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公开(公告)号：CN107636825B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201680031690.4
申请日：2016-05-31
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/301 , H01L21/60 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种能够在不损害生产率、可靠性的情况下，抑制半导体芯片的翘曲的半导体用保护膜及具备该半导体用保护膜的半导体装置、以及复合片。本发明的一个实施方式的半导体用保护膜10具备由非导电性无机材料构成的保护层11和设置于保护层11的一个面上的粘合剂层12。保护层11至少含有玻璃质材料，作为典型，其由平板玻璃构成。由此，能够有效地抑制作为保护对象的半导体元件的翘曲。
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公开(公告)号：CN107636825A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680031690.4
申请日：2016-05-31
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/301 , H01L21/60 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种能够在不损害生产率、可靠性的情况下，抑制半导体芯片的翘曲的半导体用保护膜及具备该半导体用保护膜的半导体装置、以及复合片。本发明的一个实施方式的半导体用保护膜10具备由非导电性无机材料构成的保护层11和设置于保护层11的一个面上的粘合剂层12。保护层11至少含有玻璃质材料，作为典型，其由平板玻璃构成。由此，能够有效地抑制作为保护对象的半导体元件的翘曲。
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公开(公告)号：CN104271694A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380025270.1
申请日：2013-05-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B27/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: B32B37/12 , B32B27/08 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2255/26 , B32B2307/54 , B32B2307/546 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/38 , C09J133/08 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L2224/32145 , H01L2224/3224 , H01L2224/3226 , H01L2224/8385 , H01L2924/12042 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在保持了芯片状部件的整齐性（整列性）的情况下能够转印芯片状部件的带粘接性树脂层的片。另外，提供一种使用了该片的半导体装置的制造方法。本发明的带粘接性树脂层的片包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为-0.5~0.5%，基材的硬挺度为80mm以上。
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公开(公告)号：CN109743877B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201780055647.6
申请日：2017-09-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J4/02 , C09J133/00 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种即便使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂的半导体加工用粘着胶带。所述半导体加工用粘着胶带具有：在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材；设置于该基材的至少一面侧的缓冲层；以及设置于该基材的另一面侧的粘着剂层，所述缓冲层在23℃下的拉伸储能模量(E23)为100～2000MPa，所述缓冲层在60℃下的拉伸储能模量(E60)为20～1000MPa。
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公开(公告)号：CN108307636A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201680026769.8
申请日：2016-04-11
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 堀米克彦
IPC: C09J7/20 , C09J201/00 , H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种表面保护膜(10)，所述表面保护膜(10)粘贴于光学构件或电子构件，用于保护其表面，该表面保护膜(10)具备平面环状的第一膜基材(11)、设置于所述第一膜基材(11)的一面(11A)侧的第一粘合剂层(12)、以及设置于所述第一膜基材(11)的另一面侧且覆盖环状内部中空部的覆盖膜(15)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1679157A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820410.X
申请日：2003-08-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/304 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明的半导体晶片的保护结构通过将外径大于半导体晶片(5)的保护片(13)层压在该半导体晶片的电路面上而制得。本发明提供了当晶片研磨至极薄后，在搬运等情况下，能防止在研磨中乃至搬运中出现的晶片破损现象的半导体晶片的保护结构、半导体晶片的保护方法及所用的层压保护片。此外，本发明还提供了在进行粘合薄膜的粘贴、切除时能减少晶片破损的半导体晶片的加工方法。
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公开(公告)号：CN108377659B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201780004262.7
申请日：2017-03-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , B23K26/53 , C09J7/25 , C09J201/00
Abstract: 本发明的半导体加工用胶粘带是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于基材的一面的缓冲层、以及设置于所述基材的另一面侧的粘合剂层，所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且所述缓冲层侧表面的压入深度(X)为2.5μm以下。
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公开(公告)号：CN108377659A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201780004262.7
申请日：2017-03-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , B23K26/53 , C09J7/25 , C09J201/00
CPC classification number: B23K26/53 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明的半导体加工用胶粘带是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于基材的一面的缓冲层、以及设置于所述缓冲层的另一面侧的粘合剂层，所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且所述缓冲层侧表面的压入深度(X)为2.5μm以下。
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公开(公告)号：CN1738882A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002370.3
申请日：2004-01-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/02 , H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y10T156/1911 , Y10T428/28
Abstract: 本发明目的是提供一种不粘附到其他装置上的压敏胶粘剂片，该片即使应用于包括热处理或产生热量的处理的制造过程。本发明另一个目的是提供用于具有优越高温耐热性的半导体衬底处理用的压敏胶粘剂片，通过提供诸如电路表面保护功能或扩展性能，用作表面保护片，切割片或拾取片。本发明的压敏胶粘剂片的特点是包含通过对第一可固化树脂进行膜的形成并固化获得的底材，通过涂布第二可固化树脂并固化而在底材上形成的顶涂层，以及在上述底材的背面形成的压敏胶粘剂层。
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公开(公告)号：CN116368965A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180073852.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H10N10/856
Abstract: 本发明提供不具有支撑基材的薄型的热电转换组件，其具备一体化物、第1电极和第2电极，上述一体化物包含绝缘体，该绝缘体以填充由相互隔开的P型热电转换材料的芯片和N型热电转换材料的芯片形成的空隙的方式构成，上述第1电极位于上述一体化物的一面，其是将上述P型热电转换材料的芯片的一面和上述N型热电转换材料的芯片的一面接合的共用的电极，上述第2电极位于上述一体化物的另一面，与上述第1电极对置，其是将上述N型热电转换材料的芯片的另一面和上述P型热电转换材料的芯片的另一面接合的共用的电极，上述P型热电转换材料的芯片和上述N型热电转换材料的芯片通过上述第1电极和上述第2电极而串联电连接，在上述热电转换组件的两面不具有基材。
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