公开(公告)号：CN116433508B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310255192.X

申请日：2023-03-16

Applicant: 湖北大学

Inventor： 张伟 ,  王钰 ,  沈琼霞 ,  杨维明 ,  李璋 ,  刘国君 ,  石鑫

IPC: G06T5/00 ,  G06T7/90

Abstract: 本发明公开一种基于Swin‑Unet的灰度图像着色校正方法，包括：获取原始图像，对所述原始图像预处理得到预处理数据集，其中，所述预处理数据集包括训练集和测试集；构建灰度图像着色校正模型，将所述训练集输入到所述灰度图像着色校正模型进行训练，得到训练好的灰度图像着色校正模型；将所述测试集输入到所述训练好的灰度图像着色校正模型，得到最终的彩色图片。本发明利用Swin‑Unet对灰度图像进行颜色预测，并通过卷积神经网络对预估颜色进行颜色校正，确保颜色校正效果，并且泛化性强。

公开(公告)号：CN107311643B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201710547143.8

申请日：2017-07-06

Applicant: 湖北大学

Inventor： 陈勇 ,  张灿灿 ,  邹建雄 ,  王玮 ,  曹万强 ,  潘瑞琨 ,  李璋

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料，化学通式为Na0.5Bi4.5Ti4‑xMgyO15‑2x+y，其中x＝0～0.08，y＝0.04～0.08。另外本发明还提供了该宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料的制备方法。本发明对现有的钙钛矿结构的无铅压电陶瓷进行改性，通过Mg替代Ti或在Ti位掺Mg合成单相新型材料，相对于现有未掺Mg的无铅压电陶瓷材料而言，本发明的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料具有高介电常数和较低的最小介电损耗，同时通过改变掺Mg的量可得到具有不同性能陶瓷片，从而可应用于不同性能要求的器件中，应用范围广。

公开(公告)号：CN105272222A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510701545.X

申请日：2015-10-26

Applicant: 湖北大学

Inventor： 陈勇 ,  杨书琴 ,  梁雄伟 ,  曹万强 ,  周超 ,  李璋

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种镁掺杂新型钛酸铋钠基于无铅介电材料及制备方法，其化学通式为：NaBi(Ti0.98Mg0.02)6O14，用传统固相法分五个温度点，经两次预烧，一次烧结而成。本发明制备的陶瓷片，经检测，介电常数具有很强的稳定性，烧结温度为1060℃时，在43.7℃～414.1℃的环境温度范围内介电常数低至25.804～26.9894，相应的损耗值相比于一般的Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)(≈0.01)相应的损耗值也降低了几个数量级，最低可达2.6×10-5，相比于中介电常数微波陶瓷，本发明具有更低的介电损耗；相比于铁电材料，本发明拥有更低的介电常数和介电损耗。本发明的材料以其宽温度范围高稳定的介电常数和极低的介电损耗的优越性将会在铁电、介质材料、PCB基板材料及中介电常数的微波陶瓷材料上得到广泛运用。

公开(公告)号：CN104725037A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510078982.0

申请日：2015-02-14

Applicant: 湖北大学

Inventor： 陈勇 ,  杨琰 ,  杨淮 ,  李璋 ,  黄汉华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提出了一种用Y/Mn物质量比调节钛酸钡基片式PTC细晶陶瓷及制备方法，该细晶陶瓷的化合物摩尔组分比为：80BaCO3+20SrCO3+101TiO2+xY2O3+0.03Mn(NO3)2+2SiO2，其中物质摩尔比Y/Mn＝9—30，即x＝0.27～0.9，利用Y/Mn物质摩尔比调节钛酸钡细晶陶瓷晶粒尺寸，其中Y/Mn＝21‐‐‐27效果最好。本发明经1220℃预烧和1300℃烧结得到平均晶粒尺寸2μm、室温电阻率为205Ω·cm、升阻比大于104的圆片型PTC；能够满足电子元器件的小型化、片式化、高性能的发展需要。

公开(公告)号：CN117745593A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311852854.8

申请日：2023-12-29

Applicant: 湖北大学

Inventor： 张伟 ,  王盛 ,  沈琼霞 ,  杨维明 ,  李璋 ,  刘国君 ,  石鑫

IPC: G06T5/77 ,  G06T5/70 ,  G06T5/20 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08 ,  G06T5/60

Abstract: 本发明公开了一种基于扩散模型老照片划痕修复方法与系统，方法包括以下步骤：S1：建立扩散模型，基于所述扩散模型的加噪方式，对待修复划痕老照片进行加噪，获得完全高斯噪声图；S2：基于所述待修复划痕老照片，建立划痕去噪空间；S3：建立噪声预测网络，对所述完全高斯噪声图以及所述划痕去噪空间进行噪声预测，分别获得对应的纯噪声图，并计算各个所述纯噪声图的分数；S4：加权计算各个所述纯噪声图的分数，获得一个状态图；基于所述扩散模型的去噪方式，对所述状态图进行反向迭代去噪处理，获得无划痕干净老照片。本发明方法更完善，获得干净照片整体观感会更好。

公开(公告)号：CN110231850A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910367035.1

申请日：2019-05-05

Applicant: 湖北大学

Inventor： 李璋 ,  任雄 ,  石鑫 ,  梅文卓 ,  李华涛

IPC: G05F1/67

Abstract: 本发明公开一种基于鲁棒控制的光伏最大功率点的跟踪装置，包括：BOOST电路、光伏电池阵列、电压检测器、温度检测器、光照强度检测器、嵌入式ARM微控制器；本发明还公开了一种基于鲁棒控制的光伏最大功率点的跟踪方法，包括：建立单输入单输出的二维状态空间模型；建立含变化因子的二维状态空间模型；设计系统全维状态观测器；实时计算控制信号；通过共享通信网络把控制信号传递给BOOST电路；调节光伏电池阵列的输出电阻控制最大功率点的跟踪；本发明考虑了温度、光照强度对光伏发电系统的影响，建立了含变化因子的二维状态空间模型，通过网络化集中控制设计使得系统无须放在现场，提高了系统控制精度，优化了对最大功率点的跟踪控制。

公开(公告)号：CN109078841A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810686893.8

申请日：2018-06-28

Applicant: 湖北大学

Inventor： 李璋 ,  李华涛 ,  陈勇 ,  鲁坦 ,  谌雨章 ,  胡学敏

IPC: B07B1/42

Abstract: 本发明提供一种叠层高频振动细筛的网络化控制装置及方法，所述装置包括高频振动细筛、与高频振动细筛连接的执行模块、与高频振动细筛连接的传感器模块以及与传感器模块连接的控制模块，所述执行模块与控制模块相连，通过控制模块中的嵌入式ARM微控制器控制高频振动细筛，嵌入式ARM微控制器系统成本较低、设计十分灵活，可以实现最新最优的控制算法。并且采用网络化控制系统的结构，控制模块与振动细筛分离，通过共享通信网络来实现连接，远离振动细筛现场的恶劣环境，既可以避免扰动对控制器的影响，又方便企业人员集中管控，使得控制装置得到显著提高，企业效益得到明显改善。

公开(公告)号：CN107311643A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710547143.8

申请日：2017-07-06

Applicant: 湖北大学

Inventor： 陈勇 ,  张灿灿 ,  邹建雄 ,  王玮 ,  曹万强 ,  潘瑞琨 ,  李璋

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明提供了一种宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料，化学通式为Na0.5Bi4.5Ti4-xMgyO15-2x+y，其中x＝0～0.08，y＝0.04～0.08。另外本发明还提供了该宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料的制备方法。本发明对现有的钙钛矿结构的无铅压电陶瓷进行改性，通过Mg替代Ti或在Ti位掺Mg合成单相新型材料，相对于现有未掺Mg的无铅压电陶瓷材料而言，本发明的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料具有高介电常数和较低的最小介电损耗，同时通过改变掺Mg的量可得到具有不同性能陶瓷片，从而可应用于不同性能要求的器件中，应用范围广。

公开(公告)号：CN105152647A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510400091.2

申请日：2015-07-09

Applicant: 湖北大学

Inventor： 陈勇 ,  崔雅萍 ,  邱丽淳 ,  周超 ,  李璋 ,  黄汉华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种对烧结温度敏感的钛酸铋无铅介电陶瓷材料的制备及电学性能表征，该陶瓷的化学通式为：Bi4Ti3O12，用传统固相法在800℃进行一次预烧，选择在1100℃和1150℃两种不同温度下烧结。本发明制备的陶瓷片，经检测烧结温度为1100℃居里点663℃，此时在居里点附近的相对介电常数达76.7以上，而烧结温度为1150℃居里点为656℃,此时在居里点附近，相对介电常数最小能达到22.67，优选的相对介电常数达76.7以上的陶瓷片，介电损耗较小。通过电模系数计算所得本发明制备的陶瓷片的活化能在0.50和0.73之间。当烧结温度仅仅提高50℃时，材料的介电常数和介电损耗等在数值和变化趋势上都有较明显的变化。

公开(公告)号：CN105060879A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510337135.1

申请日：2015-06-17

Applicant: 湖北大学

Inventor： 陈勇 ,  杨淮 ,  杨琰 ,  李璋 ,  黄汉华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种具有高介电性能的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷材料及制备方法，其化学通式为：Na0.5BixTi4O1.5x+8.25其中x＝4.48—4.52，用传统固相法经两次预烧，一次烧结而成。本发明制备的陶瓷片，经检测居里点675℃，在居里点附近相对介电常数为1200以上，优选的相对介电常数达1700以上，介电损耗较小，通过电模系数计算所得本发明制备的陶瓷片的三种材料活化能为1.15～1.77eV，Z*阻抗图检测材料的阻抗较大，本发明制备的陶瓷片材料的电阻都在5000以上，表明材料有较好的介电性能。与常规Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)有很大的提高。