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公开(公告)号：CN103399349A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310320137.0
申请日：2013-07-26
Applicant: 清华大学 , 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 一种基于“碳纳米管-镍”异质结的太赫兹电磁波探测器，涉及一种太赫兹波段的电子学器件。本发明包括一段宏观长的碳纳米管束丝、两根镍电极，聚焦透镜、密封罩以及精度为纳安级电流表，其中碳纳米管束丝也可采用碳纳米管；碳纳米管束丝的两端分别与两根镍电极相连接，并真空封装在密封罩内。聚焦透镜安装在密封罩的侧面；所述的纳安级电流表与镍电极露出密封罩外部的接线端连接；太赫兹电磁波穿过密封罩上的聚焦透镜后直接照射在“碳纳米管-镍”异质结上。实验表明，当太赫兹波照射在该异质结上时，回路中即可产生显著的电流。本发明器件结构简单，制作方便，其响应时间为毫秒量级。
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公开(公告)号：CN203365697U
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201320452503.3
申请日：2013-07-26
Applicant: 清华大学 , 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 一种基于“碳纳米管-镍”异质结的太赫兹电磁波探测器，涉及一种太赫兹波段的电子学器件。本实用新型包括一段宏观长的碳纳米管束丝、两根镍电极，聚焦透镜、密封罩以及精度为纳安级电流表，其中碳纳米管束丝也可采用碳纳米管；碳纳米管束丝的两端分别与两根镍电极相连接，并真空封装在密封罩内。聚焦透镜安装在密封罩的侧面；所述的纳安级电流表与镍电极露出密封罩外部的接线端连接；太赫兹电磁波穿过密封罩上的聚焦透镜后直接照射在“碳纳米管-镍”异质结上。实验表明，当太赫兹波照射在该异质结上时，回路中即可产生显著的电流。本实用新型器件结构简单，制作方便，其响应时间为毫秒量级。
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公开(公告)号：CN100469683C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510012006.1
申请日：2005-06-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种制备面积为平方厘米量级的单晶银纳米线阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法以玻璃为基底，首先在玻璃基底两端同时沉积两片Ag膜作为阴极和阳极，其Ag膜厚度为微米量级，再沉积RbAg4I5银离子导电膜，使得银离子导电膜覆盖阴极和阳极以及它们之间的空隙；然后在阴极和阳极之间施加恒定电流，使通过银离子导电膜的离子流密度为恒定值。该方法可制备出面积为平方厘米尺度的银纳米线阵列，所得的纳米线排列方向十分规则，晶体结构为面心立方结构；具有方法操作简单，条件容易控制，易从基底上剥离等特点。所制备的银纳米线阵列可作为器件直接应用于光学和电子学等领域中。
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公开(公告)号：CN100469682C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510012005.7
申请日：2005-06-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明选用裸玻璃光纤为基底，用真空热蒸镀方法在裸玻璃光纤一侧沉积两片银膜分别作为阴极和阳极，在阴极和阳极之间沿光纤轴向沉积RbAg4I5银离子导电薄膜，并使其覆盖阴极和阳极。在真空中，对阴极和阳极之间施加恒定直流电压，经数十小时后，阴极边缘生长出长度达厘米量级的银单晶纳米线阵列。该方法在全固态环境且无任何模板的条件下实现，操作简单，阵列长度由通电时间控制，阵列中的银纳米线彼此平行排列，且该阵列易于从基底分离，可作为导线或器件应用于宏观尺度的电子学、光电子学领域中，或直接作为表面增强拉曼散射基底用于化学分析领域中。
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公开(公告)号：CN1522951A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN03104876.5
申请日：2003-02-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种制备纯银单晶纳米线的方法及装置，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银单晶纳米线的制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气气氛中，通过改变银离子导电薄膜MIxMII1－xAg4I5(MI和MII为K，Rb，Cs，x＝0～1)的外加电场强度和作用时间制备出具有不同长度和直径的银单晶纳米线；可以使制备的银纳米线的长度达几百微米以上，且生长的方向是由直流电场方向控制的。该方法操作简单，单晶纳米线的尺寸易于控制。本发明所制备的单晶银纳米线可作为导线或器件应用于纳米尺度的电子学及光电子学领域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1158518C
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN01136667.2
申请日：2001-10-26
Applicant: 清华大学
IPC: G01D5/26
Abstract: 本发明涉及一种使偏振表面等离子体传感器反射谱最低点为零的调试方法，首先将传感器中的检偏器放在检偏45°的方向，将起偏器放在起偏角α＝0的位置，此时S波的电场为零，设初始待测介质的折射率为n1，记录最小值Rmin以及与此最小值相对应的光入射角θSPR，调节传感器旋转平台，使光电接收器输出的光电信号极小，此时光入射角为θSPR，旋转起偏器，尽量满足调节相位补偿器，使光电接收器的输出信号极小，调节起偏器，使光电接收器输出信号极小。本发明的优点是在激发表面等离子体波的条件下，不论传感器的光反射面上的金膜厚度的大小，都可以通过调节光学系统，使SPR谱的最小值为零，从而有效地提高传感器的分辨率。
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公开(公告)号：CN1342894A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01136668.0
申请日：2001-10-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种相位调制偏振型表面等离子体波传感器,由激光器产生的激光经起偏器后变成线偏振光,该线偏振光入射到传感部件中的光反射面,反射后的出射光经1/4波片后成为左旋和右旋圆偏振光,圆偏振光经检偏器变成线偏振光,该线偏振光经光电转换器转换成为电信号,该电信号经锁相放大器后输入计算机,显示测量结果,信号发生器发出信号给相位调制器,相位调制器对P波和S波的相位差进行调制,同时输入锁相放大器,对光电转换信号进行解调。利用本发明设计的相位调制偏振型表面等离子体波传感器,通过调整光学元件,使其在工作点处直流光强背景在理论上为零,并且通过调制,进一步提高传感器的分辨率。
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公开(公告)号：CN1342885A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01136670.2
申请日：2001-10-26
Applicant: 清华大学
IPC: G01D5/26
Abstract: 本发明涉及一种波长调制偏振型表面等离子体波传感器,由激光器产生的激光经起偏器后变成线偏振光,入射到传感部件中的光反射面,反射后的出射光经1/4波片后成为左旋和右旋园偏振光,经检偏器变成线偏振光,经光电转换器转换成为电信号,该电信号经锁相放大器后输入计算机,显示测量结果,信号发生器发出信号信号发生器发出信号,该信号输入角度调制器,对入射到激发装置的入射光的入射角进行调制。本发明设计的光学系统,可以通过调节,使工作点直流光强背景在理论上为零,从而减少了光学系统的白噪声对测量的影响,可以进一步提高测量的分辨率。
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公开(公告)号：CN100539209C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710064946.4
申请日：2007-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/032 , H01G9/20 , G01J1/42
Abstract: 基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器，涉及一种具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇的光电导传感器件。它是利用银胶将宏观长铜纳米线簇的两端与两金属电极相连接构成回路，然后在回路中通以适当的电流，使铜纳米线表面在空气中氧化形成铜氧化物包裹层。将处理后的纳米线簇和连接它的电极端真空封装于石英套管内，并在套管外部留出电极的另一端作为引线。工作时，把两电极引线和电信号检测设备相连接，当有光束照射在纳米线簇的中央位置时，电路中电导会发生显著变化，其光电导的数值依赖于入射光的强度，即当光强增加时，光电导数值也会增加，反之，当光强减小时，光电导数值也会减小，且其光电响应速度很快。
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公开(公告)号：CN100395173C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200410101815.5
申请日：2004-12-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于宏观长多壁碳纳米管束的正光控电导器件，涉及一种光电子学器件。该器件是由一根多壁碳纳米管束丝、两个金属电极以及石英玻璃罩组成，即把多壁碳纳米管细丝的两端分别与两个金属电极相连接，然后将其封装在石英玻璃罩内。工作时，将金属电极和外电路相连接，然后用一光束通过石英玻璃罩直接照射在碳纳米管丝的中部，实验表明，当光束强度增加时，器件的总电导会增加；当光束强度减小时，器件的总电导会下降。但无论入射光束强度大小如何，该器件的总电导变化率始终大于或等于零。本发明结构简单，制作方便；而且入射光波长响应范围宽，可响应405nm～1064nm波长的光，其光电响应时间小于5秒，是一种新型的光控电导器件。
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