冷却机构，其耦接到晶圆支撑机构。此冷却机构可包括：制冷单元；闭环刚性管，让至少一种冷却剂从制冷单元循环流动到晶圆支撑机构；以及一个或多个旋转式轴承，耦接刚性管，以帮助晶圆在至少一维空间里移动。
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公开(公告)号：CN103299415B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180062710.1
申请日：2011-12-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67109
Abstract: 一种静电钳与离子布植系统。静电钳包括用于加热基底的加热组件，加热组件具有朝向基底设置的第一表面以及在第一表面对向的第二表面。基座经布置以连结于加热组件的第二表面的至少一部份。经连结的基座以及加热组件共同定义加热组件的第一部分与基座之间的内间隙。外间隙以同心于加热组件的第二部份与基座之间的内间隙的方式布置，藉由形成于加热组件的第二表面以及基座之间的第一封合表面来将内间隙以及外间隙彼此隔离。
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公开(公告)号：CN101563751B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200780043672.9
申请日：2007-11-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 理查·S·默卡 , D·杰弗里·里斯查尔
IPC: H01J37/317 , H01L21/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01L21/67005
Abstract: 本发明公开了一种低温离子植入技术。在一特殊实施例中，此技术可体现为低温离子植入装置。此低温离子植入装置可包括晶圆支撑机构，晶圆支撑机构在离子植入过程中支撑着晶圆且帮助晶圆在至少一维空间里移动。此低温离子植入装置也可包括冷却机构，其耦接到晶圆支撑机构。此冷却机构可包括：制冷单元；闭环刚性管，让至少一种冷却剂从制冷单元循环流动到晶圆支撑机构；以及一个或多个旋转式轴承，耦接刚性管，以帮助晶圆在至少一维空间里移动。
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公开(公告)号：CN101772829A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880101772.7
申请日：2008-07-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236
Abstract: 一种用于处理系统的平台包括第一热区和第二热区，第一热区和第二热区由至少一个边界分隔。第一流体导管位于第一热区中。第二流体导管位于第二热区中。流体储藏器具有耦接至第一流体导管的第一输出和耦接至第二流体导管的第二输出。流体储藏器向第一流体导管提供具有第一流体条件的流体，缘此向第一热区提供第一热导，且流体储藏器向第二流体导管提供具有第二流体条件的流体，缘此向第二热区提供第二热导，以便在平台中达成预定热导轮廓。
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