公开(公告)号：CN119486220A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411504314.5

申请日：2024-10-25

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 彭华溢 ,  谢梓翔 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  马颖江

IPC: H10D62/10 ,  H10D8/50 ,  H10D8/60 ,  H10D8/01

Abstract: 本申请公开了一种碳化硅二极管及碳化硅二极管的制备方法，本申请提供的碳化硅二极管包括依次层叠的基底层、第一外延层、第二外延层和阳极金属层；第一外延层的第一表面包括至少一个第一掺杂区；第一表面为第一外延层中与第二外延层的第二表面层叠的表面；第二外延层中与第二表面相对的第三表面包括间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，且第二沟槽与所述第一掺杂区一一对应；第二外延层中包括所述第一沟槽的底部对应的第二掺杂区。本申请实施例实现了对碳化硅二极管的反向耐压特性和正向导通特性的同时优化，提高了碳化硅二极管的可靠性。

公开(公告)号：CN119170655A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411360942.0

申请日：2024-09-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 彭华溢 ,  谢梓翔 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  马颖江

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括半导体基底、第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区，半导体基底包括第一表面区域，第一掺杂区从第一表面区域延伸至半导体基底中，第一掺杂区采用第一掺杂浓度的铝离子掺杂得到。第二掺杂区从第一表面区域延伸至半导体基底上，且第一掺杂区和第二掺杂区沿第一表面区域的第一方向交错设置。第二掺杂区采用第二掺杂浓度的铝离子掺杂得到，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。从第一表面区域延伸至半导体基底中的第三掺杂区，采用第一掺杂浓度的铝离子掺杂得到，第三掺杂区的区域面积大于第一掺杂区的区域面积。由此提升二极管的反向耐压性能和减小正向导通压降。