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公开(公告)号：CN102576655A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080040505.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 海伦·L·梅纳德 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02532 , H01L21/0259 , H01L21/02667 , H01L21/2236 , H01L31/0725 , H01L31/182 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种使材料在基板上沉积且结晶的方法。在一特定实施例中，所述方法可包含产生含有与沉积相关的物质以及携带能量的物质的电浆。在第一时间段期间，无偏压电压施加于所述基板，且物质经由电浆沉积而沉积于所述基板上。在第二时间段期间，电压施加于所述基板，所述电压吸引离子且吸引至所述沉积物质中，从而引起所述沉积层结晶。可重复所述程序直至获得足够厚度。在另一实施例中，可改变所述偏压电压或偏压脉冲的持续时间以改变所发生的结晶化程度。在另一实施例中，可使用掺杂剂掺杂所述沉积层。
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公开(公告)号：CN109923641A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780068648.4
申请日：2017-09-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 本文公开了一种处理工件的方法，其中首先使用含有所需掺杂物质的调节气体来涂布等离子室的内表面。随后引入不含有所需掺杂物质的工作气体并对其供应能量以形成等离子体。此等离子体用于溅镀来自内表面的所需掺杂物质。此掺杂物质沉积在工件上。随后可执行后续植入过程以将掺杂物植入工件中。植入过程可包含热处理、敲入机制或两者。
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公开(公告)号：CN102668038B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080055181.8
申请日：2010-11-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 海伦·L·梅纳德 , 班杰明·B·里欧登 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 迪帕克·瑞曼帕
IPC: H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L21/266 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 使用各种方法来形成可用于后续植入的掩模，此等方法是利用非晶化硅与晶体硅之间物理特性及化学特性的差异。在某些实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在膜生长方面的差异来形成掩模。在其他实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在反射率或光吸收性的差异来形成掩模。在其他实施例中，则利用经掺杂的硅与未经掺杂的硅的特性差异来形成掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109923641B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201780068648.4
申请日：2017-09-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 本文公开了一种在工件上沉积掺杂物质或在工件中植入掺杂物质的方法及处理工件的方法，其中首先使用含有所需掺杂物质的调节气体来涂布等离子室的内表面。随后引入不含有所需掺杂物质的工作气体并对其供应能量以形成等离子体。此等离子体用于溅镀来自内表面的所需掺杂物质。此掺杂物质沉积在工件上。随后可执行后续植入过程以将掺杂物植入工件中。植入过程可包含热处理、敲入机制或两者。
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公开(公告)号：CN102598219A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080046098.4
申请日：2010-10-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云 , 海伦·L·梅纳德 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32834 , H01L29/66803
Abstract: 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器，将粒子植入到基材中。在离子植入期间，由于植入处理的性质，可以在表面上沉积薄膜，其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正，执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中，蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中，材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理，或者作为蚀刻处理的附加步骤。
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公开(公告)号：CN102598219B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080046098.4
申请日：2010-10-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云 , 海伦·L·梅纳德 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32834 , H01L29/66803
Abstract: 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器，将粒子植入到基材中。在离子植入期间，由于植入处理的性质，可以在表面上沉积薄膜，其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正，执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中，蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中，材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理，或者作为蚀刻处理的附加步骤。
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公开(公告)号：CN102668038A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080055181.8
申请日：2010-11-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 海伦·L·梅纳德 , 班杰明·B·里欧登 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 迪帕克·瑞曼帕
IPC: H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L21/266 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 使用各种方法来形成可用于后续植入的掩模，此等方法是利用非晶化硅与晶体硅之间物理特性及化学特性的差异。在某些实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在膜生长方面的差异来形成掩模。在其他实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在反射率或光吸收性的差异来形成掩模。在其他实施例中，则利用经掺杂的硅与未经掺杂的硅的特性差异来形成掩模。
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公开(公告)号：CN102439703A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022218.7
申请日：2010-04-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 , 海伦·L·梅纳德 , 迪帕克·瑞曼帕
IPC: H01L21/336 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/26593 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/7848
Abstract: 揭示一种用于增强半导体结构的通道区中的张应力的方法。所述方法包含执行一或多个冷碳或分子碳离子植入步骤，以在所述半导体结构内植入碳离子，从而在通道区的任一侧形成应力层。接着在所述应变层上方形成升起式源极/漏极区，且使用随后的离子植入步骤来掺杂所述升起式源极/漏极区。毫秒退火步骤激活应变层及升起式源极/漏极区。应变层增强半导体结构的通道区内的载流子迁移率，同时所述升起式源极/漏极区使所述应变层中因随后掺杂剂离子在所述升起式源极/漏极区中的植入而导致的应变减至最小。
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