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公开(公告)号：CN118738105A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411210428.9
申请日：2024-08-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法和用电器，涉及半导体领域。绝缘栅双极型晶体管包括：超结结构、场截止层、P型集电极、背面金属、N型载流子存储层、P型基区、N型发射极、第一栅、第二栅、介质层以及正面金属；超结结构由漂移区和半导体区组成，场截止层、P型集电极和背面金属依次层叠，位于超结结构的第二侧，且场截止层靠近超结结构；N型载流子存储层、P型基区、介质层和正面金属依次层叠，位于超结结构的第一侧，且N型载流子存储层靠近超结结构。本申请超结结构形成的横向电场会加快空穴的移除进而减少了空穴在P型基区和介质层底部的积累，进而优化了绝缘栅双极型晶体管的EMI，减小了正向开通损耗。
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公开(公告)号：CN119584598A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411599684.1
申请日：2024-11-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，所述金属氧化物半导体场效应管中每个元胞包括漏极金属层、衬底、外延层、电流扩展层、基区层、注入层、源极金属区和栅极区；漏极金属层、衬底、外延层、电流扩展层、基区层和注入层依次层叠；源极金属区的上部覆盖注入层和栅极区的上表面，源极金属区的下部贯穿注入层、基区层和电流扩展层并延伸至外延层中的埋层区；源极金属区的侧壁包括肖特基接触区和以侧壁作为纵向中心线的栅极区。本申请实施例在保证碳化硅金属氧化物半导体场效应管的导通压降和可靠性的同时，提高了金属氧化物半导体场效应管的动态特性。
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公开(公告)号：CN118763126A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411238021.7
申请日：2024-09-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/329
Abstract: 本发明实施例提供了一种二极管、二极管制作方法、装置、设备、介质和电器，该二极管包括：依次连接的阴极、衬底和外延层；外延层设有沟槽；设置在外延层中的第一埋层和第二埋层；第一埋层与第二埋层相隔预设距离对应设置；掺杂区，掺杂区设置于外延层上；阳极，阳极设置于掺杂区上；阳极设有延伸部；阳极的延伸部穿过掺杂区延伸至外延层的沟槽内，与外延层形成肖特基接触；阳极的延伸部对应于第一埋层和第二埋层之间。从而通过第一埋层与第二埋层的位置设置，调整了电流路径，减少导通压降和反向恢复时间，而且可通过埋层的位置调整改变击穿电压，将埋层上移，可一定程度上增加了击穿电压，相对于现有技术有效的减少了静态损耗和动态损耗。
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公开(公告)号：CN118738132A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411230166.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体场效应晶体管、制作方法、设备、介质，半导体场效应晶体管包括依次连接的漏极、衬底、外延层；设置在外延层上方的电流扩展层，电流扩展层设置有沟槽；栅极，栅极部分延伸至电流扩展层；源极，源极包括第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部位于电流扩展层上方，第二延伸部延伸至电流扩展层的沟槽内，第二延伸部与电流扩展层形成肖特基连接；埋层，埋层设置于电流扩展层中并贯穿电流扩展层与源极和外延层连接，埋层与栅极连接；掺杂区，掺杂区设置在电流扩展层上，掺杂区分别与第一注入区、第二注入区、栅极连接；第一注入区，设置于源极和掺杂区之间；第二注入区，设置于源极和掺杂区之间，且第二注入区与栅极连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119922948A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411929198.1
申请日：2024-12-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 陈昊宇
Abstract: 本发明实施例提供了一种MOSFET器件和芯片，包括N型衬底；N型外延层，设于N型衬底另一侧；N型电流扩展层和第一P型埋层，设于N型外延层上方；N型电流扩展层与第一P型埋层连接；第一N+区，设于第一P型埋层的表面形成的凹槽中；沟槽，形成于N型电流扩展层和第一P型埋层上方；源极多晶硅区、栅极多晶硅区和氧化层，设于沟槽内，氧化层覆盖源极多晶硅区和栅极多晶硅区的表面。本发明实施例通过N型电流扩展层和第一P型埋层形成在源极多晶硅下方的沟道二极管，当器件处于反向导通状态时，沟道二极管比体二极管先导通，从而避免了处于反向续流工作模式时，体二极管续流损耗大且存在双极退化的问题。
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公开(公告)号：CN119364820A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411878132.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅MOSFET及其制备方法和用电器，涉及半导体技术领域。碳化硅MOSFET包括：依次层叠的漏极、N型衬底和N型外延层；所述N型外延层背离所述N型衬底的一侧表面包括：依次分布的第一区域、第二区域和第三区域；N型电流扩展层，位于所述N型外延层的所述第二区域上；P型埋层，位于所述N型外延层的所述第一区域和所述第三区域上；栅极多晶硅层，位于所述第三区域的所述P型埋层上，并延伸进入所述N型电流扩展层内；源极多晶硅层，位于所述第一区域的所述P型埋层上，并延伸进入所述N型电流扩展层内；包含所述N型电流扩展层的沟道二极管。本申请可以降低碳化硅MOSFET反向导通时的导通压降。
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公开(公告)号：CN118738105B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411210428.9
申请日：2024-08-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法和用电器，涉及半导体领域。绝缘栅双极型晶体管包括：超结结构、场截止层、P型集电极、背面金属、N型载流子存储层、P型基区、N型发射极、第一栅、第二栅、介质层以及正面金属；超结结构由漂移区和半导体区组成，场截止层、P型集电极和背面金属依次层叠，位于超结结构的第二侧，且场截止层靠近超结结构；N型载流子存储层、P型基区、介质层和正面金属依次层叠，位于超结结构的第一侧，且N型载流子存储层靠近超结结构。本申请超结结构形成的横向电场会加快空穴的移除进而减少了空穴在P型基区和介质层底部的积累，进而优化了绝缘栅双极型晶体管的EMI，减小了正向开通损耗。
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公开(公告)号：CN118738132B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411230166.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体场效应晶体管、制作方法、设备、介质，半导体场效应晶体管包括依次连接的漏极、衬底、外延层；设置在外延层上方的电流扩展层，电流扩展层设置有沟槽；栅极，栅极部分延伸至电流扩展层；源极，源极包括第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部位于电流扩展层上方，第二延伸部延伸至电流扩展层的沟槽内，第二延伸部与电流扩展层形成肖特基连接；埋层，埋层设置于电流扩展层中并贯穿电流扩展层与源极和外延层连接，埋层与栅极连接；掺杂区，掺杂区设置在电流扩展层上，掺杂区分别与第一注入区、第二注入区、栅极连接；第一注入区，设置于源极和掺杂区之间；第二注入区，设置于源极和掺杂区之间，且第二注入区与栅极连接。
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公开(公告)号：CN118763126B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411238021.7
申请日：2024-09-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/329
Abstract: 本发明实施例提供了一种二极管、二极管制作方法、装置、设备、介质和电器，该二极管包括：依次连接的阴极、衬底和外延层；外延层设有沟槽；设置在外延层中的第一埋层和第二埋层；第一埋层与第二埋层相隔预设距离对应设置；掺杂区，掺杂区设置于外延层上；阳极，阳极设置于掺杂区上；阳极设有延伸部；阳极的延伸部穿过掺杂区延伸至外延层的沟槽内，与外延层形成肖特基接触；阳极的延伸部对应于第一埋层和第二埋层之间。从而通过第一埋层与第二埋层的位置设置，调整了电流路径，减少导通压降和反向恢复时间，而且可通过埋层的位置调整改变击穿电压，将埋层上移，可一定程度上增加了击穿电压，相对于现有技术有效的减少了静态损耗和动态损耗。
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