公开(公告)号：CN108558392A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810245528.3

申请日：2018-03-23

Applicant: 湖北大学

Inventor： 陈勇 ,  姜朝斌 ,  秦路 ,  陈琪 ,  骆迁 ,  张灿灿

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了宽工作温区低介电损耗的无铅电子陶瓷材料，化学通式为化学通式为Na1+xBiTi6O14+0.5x，其中x＝-0.02～0.02。此外本发明还提供该无铅电子陶瓷材料的制备方法。本发明无铅电子陶瓷材料通过改变Na的含量，提高了陶瓷的介温稳定性，降低了陶瓷的最小介电损耗，得到具有不同性能陶瓷片，从而可应用于不同性能要求的陶瓷电容器件中，应用范围广。

公开(公告)号：CN107311643B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201710547143.8

申请日：2017-07-06

Applicant: 湖北大学

Inventor： 陈勇 ,  张灿灿 ,  邹建雄 ,  王玮 ,  曹万强 ,  潘瑞琨 ,  李璋

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料，化学通式为Na0.5Bi4.5Ti4‑xMgyO15‑2x+y，其中x＝0～0.08，y＝0.04～0.08。另外本发明还提供了该宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料的制备方法。本发明对现有的钙钛矿结构的无铅压电陶瓷进行改性，通过Mg替代Ti或在Ti位掺Mg合成单相新型材料，相对于现有未掺Mg的无铅压电陶瓷材料而言，本发明的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料具有高介电常数和较低的最小介电损耗，同时通过改变掺Mg的量可得到具有不同性能陶瓷片，从而可应用于不同性能要求的器件中，应用范围广。

公开(公告)号：CN107311643A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710547143.8

申请日：2017-07-06

Applicant: 湖北大学

Inventor： 陈勇 ,  张灿灿 ,  邹建雄 ,  王玮 ,  曹万强 ,  潘瑞琨 ,  李璋

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明提供了一种宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料，化学通式为Na0.5Bi4.5Ti4-xMgyO15-2x+y，其中x＝0～0.08，y＝0.04～0.08。另外本发明还提供了该宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料的制备方法。本发明对现有的钙钛矿结构的无铅压电陶瓷进行改性，通过Mg替代Ti或在Ti位掺Mg合成单相新型材料，相对于现有未掺Mg的无铅压电陶瓷材料而言，本发明的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料具有高介电常数和较低的最小介电损耗，同时通过改变掺Mg的量可得到具有不同性能陶瓷片，从而可应用于不同性能要求的器件中，应用范围广。