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公开(公告)号：CN102299702A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110093547.7
申请日：2011-04-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具体提供一种在实现减少天线开关成本方面，特别即使在天线开关包括在硅衬底之上形成的场效应晶体管时仍然能够尽可能多地减少从天线开关生成的谐波失真的技术。配置TX并联晶体管的第一MISFET至第五MISFET的栅极宽度从与接近GND端子的一侧耦合的第五MISFET到与接近发送端子的一侧耦合的第一MISFET逐渐增加。
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公开(公告)号：CN102299702B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110093547.7
申请日：2011-04-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具体提供一种在实现减少天线开关成本方面，特别即使在天线开关包括在硅衬底之上形成的场效应晶体管时仍然能够尽可能多地减少从天线开关生成的谐波失真的技术。配置TX并联晶体管的第一MISFET至第五MISFET的栅极宽度从与接近GND端子的一侧耦合的第五MISFET到与接近发送端子的一侧耦合的第一MISFET逐渐增加。
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公开(公告)号：CN101794793B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201010107742.6
申请日：2010-01-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L21/823425 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及半导体器件。具体地，为了实现天线开关的成本降低，提供了一种技术，其可以尽可能多地降低在天线开关中产生的谐波失真，特别是在天线开关包括在硅衬底上方形成的场效应晶体管时。TX串联晶体管、RX串联晶体管和RX旁路晶体管中的每一个包括低压MISFET，而TX旁路晶体管包括高压MISFET。由此，通过减小构成TX旁路晶体管的高压MISFET的串行连接的数目，施加于各串联耦合的高压MISFET的电压幅度的不均匀性得以抑制。这样，可以抑制高阶谐波的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101944532A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010223388.3
申请日：2010-07-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/1203 , H01L28/86 , H01L29/94 , H04B1/48
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路装置。SOI MOSFET被用于切换天线开关的晶体管，但显著减小谐波失真。将电容元件分别添加到构成天线开关的接收支路的通过MOSFET组的晶体管的相应的漏极或栅极。这使得在源极与栅极之间的电压振幅和在漏极与栅极之间的电压振幅彼此不同。结果，源极-漏极寄生电容的电压依赖性变成关于电压极性是不对称的。该不对称特性产生具有类似的不对称特性的信号失真。因此，通过设置它使得它具有与由衬底电容的电压依赖性引起的二次谐波相同的振幅和与之相反的相位可以实现以下：可以抵消二次谐波失真并且因此可以减小二次谐波失真。
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公开(公告)号：CN102945848A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210441006.3
申请日：2008-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823425 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L2223/6644 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01P5/184 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。
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公开(公告)号：CN102945848B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210441006.3
申请日：2008-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823425 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L2223/6644 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01P5/184 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。
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公开(公告)号：CN101276815B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200810009409.4
申请日：2008-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823425 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L2223/6644 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01P5/184 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。
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