公开(公告)号：CN101794793B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201010107742.6

申请日：2010-01-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 后藤聪 ,  三宅智之 ,  近藤将夫

IPC: H01L27/12 ,  H04M1/02

CPC classification number: H01L21/823425 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及半导体器件。具体地，为了实现天线开关的成本降低，提供了一种技术，其可以尽可能多地降低在天线开关中产生的谐波失真，特别是在天线开关包括在硅衬底上方形成的场效应晶体管时。TX串联晶体管、RX串联晶体管和RX旁路晶体管中的每一个包括低压MISFET，而TX旁路晶体管包括高压MISFET。由此，通过减小构成TX旁路晶体管的高压MISFET的串行连接的数目，施加于各串联耦合的高压MISFET的电压幅度的不均匀性得以抑制。这样，可以抑制高阶谐波的产生。