公开(公告)号：CN101944532A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010223388.3

申请日：2010-07-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 近藤将夫 ,  后藤聪 ,  森川正敏

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/94 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/86 ,  H01L29/94 ,  H04B1/48

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路装置。SOI MOSFET被用于切换天线开关的晶体管，但显著减小谐波失真。将电容元件分别添加到构成天线开关的接收支路的通过MOSFET组的晶体管的相应的漏极或栅极。这使得在源极与栅极之间的电压振幅和在漏极与栅极之间的电压振幅彼此不同。结果，源极-漏极寄生电容的电压依赖性变成关于电压极性是不对称的。该不对称特性产生具有类似的不对称特性的信号失真。因此，通过设置它使得它具有与由衬底电容的电压依赖性引起的二次谐波相同的振幅和与之相反的相位可以实现以下：可以抵消二次谐波失真并且因此可以减小二次谐波失真。