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公开(公告)号：CN107075662B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201580055294.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。
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公开(公告)号：CN107075662A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055294.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。
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