公开(公告)号：CN102254916B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201110135436.8

申请日：2011-05-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 肱冈健一郎 ,  久米一平 ,  井上尚也 ,  白井浩树 ,  川原润 ,  林喜宏

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/485 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/76811 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件具有：衬底；多层互连，其形成在衬底上，并且具有多个互连层，其中每一个互连层通过堆叠在其中的互连和绝缘层构成；存储器电路，在平面图中其形成于衬底上的存储器电路区域中，并且具有外围电路和在多层互连中嵌入的至少一个电容器元件；以及，逻辑电路，其形成于在衬底上的逻辑电路区域中，其中，电容器元件由下电极、电容器绝缘膜、上电极、嵌入电极和上互连构成；上互连的上表面和在与上互连相同的互连层中形成的构成逻辑电路的互连的顶表面被对齐到相同的平面。

公开(公告)号：CN102254916A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110135436.8

申请日：2011-05-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 肱冈健一郎 ,  久米一平 ,  井上尚也 ,  白井浩树 ,  川原润 ,  林喜宏

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/485 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/76811 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件具有：衬底；多层互连，其形成在衬底上，并且具有多个互连层，其中每一个互连层通过堆叠在其中的互连和绝缘层构成；存储器电路，在平面图中其形成于衬底上的存储器电路区域中，并且具有外围电路和在多层互连中嵌入的至少一个电容器元件；以及，逻辑电路，其形成于在衬底上的逻辑电路区域中，其中，电容器元件由下电极、电容器绝缘膜、上电极、嵌入电极和上互连构成；上互连的上表面和在与上互连相同的互连层中形成的构成逻辑电路的互连的顶表面被对齐到相同的平面。