公开(公告)号：CN1848678A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610003716.2

申请日：2006-02-05

Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社

Inventor： 大岛刚 ,  长谷川伸 ,  渡边纪之

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H03H3/04

CPC classification number: H03H9/17 ,  H03H3/04 ,  H03H9/02149 ,  H03H9/0552 ,  H03H9/1021 ,  H03H2003/0478 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49004 ,  Y10T29/49146 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/2809

Abstract: 本发明提供压电振动元件、压电振子、压电振荡器和频率稳定方法，在构成为利用硅粘接剂将压电振动元件保持在绝缘容器内的状态下进行气密性密封的压电器件中，可以解决从硅粘接剂释放的硅蒸气成分附着堆积在压电振动元件的金属膜上，使得谐振频率随着时间推移而最终变得低于目标频率的缺陷。一种压电振子，利用导电性接合部件将压电振动元件保持在容器内，该压电振动元件具有由厚度滑动类的压电材料构成的压电基板(20)、和形成于该压电基板面上的金属膜(21)，其中，露出于气氛气体中的金属膜表面被通过与具有非键电子对的物质之间的化学吸附而形成的膜(30)覆盖。

公开(公告)号：CN102158192A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110074125.5

申请日：2006-02-05

Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社

Inventor： 大岛刚 ,  长谷川伸 ,  渡边纪之

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/19

CPC classification number: H03H9/17 ,  H03H3/04 ,  H03H9/02149 ,  H03H9/0552 ,  H03H9/1021 ,  H03H2003/0478 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49004 ,  Y10T29/49146 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/2809

Abstract: 本发明提供压电振动元件、压电振子及其制造方法、频率稳定方法，在构成为利用硅粘接剂将压电振动元件保持在绝缘容器内的状态下进行气密性密封的压电器件中，可以解决从硅粘接剂释放的硅蒸气成分附着堆积在压电振动元件的金属膜上，使得谐振频率随着时间推移而最终变得低于目标频率的缺陷。一种压电振子，利用导电性接合部件将压电振动元件保持在容器内，该压电振动元件具有由厚度滑动类的压电材料构成的压电基板(20)、和形成于该压电基板面上的金属膜(21)，其中，露出于气氛气体中的金属膜表面被通过与具有非键电子对的物质之间的化学吸附而形成的膜(30)覆盖。

公开(公告)号：CN100594663C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200480020477.0

申请日：2004-08-03

Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社 ,  日本电气电子株式会社

Inventor： 大岛刚 ,  黑后重久 ,  石川匡亨 ,  黑泽晋 ,  藤本裕希 ,  中柴康隆

IPC: H03B5/32 ,  H03B5/36 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0811 ,  H01L27/0808 ,  H03B5/04 ,  H03B5/366

Abstract: 改进了使用蓄积型MOS电容元件的传统压电振荡器中频率稳定性对于时间的劣化。使用P沟道晶体管型或者N沟道晶体管型作为压电振荡器中所使用的可变电容电路中的MOS电容元件。在形成在源区和漏区中的P型或者N型引出电极与设置在N阱区中的N型引出电极或者设置在P阱区中的P型引出电极之间提供偏压。由此消除了MOS电容元件中对于时间的不稳定性。