固化性组合物、固化物和固化性组合物的使用方法

    公开(公告)号:CN113574116B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202080023933.6

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 本发明涉及固化性组合物、将该固化性组合物固化而成的固化物、和将前述固化性组合物用作光学元件固定材料用粘接剂或光学元件固定材料用密封材料的方法,其中,所述固化性组合物含有下述(A)成分和(B)成分,且相对于100质量份的(A)成分,(B)成分的含量为1~110质量份。本发明的固化性组合物具有良好的涂布性。本发明的固化物的折射率低。(A)成分:具有下述式(a‑1)所示的重复单元、且质均分子量(Mw)为4,000~20,000的固化性聚倍半硅氧烷化合物,R1为选自无取代的碳数1~10的烷基、具有取代基的碳数1~10的烷基、无取代的碳数6~12的芳基和具有取代基的碳数6~12的芳基中的至少一个;(B)成分:具有下述式(b‑1)所示的重复单元的特定的有机硅低聚物,。

    层叠体的制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114303234A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202080060038.1

    申请日:2020-08-20

    Abstract: 本发明提供一种层叠体的制造方法,其中,在支撑片上设置含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分,并且与半导体芯片为相同形状或大致相同的形状且为相同大小的膜状烧成材料,使所述半导体芯片的背面侧面向所述支撑片上的所述膜状烧成材料而进行贴附,将所述膜状烧成材料及半导体芯片从所述支撑片上剥离,将贴附有所述膜状烧成材料的所述半导体芯片的所述膜状烧成材料侧贴附于基板,并将所述膜状烧成材料加热至200℃以上,从而将所述半导体芯片与所述基板烧结结合。

    膜状烧成材料及带支撑片的膜状烧成材料

    公开(公告)号:CN111065476B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201880059075.3

    申请日:2018-09-03

    Abstract: 本发明提供一种膜状烧成材料(1),其含有烧结性金属颗粒(10)及粘结剂成分(20),烧结性金属颗粒(10)的含量为15~98质量%,粘结剂成分(20)的含量为2~50质量%,在温度为350℃、压力为10MPa的条件下进行了3分钟加压烧成时的平面方向上的收缩率相对于烧成前为10%以下,体积收缩率相对于烧成前为15~90%,在与被粘物接触的状态下,以温度为350℃、压力为10MPa的条件进行了3分钟加压烧成时的、与被粘物的接触率相对于被粘物的接触面为90%以上。

    固化性组合物、固化性组合物的制备方法、固化物、固化性组合物的使用方法及光器件

    公开(公告)号:CN108368346B

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN201680075598.8

    申请日:2016-12-21

    Abstract: 本发明涉及固化性组合物及其制备方法、所述固化性组合物固化而成的固化物、将所述固化性组合物用作光元件固定材料用粘接剂或光元件固定材料用密封材料的方法和光器件,所述固化性组合物含有:(A)成分:具有式:R1‑D‑SiO3/2表示的重复单元的固化性聚倍半硅氧烷化合物,式中R1表示用组成式CxH(2x‑y+1)Fy表示的氟烷基,x表示1~10的整数,y表示2以上且(2x+1)以下的整数,D表示排除亚烷基的键合R1和Si的连接基或单键;和(B)成分:分子内具有氮原子的硅烷偶联剂。本发明提供形成粘接性和耐热性优异且低折射率的固化物的固化性组合物及其制备方法、所述固化性组合物固化而成的固化物、将所述固化性组合物用作光元件固定材料用粘接剂或光元件固定材料用密封材料的方法和光器件。

    固化性组合物、固化物及固化性组合物的使用方法

    公开(公告)号:CN112739776A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201980063616.4

    申请日:2019-09-27

    Abstract: 本发明涉及以含有下述(A)成分和溶剂、且触变指数为2以上为特征的固化性组合物,将该固化性组合物固化而成的、粘接强度高的固化物,和将所述固化性组合物用作光学元件固定材料用粘接剂或光学元件固定材料用密封材料的方法。本发明的固化性组合物的固化性优异,并且折射率低。(A)成分:具有用下述式(a‑1)表示的重复单元的固化性聚倍半硅氧烷化合物,所述固化性聚倍半硅氧烷化合物的特征在于,满足关于29Si‑NMR的特定条件,质均分子量(Mw)为特定的范围[R1表示用组成式:CmH(2m‑n+1)Fn表示的氟烷基。m表示1~10的整数,n表示2以上且(2m+1)以下的整数。D表示将R1和Si键合的连接基(其中,亚烷基除外)或单键。]R1‑D‑SiO3/2(a‑1)。

    粘接片、和层叠体的制造方法

    公开(公告)号:CN110461975A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201880021870.3

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 本发明是:粘接片,其是将包含树脂(S)的树脂层、包含分子粘接剂的分子粘接剂层和保护膜按顺序直接层叠而得到的,所述分子粘接剂具有选自氨基、叠氮基、巯基、异氰酸酯基、脲基和环氧基中的至少1种的反应性基团(Zα)、以及选自硅醇基、和通过水解反应而生成硅醇基的基团中的至少1种的反应性基团(Zβ),前述树脂(S)具有能够与前述分子粘接剂的反应性基团(Zα)形成化学键的反应性部分结构(Zγ),前述保护膜在与分子粘接剂层接触一侧的表面上具有存在至少1个以上凸部的压花表面;和使用该粘接片的层叠体的制造方法。根据本发明,提供具有树脂层、分子粘接剂层、和保护膜、与被粘物的粘接性优异的粘接片、和使用该粘接片的层叠体的制造方法。

    粘接片、和层叠体的制造方法

    公开(公告)号:CN110461977B

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN201880022240.8

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 本发明是:粘接片,其是将包含树脂(S)的树脂层、包含分子粘接剂的分子粘接剂层和保护膜按顺序直接层叠而得到的,所述分子粘接剂具有选自氨基、叠氮基、巯基、异氰酸酯基、脲基和环氧基中的至少1种的反应性基团(Zα)、以及选自硅醇基、和通过水解反应而生成硅醇基的基团中的至少1种的反应性基团(Zβ),前述树脂(S)具有能够与前述分子粘接剂的反应性基团(Zα)形成化学键的反应性部分结构(Zγ),前述保护膜的23℃下的杨氏模量为1×107Pa以上;和使用该粘接片的层叠体的制造方法。根据本发明,提供具有树脂层、分子粘接剂层、和保护膜、与被粘物的粘接性优异的粘接片、和使用该粘接片的层叠体的制造方法。

    固化性组合物、固化性组合物的制造方法、固化物、固化性组合物的使用方法和光学器件

    公开(公告)号:CN106661330B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201580039460.8

    申请日:2015-07-23

    Abstract: 本发明是固化性组合物及其制造方法、将前述固化性组合物固化而成的固化物、将前述固化性组合物用作光学元件固体材料用粘接剂或光学元件固体材料用密封材料的方法、以及光学器件,所述固化性组合物的特征在于,其含有(A)成分:具有式(a‑1):R1SiO3/2所示重复单元的固化性聚倍半硅氧烷化合物;以及(B)成分:选自分子内具有氮原子的硅烷偶联剂和分子内具有酸酐结构的硅烷偶联剂中的至少1种,在测定该固化性组合物的固化物的固体Si核磁共振波谱时,在‑80ppm以上且低于‑40ppm的区域内观测到峰,且该峰的半值宽度为500Hz以上且900Hz以下。根据本发明,提供能够获得耐热性优异且具有高粘接力的固化物的固化性组合物及其制造方法、将前述固化性组合物固化而得到的固化物、将前述固化性组合物用作光学元件固体材料用粘接剂或光学元件固体材料用密封材料的方法、以及光学器件。

    膜状烧成材料及带支撑片的膜状烧成材料

    公开(公告)号:CN111741823A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201980014303.X

    申请日:2019-02-08

    Abstract: 本发明提供一种膜状烧成材料(1),其含有第一金属颗粒(10)、第二金属颗粒(20)及粘结剂成分(30),其中,所述第一金属颗粒(10)的平均粒径为100nm以下,且最大粒径为250nm以下,所述第二金属颗粒(20)的平均粒径为1000~7000nm,最小粒径大于250nm,且最大粒径为10000nm以下,以第一金属颗粒/第二金属颗粒所示的质量比为0.1以上。

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